**芯片概述：** CSD18509Q5B是由Texas Instruments（德州儀器）生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET。該器件采用先進(jìn)的工藝技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性，適用于高頻開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用。其封裝形式為SON 5mm x 6mm，便于在緊湊的電路板布局中使用。 **應(yīng)用場(chǎng)景：** 主要應(yīng)用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、負(fù)載點(diǎn)(POL)轉(zhuǎn)換器、同步整流電路以及需要高效能功率管理的場(chǎng)合。由于其優(yōu)秀的熱性能和電氣特性，特別適合用于電信設(shè)備、服務(wù)器電源、工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域。此外，這款MOSFET也常被用作驅(qū)動(dòng)級(jí)或輸出級(jí)元件，在逆變器和電機(jī)控制電路中發(fā)揮重要作用。 **應(yīng)用指導(dǎo)：** 在實(shí)際設(shè)計(jì)時(shí)，請(qǐng)確保遵循推薦的最大電壓和電流范圍，避免超過(guò)絕對(duì)最大額定值。對(duì)于高頻應(yīng)用，合理選擇柵極驅(qū)動(dòng)電阻以優(yōu)化開(kāi)關(guān)速度，并注意PCB布局以減少寄生電感和電容的影響。同時(shí)，建議參考TI提供的應(yīng)用筆記來(lái)獲得更詳細(xì)的電路設(shè)計(jì)指南。

CSD18509Q5B 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
2,822現(xiàn)貨
系列
NexFET?
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
40 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
100A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）
1.2 毫歐 @ 32A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）
195 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）
13900 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.1W（Ta），195W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
8-VSON-CLIP（5x6）
封裝/外殼
8-PowerTDFN

芯知識(shí)

2.2萬(wàn)

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