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CSD18563Q5AT

更新時間:2025-05-19 01:20:05

供應商
產(chǎn)品型號
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數(shù)量
廠商
封裝/批號
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詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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有上有貨原裝現(xiàn)貨可看貨，提供配單服務

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深圳市偉科芯電子科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨

深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市萬佳電子貿(mào)易有限公司
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現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司
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深圳現(xiàn)貨只做原裝

中研正芯（深圳）電子科技有限
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中研正芯，只做原裝

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深圳原裝現(xiàn)貨，可看貨可提供拍照

深圳市力闊欣電子有限公司
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深圳市愛冠偉業(yè)電子有限公司
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原裝現(xiàn)貨上海庫存，歡迎咨詢

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只做原裝，BOM表配單

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原裝現(xiàn)貨，可開票，提供賬期誠信服務

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TI現(xiàn)貨商原裝正品

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現(xiàn)貨假一罰萬只做原廠原裝現(xiàn)貨

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昂富（深圳）電子科技有限公司
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Texas Instruments/德州儀器
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深圳市偉芯源電子科技有限公司
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原裝有現(xiàn)貨 QQ420045561 VX

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CSD18563Q5AT 概述

CSD18563Q5AT是由Texas Instruments（德州儀器）生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET，采用SON 5x6mm封裝。該MOSFET專為高效功率轉(zhuǎn)換應用設計，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性，有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。這款MOSFET適用于直流-直流轉(zhuǎn)換器、負載點(POL)電源模塊、電機驅(qū)動以及需要高頻率操作的應用場景。其最大漏源電壓(VDS)可達40V，連續(xù)漏極電流(ID)在25°C時可達到100A，在實際應用中應考慮散熱條件以確保不超過安全工作范圍。在使用CSD18563Q5AT時，建議合理選擇柵極驅(qū)動電阻來優(yōu)化開關(guān)速度，并注意PCB布局以降低寄生電感對性能的影響。對于高功率密度設計，推薦采用大面積銅箔或散熱片來增強散熱效果，從而保證器件

CSD18563Q5AT 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨10,000Factory查看交期
系列
NexFET?
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
100A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
6.8mOhm @ 18A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
20 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1500 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.2W（Ta），116W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-VSONP（5x6）
封裝/外殼
8-PowerTDFN

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廣東微爾科技有限公司

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