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DN3545N8-G

更新時間:2025-07-10 07:55:20

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詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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柒號芯城電子商務(深圳)有限公
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達創(chuàng)芯源（深圳）電子有限公司
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150300
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深圳市華鴻芯科技有限公司
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70000
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深圳市騰迅輝電子科技有限公司
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3 SOT89 T/R/2024+
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-/-
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DN3545N8-G 概述

DN3545N8-G是Diodes Incorporated公司生產的一款N溝道增強型MOSFET，采用DFN2x2封裝。該MOSFET具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效的電源管理電路中。在電池供電設備中，它常被用于負載開關、充電電路以及DC - DC轉換器等應用。其小尺寸封裝特別適合空間受限的便攜式電子產品如智能手機和平板電腦等。使用時需注意，由于其封裝較小，在進行PCB布線設計時要確保良好的散熱路徑，避免因過熱導致性能下降或損壞。在驅動大電流負載時，柵極電阻的選擇應謹慎，以控制開關速度并減少EMI干擾。若需要將多個MOSFET并聯(lián)使用來增加電流能力，則要考慮均流問題。

DN3545N8-G 規(guī)格參數(shù)

制造商
Supertex
產品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
450 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
200 mA
電阻汲極/源極 RDS（導通）
20 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SOT-89 (TO-243AA)
封裝
Reel
下降時間
30 ns
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
1.6 W
上升時間
30 ns
工廠包裝數(shù)量
2000
典型關閉延遲時間
30 ns

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