富士通微電子推出全新256Mbit移動快速循環(huán)隨機存儲器（FCRAM）。該移動快速循環(huán)隨機存儲器是一種偽靜態(tài)隨機存儲器(PSRAM)，在富士通快速循環(huán)隨機存儲器的技術的基礎上帶有一個靜態(tài)存儲器接口，可以實現(xiàn)高速運算和低電耗，非常適用于手機等各種移動應用。 
　　該新款移動快速循環(huán)隨機存儲器MB82DDS08314A采用雙倍數據速率(DDR)突發(fā)模式，完全符合移動隨機存儲器(COSMORAM) Revision 4的通用規(guī)格要求。該產品器件有以下特點： 
　　雙倍數據速率(DDR)同步突發(fā)模式 
　　多重地址/數據接口 
　　高速數據傳輸速度，可達1GByte/s 
　　短延遲模式，初始接入時間短 
　　富士通的快速循環(huán)隨機存儲器(FCRAM)產品系列在現(xiàn)有的偽靜態(tài)隨機訪問存儲器（PSRAM）平臺的基礎上可以實現(xiàn)高速的數據傳輸速率，并包含多樣化功能，如數碼照相、數碼攝像和地面數字廣播流。另外，客戶不需要復雜的電板設計，因為新的產品器件通過多重地址和數據總線可以將針數減到少。 
　　兩種器件不僅提供封裝好的產品，同時還有芯片和晶片的供應形式。