飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)推出40V P溝道PowerTrench MOSFET產(chǎn)品FDD4141，為功率工程師提供快速開關(guān)的解決方案，可將開關(guān)損耗減少達一半。FDD4141具有低導通阻抗(RDS(ON))，與目前的MOSFET比較能降低柵極電荷(QG)達50%，可讓便攜、計算、消費和家庭娛樂產(chǎn)品中的異步降壓、電池充電和逆變器開關(guān)等應用，以更高的速度進行切換，而不會產(chǎn)生過多的熱量。快速開關(guān)是步降轉(zhuǎn)換器等開關(guān)速度需要達到數(shù)百kHz應用的必備條件。盡管其它MOSFET解決方案亦可在較高頻率下進行切換，但這些解決方案的柵極電荷較高，造成發(fā)熱更多、效率降低。

　　FDD4141采用飛兆半導體專有的PowerTrench工藝技術(shù)制造，可將負載電流更高的晶圓封裝在尺寸更小的封裝中。PowerTrench技術(shù)將N溝道MOSFET的特性運用在P溝道MOSFET中，使到P溝道MOSFET具備N溝道MOSFET的性能，并表現(xiàn)出更低的RDS (ON)和更低的柵極電荷，繼而更高的效率，同時還能夠在數(shù)百kHz的高頻下切換，以達致步降轉(zhuǎn)換器的開關(guān)要求。

　　FDD4141是飛兆半導體廣泛全面的PowerTrench MOSFET產(chǎn)品組合的一部分，能夠滿足當今電子產(chǎn)品的電氣和熱性能要求，有助于實現(xiàn)能效目標。飛兆半導體性能先進的PowerTrench MOSFET工藝技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)非常低的密勒電荷(QGD)、RDS(on)和總體柵極電荷(QG)值，當用于同步降壓應用時，可提供出色的開關(guān)性能和熱效率。

　　FDD4141采用無鉛(Pb-free)端子，潮濕敏感度符合IPC/JEDEC J-STD-020標準對無鉛回流焊的要求。所有飛兆半導體產(chǎn)品均設計滿足歐盟有害物質(zhì)限用指令(RoHS)的要求。

　　現(xiàn)提供樣品，收到訂單后8至10周內(nèi)交貨。