圖1中的電路用三只NPN晶體管和三只PNP晶體管做了一個(gè)邏輯探頭。兩只晶體管作為驅(qū)動(dòng)LED的開(kāi)關(guān)；邏輯1是綠色LED，邏輯0是紅色LED。Q1和Q2測(cè)試探頭尖的邏輯1狀況，Q3和Q4測(cè)試邏輯0的狀況。Q1在Q2射極電路中用作齊納二極管。R12和R14構(gòu)成的分壓器確定了二極管的值。該值設(shè)定了Q2基射結(jié)的擊穿電壓VL。這些值保證了探頭尖邏輯1的閾值約為3.2V。Q2射極電路中Q1的擊穿電壓約為2.6V。設(shè)定該閾值的算式為：VHIGH=1.2+(VR14/R12+R14)，其中V是電源電壓。由于VHIGH是電源電壓的函數(shù)，因此探頭也適用于CMOS晶體管。當(dāng)探頭尖的電壓超過(guò)這個(gè)電壓時(shí)，Q1和Q2的基射結(jié)均為正偏，它們有一個(gè)共同的集射電流流經(jīng)R4，產(chǎn)生一個(gè)足夠使Q5正偏的電壓，并點(diǎn)亮綠色LED。理想情況下，R1和R2將探頭尖的電壓維持在約2.5V，低于3.2V。

圖1 此電路圖用6個(gè)晶體管制作了一個(gè)邏輯探頭

　　晶體管Q3和Q4構(gòu)成一個(gè)其基極電壓的比較器。由R8和R9組成的分壓器將Q4的基極維持在某個(gè)電壓，大約為1.9V。由于探頭的懸浮電壓較高，Q3導(dǎo)通，R6上沒(méi)有電流流過(guò)。因此，Q6和紅色LED均關(guān)斷。但是，如果探頭尖的電壓低于1.9V，則Q4的基極電壓高于Q3，通過(guò)R7的共射電流轉(zhuǎn)而通過(guò)Q4流向R6。這個(gè)動(dòng)作在R6上產(chǎn)生足夠的壓降，使Q6導(dǎo)通，從而點(diǎn)亮紅色LED。下式用于確定低壓閾值：VLOW=[VR9/(R8+R9)]。

　　對(duì)于0V?5V的邏輯電壓，流過(guò)探頭尖的電流為-50?A?80?A。圖2給出了一種微型探頭的制作方法。

圖2 微型探頭的制作方法