SJ/T 11393-2009 半導(dǎo)體光電子器件 功率發(fā)光二極管空白詳細(xì)規(guī)范
出處：njliu 發(fā)布于：2011-06-09 11:55:59
引言
本空白詳細(xì)規(guī)范 半導(dǎo)體光電子器件的一系列你看看詳細(xì)規(guī)范這一，并應(yīng)與下列標(biāo)準(zhǔn) 起使用。
GB/T 2423.1 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分：試驗方法 試驗A：低溫（idt IEC 60068-2-1）
GB/T 4589.1--2006 半導(dǎo)體器件 分立器件和集成電路總規(guī)范（IEC 60747-10：1991，IDT）
GB/T4937 半導(dǎo)體器件機械和氣候試驗方法（idt IEC 61749）
GB/T 12565-1990 半導(dǎo)體器件 光電子器件分規(guī)范
SJ/T 11394-2009 半導(dǎo)體發(fā)光器件測試方法
IEC 60191-2 半導(dǎo)體器件機械標(biāo)準(zhǔn) 第2部分：尺寸
全文PDF：SJ_T 11393-2009 半導(dǎo)體光電子器件 功率發(fā)光二極管空白詳細(xì)規(guī)范.rar
版權(quán)與免責(zé)聲明
凡本網(wǎng)注明“出處：維庫電子市場網(wǎng)”的所有作品，版權(quán)均屬于維庫電子市場網(wǎng)，轉(zhuǎn)載請必須注明維庫電子市場網(wǎng)，http://hbjingang.com，違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點或證實其內(nèi)容的真實性，不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時，必須保留本網(wǎng)注明的作品出處，并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題，請在作品發(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系，否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
- MOSFET在UPS電源中的應(yīng)用解析2026/4/17 11:17:06
- SMT連接器焊接缺陷分析2026/4/17 10:57:47
- MOSFET在汽車電子中的應(yīng)用要求2026/4/16 14:02:53
- 通信設(shè)備電源管理IC應(yīng)用解析2026/4/16 13:55:54
- 通信設(shè)備連接器選型與設(shè)計2026/4/16 13:50:06
