2010年11月9日消息，光纖宏彎損耗測試，在國家標準GB/T9771.3-2008中描述：光纖以30mm半徑松繞100圈，在1625nm測得的宏彎損耗應不超過0.1dB.

　　而注2中描述：為了保證彎曲損耗易于測量和測量準確度，可用1圈或幾圈小半徑環(huán)光纖代替100圈光纖進行試驗，在此情況下，繞的圈數(shù)環(huán)的半徑和允許的彎曲損耗都應該選的與30mm半徑100圈試驗的損耗值相適應。

　　單模光纖損耗主要包括內部的本征損耗和吸收損耗，同時也受加工絞合、鋪設、接頭等使用過程中的彎曲影響。隨著光纖使用場合的擴大，特別是在局域網絡及室內等復雜場合的廣泛使用，有必要對光纖彎曲特性進行研究，以明確光纖彎曲特性。其中MAC值是影響光纖彎曲損耗的主要因素之一。光纖彎曲損耗分微彎（Microbending）損耗和宏彎（Macrobending）損耗。宏彎損耗是由整個光纖軸線彎曲造成的附加損耗；微彎損耗是由光纖軸線微小的畸變造成的附加損耗。

　　光纖從傳輸模式上可分單模光纖和多模光纖兩種。而IEC和ITU-T又根據零色散波長和截止波長是否產生位移將單模光纖劃分為6種類型。其中ITU-T標準將單模光纖分為G.652、G.653、G.654、G.655和G.656等類型，而IEC則將單模光纖分為B1.1、B1.2、B1.3、B2、B4等。G.652D B1.3 波長段擴展的非色散位移單模光纖（也稱全波光纖或低水峰光纖） 零色散波長在1300~1324nm處，消除了G.652A、B光纖存在的1383nm處的水峰，將工作波長擴展到1360-1530nm,用于城域網全波段CWDM傳輸。

　　一、兩種宏彎損耗測試方法的比較

　　圖為 兩種宏彎損耗測試方法示意圖

　　用上述方法對10盤正常生產條件下的光纖樣品進行對比測試。

　　整體數(shù)據匯總圖形如下：

　　從整體數(shù)據匯總圖可看出Φ32mm*1宏彎測試方法所得數(shù)據的平均值和標準偏差都比Φ60mm*100的要小，且數(shù)據相對穩(wěn)定，重復性好。當然所抽樣品也不是完全都遵循此規(guī)律，10個樣品中有3個樣品在1625nm窗口下Φ32mm*1所得數(shù)據的平均值大于Φ60mm*100所測得的；還有1個樣品在1550nm、1625nm窗口下所得數(shù)據的標準偏差大于Φ60mm*100的。

　　10個樣品用兩種測試方法所得數(shù)據的平均值和標準偏差相差不大，處于一個數(shù)據等級內。Φ32mm*1的判斷標準應考慮的與60mm*100比較接近。

　　在測試過程中，Φ32mm*1宏彎測試方法易于操作，能減少測試誤差，根據GB/T9771.3-2008宏彎損耗的說明，認為Φ32mm*1宏彎測試方法可作為判斷光纖宏彎性能的一種簡便方法。

　　而Φ60mm*100作為標準明確規(guī)定一種方法，其準確性的提高需依賴于測試裝置的改良，如，保證光纖以盡可能一致的直徑、適宜的張力纏繞100圈。

　　二、宏彎與截止波長的關系

　　為更好的摸索宏彎損耗與截止波長的關系，隨機抽取760個樣品進行實驗，實驗數(shù)據如圖1、圖2:

圖1：1550nm宏彎損耗與截止波長分布

圖2：1625nm宏彎損耗與截止波長分布

　　由圖1可明顯看出1625nm的數(shù)據較1550nm窗口下宏彎損耗分散，實際數(shù)據證實長波長對彎曲的敏感程度更甚。

　　由圖2可看出1625nm宏彎損耗相對集中時對應的截止波長也相對集中分布在1210nm-1290nm,截止波長越小，宏彎損耗越大，且分布散亂無規(guī)律。

　　通過以上分析，可以看出截止波長對宏彎損耗有一定的影響，當截止波長分布在1210nm-1290nm范圍內時，1550nm、1625nm窗口下宏彎損耗相對集中，數(shù)據穩(wěn)定，這為我們優(yōu)化工藝改善宏彎損耗提供了有利的數(shù)據依據。

　　三、結論

　　1、Φ32mm*1宏彎測試方法可作為判斷光纖宏彎性能的一種簡便方法。

　　2、而Φ60mm*100作為標準明確規(guī)定的一種方法，其準確性的提高需依賴于測試裝置的改良。

　　3、大量實踐數(shù)據驗證了截止波長與宏彎損耗存在相關性。