以DRAM和Flash為代表的存儲器平均銷售價格（ASP）自去年年初以來經(jīng)歷了令人震驚的下滑。隨著現(xiàn)貨價格與合約價格不斷創(chuàng)下新低，價格壓力充斥著整個上一季度。由于價格走低，對于NAND閃存等存儲器的需求正在升溫。呈井噴之勢的預測數(shù)字顯示出我們當前正處在黎明前的黑暗階段，一個巨大而不斷增長的市場即將出現(xiàn)。僅僅12個月IC產(chǎn)業(yè)結(jié)束了歷史上動蕩的季度業(yè)績變化。ICInsight總裁BillMaClean指出，當2008Q4和2009Q1時IC出貨量達到創(chuàng)記錄的季度值時，此后的Q2及Q3又迎來了創(chuàng)記錄的按季度比較快的增長，所以對于2010年可能要依新的視角來觀察。

　　ICInsight也指出NAND閃存銷售額在2009年時增加20%，并預期2010及2011年同樣會有大幅的增長。DRAM的平均銷售價格ASP在2009Q4比2009Q1時上升了65%，相信未來的價格可能會持續(xù)上升。其中的原因從09年看實際上PC的出貨量剛持平，而手機的出貨量還下降了5%，而到2010年時無論PC，或者是手機預計出貨量都將有兩位數(shù)的增長，所以存儲器的價格上漲在預期之中。

　　大舉擴產(chǎn)NAND閃存

　　低價同時也推動了需求的增長，使得部分廠商出現(xiàn)供給不足。以東芝（Toshiba）為例，該公司目前已經(jīng)無法滿足客戶對NAND閃存的需求，據(jù)稱斷貨會一直持續(xù)到12月份。對于未來，東芝預計NAND閃存比特增長率將在2008年和2009年分別出現(xiàn)120%和115%的跨越式增長。近幾個月來，DRAM價格連連上漲，同時也拉升了NANDFlash顆粒的價格。各大晶圓廠和模組廠也都連連傳出利好消息。雖然各大內(nèi)存廠商的產(chǎn)品訂單和資金流相較2009年年初的金融海嘯時期已經(jīng)有較大起色，但是這內(nèi)存的價格上漲也波及到了電子賣場中的零售價格。

　　智能手機的普及，也提高了Flash記憶體的需求。一位分析師臆測指出，此波價格上漲乃因為蘋果公司大幅調(diào)升其iPhone3GS產(chǎn)品的生產(chǎn)數(shù)量。蘋果發(fā)行的iPod播放器，銷售情況也相當強勁。另一方面，第2大的NAND制造商東芝高層人士指出，大容量SD卡的需求也正與日俱增。無論是內(nèi)存還是閃存，在10月的時候，還會有進一步上揚的態(tài)勢。我國南方山寨廠商，要想進一步壓低成本，可以在近多囤積一些內(nèi)存閃存，以便應付即將到來的圣誕節(jié)和春節(jié)的大批量訂單。

　　三星跟往年一樣在去年年中的時候增加了支出預算，將其去年年初69億美元的資本支出計劃（包括Austin）增至83.5億美元的高位。臺灣華邦電子雖不如三星那么大手筆，但也將其資本支出從2.45億美元翻番至5.87億美元。

　　存儲器廠商推波助瀾

　　除了三星，還有更多的存儲器廠商不斷地在這一市場煽風點火。力晶和爾必達合資成立的DRAM廠商瑞晶電子（Rexchip）正在將其大量開出的產(chǎn)能推向市場，類似的還有Toshiba與SanDisk聯(lián)合成立FlashAlliance。瑞晶去年首座300mm晶圓廠投產(chǎn)，月產(chǎn)能為70,000片晶圓。這還只是該公司四座規(guī)劃中的晶圓廠之一，第二座晶圓廠已經(jīng)于去年7月動工興建，預計將于2008年下半年投產(chǎn)。

　　SMA總裁GeorgeBurns表示，“Alliances和三星是推動閃存產(chǎn)能增長的主要動力，東芝與SanDisk合資公司Alliances近大幅增加產(chǎn)能，超過三星、Hynix和IMFlash的合并產(chǎn)能增加量。”

　　據(jù)悉，東芝與SanDisk合資公司包括FlashVision、FlashPartners和FlashAlliance。FlashAlliance的Fab4晶圓廠剛開始處理硅晶圓餅，當設備完全裝配好，據(jù)稱每月產(chǎn)能將達21萬片300毫米晶圓。Burns注意到，“那將是的晶圓廠，產(chǎn)能幾乎相當于50萬片200毫米硅晶圓。”

　　巨型晶圓廠的加速

　　FlashAlliance極有可能將加速其百萬級晶圓廠，或被稱為“巨型晶圓廠（MonsterFab）”的Fab4（的晶圓廠，產(chǎn)能每月210,000片）的擴產(chǎn)，并且將有望在今年年中開始動工建設Fab5（月產(chǎn)能亦為210,000片）。與STMicroelectronics一道，海力士打算去年年底將雙方在中國無錫的300mm合資廠月產(chǎn)能擴充至80,000片的水平。

　　供給過剩的擔憂

　　不少存儲器廠商正在通過建設規(guī)模更大的晶圓廠來推動這一市場。事實上，很多廠商也對此顧慮重重，因為他們擔心此舉將進一步加速平均銷售價格的下跌。在一個價格疲軟的環(huán)境下，即使市場份額能夠擴大，廠商也難以真正高興起來。對于供給過剩的擔憂如今已浮出水面，iSuppli等公司近都曾指出“供給過渡將存儲器市場推向深淵。”

　　隨著市場受到?jīng)_擊，各廠商紛紛以各種方式應對，試圖使自身產(chǎn)出滿足預期的需求。

　　有的公司不得不削減資本支出，只有少數(shù)公司能夠有足夠的底氣開出更大額的支票。

　　在2007年實現(xiàn)8%的年增長率之后，2008年晶圓廠建設項目方面的支出將出現(xiàn)停滯，甚至還有可能出現(xiàn)個位數(shù)的負增長。晶圓廠設備采購方面的支出則可能在經(jīng)歷2007年8%的年度增長之后在2008年出現(xiàn)10%的負增長。

　　許多公司開始通過削減支出、重組、加速提高生產(chǎn)效率等降低成本的努力來應對趨緩的市場環(huán)境。有的開始進行大規(guī)模裁員（如近三星宣布裁員1,630人，Conexant打算裁員20%，美光也有裁員約10%的計劃）。部分廠商則尋求削減支出，如臺灣茂德近日即宣布2008年資本支出將由2007年的18億美元大幅削減至8億美元。奇夢達近也承認2008財年資本支出水平將會低于2007財年。

　　代工廠削減資本支出

　　市場研究機構(gòu)Gartner表示，包括臺積電、聯(lián)電、晶圓（Globalfundries ）及三星等晶圓代工廠，均已重申不下修今年資本支出。根據(jù)Gartner的統(tǒng)計，今年晶圓代工廠總資本支出將達187億美元，臺積電資本支出就高達78億美元。

　　盡管聯(lián)電將加大某些關鍵的、資本密集型設備上的投入，并通過重點將舊制程技術轉(zhuǎn)化為更先進的制程技術而擴充產(chǎn)能，聯(lián)電仍然宣布2008年資本支出將顯著減少。我們?nèi)云诖?lián)電將于2008年末開始為Fab12B移入設備（Fab12B目前正處于建設中）。今年，臺積電將完成Fab14第二階段的產(chǎn)能擴充，并將開始第三階段的擴產(chǎn)。兩者預計均會帶來多4萬片至4.5萬片的月產(chǎn)能。

　　產(chǎn)能預測

　　2007年晶圓廠產(chǎn)能增長率接近20%，2008年還將進一步新增11%。已投產(chǎn)總產(chǎn)能方面，存儲器產(chǎn)能增長率將從2007年的38%增加至2008年41%。日本在2007年和2008年均擁有的已投產(chǎn)產(chǎn)能，折合成8寸晶圓分別為每月350萬片晶圓和380萬片晶圓以上。緊隨其后的是臺灣和韓國，月產(chǎn)能在2007年分別為250萬片和260萬片，在2008年則分別為280萬片和270萬片。

　　盡管我們的統(tǒng)計顯示2008年增長有所放緩，這一趨勢仍有望出現(xiàn)變化。許多公司（并非所有公司）增速下降，或者緊縮開支以應對下滑的市場。但是只要市場出現(xiàn)改善跡象，這一切便有可能很快改變。半導體產(chǎn)業(yè)不斷成熟意味著它能夠比以前更快地對市場變化做出反應。