2005年8月26日，北京訊——今天，在舊金山召開(kāi)的英特爾開(kāi)發(fā)商論壇（IDF）上，的內(nèi)存產(chǎn)品供應(yīng)商英飛凌科技公司（FSE/NYSE：IFX）宣布，該公司正在推出雙數(shù)據(jù)速率2（DDR2）全緩沖內(nèi)存模塊（FB-DIMM）樣品，英飛凌是業(yè)界能設(shè)計(jì)和生產(chǎn)FB_DIMM所有關(guān)鍵部件的公司。容量在512MB到4GB之間的新型FB-DIMM，基于英飛凌出品的內(nèi)存緩沖（AMB）芯片、DDR2 DRAM芯片及其自主開(kāi)發(fā)的散熱器。另外，英飛凌還為其他FB-DIMM生產(chǎn)商提供AMB邏輯芯片，并且已經(jīng)將樣品發(fā)給了批客戶(hù)。

　　日前，英飛凌科技（Infineon Technologies）公司宣布開(kāi)始提供業(yè)界僅有的雙倍數(shù)據(jù)率2全緩沖雙列直插存儲(chǔ)器模塊（DDR2 FB-DIMM）樣片，所有的關(guān)鍵元件都由英飛凌自行設(shè)計(jì)和制造。新款FB-DIMM密度在512MB至4GB，基于英飛凌提供的先進(jìn)存儲(chǔ)器緩存（AMB）芯片、DDR2 DRAM芯片和專(zhuān)有散熱器。

　　FB-DIMM把現(xiàn)行寄存式DIMM的并行結(jié)構(gòu)變成了串行點(diǎn)到點(diǎn)連接。這將消除新一代服務(wù)器內(nèi)存容量增加與速度升級(jí)導(dǎo)致的吞吐量瓶頸。英飛凌設(shè)計(jì)生產(chǎn)的AMB，是一個(gè)高度復(fù)雜的邏輯芯片，它將控制點(diǎn)到點(diǎn)連接，代AMB能提供4.8Gbps的數(shù)據(jù)速率來(lái)實(shí)現(xiàn)與傳輸速度高達(dá)800Mbps 的DDR2 DRAM的直接高速鏈接。除了用于自有模塊之外，英飛凌還為其他FB-DIMM生產(chǎn)商提供AMB芯片，從而推進(jìn)新一代服務(wù)器內(nèi)存的市場(chǎng)滲透。

　　由于可與DDR2 DRAM高速鏈接直接接口，AMB復(fù)雜邏輯芯片能夠提供4.8Gbps的數(shù)據(jù)速率，而代DDR2 DRAM的速率則在800Mbps級(jí)別以下。除了使用自己的模塊以外，英飛凌也向其它FB-DIMM制造商提供此款A(yù)MB芯片。

　　作為FB-DIMM開(kāi)發(fā)領(lǐng)域的先驅(qū)，英飛凌在2004年8月推出了業(yè)內(nèi)款A(yù)MB測(cè)試芯片，并在2005年2月的IDF論壇上成功展示了DDR2平臺(tái)上的系統(tǒng)啟動(dòng)。今天宣布的這代FB-DIMM將運(yùn)用速度級(jí)別在553和667Mbps的DDR2 DRAM，今后將進(jìn)一步提升到800 Mbps。

FB-DIMM

　　定制的FB-DIMM樣片密度分別有512MB、1GB、2GB和4GB，分別基于512Mb和1Gb的DDR2 533和DDR2 667。英飛凌推出的數(shù)據(jù)速率達(dá)4.8Gbps的AMB芯片采用665球高性能BGA封裝。現(xiàn)在該產(chǎn)品也有樣品提供。