開關(guān)電源原理與設(shè)計(jì)
出處:互聯(lián)網(wǎng) 發(fā)布于:2011-09-03 08:54:55
下面僅列出多種線圈電感量的計(jì)算方法以供參考,其推導(dǎo)過程這里不準(zhǔn)備詳細(xì)介紹。
在進(jìn)行電路計(jì)算的時候,一般都采用SI國際單位制,即導(dǎo)磁率采用相對導(dǎo)磁率與真空導(dǎo)磁率的乘積,即:μ=μrμ0 ,其中相對導(dǎo)磁率μr是一個系數(shù)。
幾種典型電感
1、圓截面直導(dǎo)線的電感

其中:
L:圓截面直導(dǎo)線的電感 [H]
l:導(dǎo)線長度 [m]
r:導(dǎo)線半徑 [m]
μ0 :真空導(dǎo)磁率[H/m]
【說明】 這是在 l>> r的條件下的計(jì)算公式。
2、同軸電纜線的電感
同軸電纜線如圖2-33所示,其電感為:

其中:
L:同軸電纜的電感 [H]
l:同軸電纜線的長度 [m]
r1 :同軸電纜內(nèi)導(dǎo)體外徑 [m]
r2:同軸電纜外導(dǎo)體內(nèi)徑 [m]
μ0:真空導(dǎo)磁率 [H/m]
【說明】 該公式忽略同軸電纜外導(dǎo)體的厚度。
3、雙線制傳輸線的電感

其中:L:輸電線的電感 [H]
l:輸電線的長度 [m]
D:輸電線間的距離 [m]
r:輸電線的半徑 [m]
μ0:真空導(dǎo)磁率 [H/m]
【說明】 該公式的應(yīng)用條件是: l>> D ,D >> r
4、兩平行直導(dǎo)線之間的互感
兩平行直導(dǎo)線如圖2-34所示,其互感為:

其中:
M:輸電線的互感 [H]
l :輸電線的長度 [m]
D:輸電線間的距離 [m]
r:輸電線的半徑 [m]
μ0:真空導(dǎo)磁率 [H/m]
【說明】 該公式的應(yīng)用條件是: >> D ,D >> r 。
5、圓環(huán)的電感

其中:
L:圓環(huán)的電感 [H]
R:圓環(huán)的半徑 [m]
r:圓環(huán)截面的半徑 [m]
μ0:真空導(dǎo)磁率,μ0=4π10-7 [H/m]
【說明】 該公式的應(yīng)用條件是:R >> r 。
版權(quán)與免責(zé)聲明
凡本網(wǎng)注明“出處:維庫電子市場網(wǎng)”的所有作品,版權(quán)均屬于維庫電子市場網(wǎng),轉(zhuǎn)載請必須注明維庫電子市場網(wǎng),http://hbjingang.com,違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性,不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時,必須保留本網(wǎng)注明的作品出處,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
- 電源管理IC在物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中的應(yīng)用2026/4/17 11:09:03
- 電源管理IC在智能家居中的應(yīng)用2026/4/14 15:51:13
- 高溫環(huán)境下電源IC選型建議2026/4/13 13:53:19
- 電源IC在惡劣環(huán)境中的防護(hù)設(shè)計(jì)2026/4/10 11:03:45
- 電源IC在便攜式設(shè)備中的設(shè)計(jì)要點(diǎn)2026/4/9 10:06:18
- 高速PCB阻抗控制核心實(shí)操規(guī)范
- 高速數(shù)字系統(tǒng)(如DDR、SerDes)中的信號完整性濾波
- MOSFET在UPS電源中的應(yīng)用解析
- 電源管理IC在物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中的應(yīng)用
- SMT連接器焊接缺陷分析
- MOSFET在汽車電子中的應(yīng)用要求
- 通信設(shè)備電源管理IC應(yīng)用解析
- 通信設(shè)備連接器選型與設(shè)計(jì)
- PCB電磁兼容性(EMC)設(shè)計(jì)核心實(shí)操規(guī)范
- 物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)低功耗設(shè)計(jì):信號鏈中的濾波與功耗管理









