飛思卡爾半導(dǎo)體近期宣布針對(duì)其下一代微控制器 （MCU） 平臺(tái)提供 90納米（nm） 薄膜存儲(chǔ)器 （TFS） 閃存技術(shù)。這種先進(jìn)技術(shù)預(yù)計(jì)將會(huì)針對(duì)正在應(yīng)用的飛思卡爾 MCU中部署，還有消費(fèi)電子、醫(yī)療器械、家用電器及智能計(jì)量系統(tǒng)等各種產(chǎn)業(yè)。

　　飛思卡爾同時(shí)還推出了 TFS 閃存的重要特性 --FlexMemory。FlexMemory 提供簡(jiǎn)單、經(jīng)濟(jì)且高效的片上增強(qiáng)型電可以擦除編程的只讀存儲(chǔ)器 （EEPROM），提供該行業(yè)的靈活性搞、性能強(qiáng)及持久性長(zhǎng)等附加的優(yōu)勢(shì)。用戶可以將FlexMemory 用作附加的閃存存儲(chǔ)器進(jìn)行單獨(dú)部署，也可以作為 EEPROM 和閃存存儲(chǔ)器的組合進(jìn)行部署。

　　“我們的目標(biāo)是為開發(fā)人員提供即插即用解決方案，旨在減少成本及上市時(shí)間的加快。也為了幫助他們顯示自己終產(chǎn)品的與眾不同。”飛思卡爾的副總裁兼微控制器解決方案集團(tuán)的總經(jīng)理 --Reza Kazerounian 表示，“我們?nèi)涨靶嫉募夹g(shù)改進(jìn)將有助于解決上述問題，并證明我們有能力始終保持嵌入式 MCU 的地位。”

　　飛思卡爾 90納米薄膜存儲(chǔ)器閃存技術(shù)的重要特性

　　隨著 TFS 技術(shù)的完成，飛思卡爾能夠?qū)崿F(xiàn)以下幾點(diǎn)優(yōu)勢(shì)：

　　1.通過具有革命性的納米硅技術(shù)提供業(yè)內(nèi)的比特級(jí)可靠性；

　　2.快速、低電壓的晶體管可以提供低功耗的讀取功能，整個(gè)閃存在操作時(shí)電壓可降低到 1.71 伏，達(dá)到功率敏感型的應(yīng)用日益提高的水平；

　　3.閃存接入時(shí)間完全可以不超過 30 納秒；

　　4.域效率相對(duì)出眾，在各種閃存密度上實(shí)現(xiàn)高密度的存儲(chǔ)和外設(shè)集成功能。

　　FlexMemory 在飛思卡爾 90納米薄膜存儲(chǔ)器閃存技術(shù)中新增了 EEPROM 這一重要特性，并在傳統(tǒng) EEPROM的基礎(chǔ)上完成了多項(xiàng)改進(jìn)，包括：

　　1.在確保現(xiàn)有 EEPROM容量（高達(dá) 16KB）和持久性（在整個(gè)適用溫度和電壓范圍超過一百萬循環(huán)）的同時(shí)，提供客戶多個(gè)選項(xiàng)及應(yīng)用優(yōu)化；

　　2.擦除和寫入僅需 1.5 微秒即可完成，這可比傳統(tǒng) EEPROM 解決方案快五倍。

　　飛思卡爾 FlexMemory 的多功能性使其可以運(yùn)用于多種用途，其中包括額外的應(yīng)用程序編碼存儲(chǔ)，還有用于數(shù)據(jù)表或字節(jié)寫入/刪除系統(tǒng)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)。在所有的模式中，F(xiàn)lexMemory可與主程序存儲(chǔ)器一起進(jìn)行訪問。