如前文所述，APS像素陣列中同一列的每一個像素上，都有一個共享的列像素信號輸出端（Column Output）。每一列像素的這個共享輸出端，都經(jīng)過一個列模擬信號通道，處理和放大這一列像素的圖像信號。在這個通道中，首先有一個由模擬電壓Vb偏置的恒流源，它是本列中每一個像素上源極跟隨器Tsf通過選擇開關(guān)Tsel連接的公共負(fù)載。在每一個列通道中還有一個重要的結(jié)構(gòu)，就是相關(guān)雙取樣電路CDS（Correlated Double Sampling）。這是一個模擬信號處理電路，它對每個像素光電二極管PD上的電壓信號，進(jìn)行兩次取樣：次取樣在PD剛剛被預(yù)置到電壓Vrst - Vsat之后，當(dāng)曝光剛剛開始的時刻；第二次取樣在曝光完成的時刻。把與這兩次相關(guān)信號取樣的電壓差值對應(yīng)的電壓，作為像素的光電信息輸出，因此被稱為相關(guān)雙取樣電路。

　　為什么要采用相關(guān)雙取樣電路處理圖像信息？首先必須了解CMOS成像器圖像的固定圖樣噪聲FPN（Fixed Pattern Noise）問題，在CMOS成像器的芯片上，每個像素和每個像素陣列的幾何尺寸都必須滿足光學(xué)系統(tǒng)的要求。在當(dāng)前，通常像素的尺寸在1.7微米到20微米之間，陣列尺寸在約2mm2到1000mm2數(shù)量級之間。在以微米、亞微米尺度構(gòu)建晶體管的CMOS芯片上，陣列面積的尺寸是相當(dāng)"巨大"的。由于工藝不均勻的原因，每個APS像素上的有源器件，在如此大的陣列面積上，會有參數(shù)的隨幾何位置不同而有差異。例如，重置晶體管Trst的飽和電壓Vsat,在陣列不同位置上像素中的差異，會引起光電二極管的重置電壓Vrst – Vsat在陣列上的差異。這個差異會產(chǎn)生一個虛假的圖形，疊加在真正對應(yīng)光學(xué)圖像的信號上。這個虛假的圖形僅與陣列制造過程的不均勻有關(guān)，在制造過程完成后是不會改變的，與真實光學(xué)圖像無關(guān)，因此被稱為固定圖樣噪聲FPN.相關(guān)雙取樣CDS電路的輸出，對應(yīng)于兩次取樣值的差，即曝光曲線的斜率，而不是取樣的，因而消除了重置管Vsat差異而產(chǎn)生的固定圖樣噪聲。

　　相關(guān)雙取樣CDS功能通常用開關(guān)電容放大器電路實現(xiàn)，一種常見的CDS電路結(jié)構(gòu)如圖所示。列輸出（Column Output）的模擬信號分別經(jīng)過由CKR和CKS信號控制的采樣模擬開關(guān)，存儲在兩個保持電容CR和CS上。CKO信號控制另外兩個模擬開關(guān)，同時把兩個電容上的電壓，分別連接到差分放大器的正負(fù)輸入端，使放大器輸出與這兩個信號的差值相關(guān)的電壓。相關(guān)雙取樣CDS的工作時序如圖中B所示，在像素的曝光過程開始時，當(dāng)光電二極管PD被Reset控制重置到Vrst-Vsat電壓后，開關(guān)CKR開啟，曝光初始的VPD信號電壓被采樣保持到電容CR上，形成次采樣。當(dāng)曝光結(jié)束時，CKS開啟，VPD信號電壓被采樣保持到電容CS上，實現(xiàn)第二次采樣。然后CKO同時控制兩個開關(guān)開啟，電壓差VCS – VCR = Vout輸入到差分放大器輸入端。從CDS的工作過程可以看出，輸出的模擬信號值是兩次采樣的差值，而不是光電二極管曝光后的信號，從而消除了重置開關(guān)Trst參數(shù)分布的影響。

　　相關(guān)雙取樣電路CDS改進(jìn)了固定圖樣噪聲，被認(rèn)為是CMOS成像器得到發(fā)展的關(guān)鍵一步。CMOS成像器的早期開拓者們，曾設(shè)想模擬信號處理可以廣泛應(yīng)用到APS像素陣列中去，而相關(guān)雙取樣電路是至今仍被廣泛應(yīng)用在CMOS成像器設(shè)計中的一種模擬信號處理方法。

　　從列通道輸出的圖像光電信號，經(jīng)過列模擬開關(guān)依次轉(zhuǎn)換輸出。列通道輸出依次切換的過程，實現(xiàn)圖像信息的水平掃描。圖像模擬信號經(jīng)過一個可變增益的寬帶放大器放大，可以經(jīng)過功率推動直接輸出片外，作為模擬圖像信號輸出，也可以經(jīng)過模數(shù)變換電路，輸出數(shù)字圖像信號。而數(shù)字圖像信號還可以用各種先進(jìn)的數(shù)字信號處理算法，在數(shù)字信號處理器DSP和微機(jī)中進(jìn)行改善、增強(qiáng)、壓縮，甚至于圖像識別和跟蹤等等處理。下一期話題將探討高清晰度和高速CMOS成像器。