當使用分立的JFET時，設計者可能需要將大量可變的器件參數(shù)與某個給定的晶體管型號相適應。一般會使用平方律方程，作為JFET漏極電流特性的一個近似模型：ID=β（VGS-VP）2,其中，ID是漏極電流，VGS是柵源電壓，β是跨導參數(shù)，而VP是柵極的截止電壓。與此近似，用下式可得柵源電壓為0V時的零漂移漏極電壓：IDSS=βVP2,其中IDSS是零漂移漏極電流。

　　圖1是N溝道JFET的特性圖，圖中顯示了一組器件可能的差異。例如，2N4416A數(shù)據(jù)表列出的截止電壓為-2.5V~-6V,零漂漏極電流可以從5mA~15mA.對一些器件樣品做觀察，可發(fā)現(xiàn)這兩個參數(shù)之間有相關性。圖中靠外的曲線就表示出了這些極端情況，而中間的曲線則可能表示一個-4V截止電壓和8mA零漂漏極電流的典型情況。

圖1,不同N溝道JFET器件的I 串聯(lián)電感，則可能需62 D-VGS特性可以有很大的差異。

　　對于量產(chǎn)電路，雖然可以在某些器件差異之內(nèi)做設計，有時也需要一個工具來快速地確定一組分立器件的特性。這種工具能夠挑選出一只適合于某個電路的器件，或者找到參數(shù)匹配相當理想的一對器件。

　　圖2是用于此目的一個簡單測試電路。盡管圖中顯示的JFET是N溝道器件，但通過開關S1的選擇，JFET DUT（待測器件）可以有兩種極性。外接電壓表連在右側的端子上。開關S2選擇兩種測量模式，一種是測截止電壓，另一個是測零漂漏極電流。在截止電壓模式下，外接電表直接讀出截止電壓值；而在零漂漏極電流模式，測得的電壓是一個100Ω視在電阻上面的零漂漏極電流。

圖2,在DUT源極電阻R1和R2之間做選擇，可以測量出截止電壓和零漂漏極電流。

　　S2在截止電壓模式時，R1使數(shù)微安的漏極電流流入待測JFET 器件，而源極電壓是負截止電壓值的高度近似。運放用作一個單位增益緩沖器，通過R3做負反饋，因此可以用外接電表直接讀出負的截止電壓值。

　　而在零漂漏極電流模式下，JFET源極到地的電阻只有10Ω，因此漏極電流是零漂漏極電流的一個高度近似。運放的反饋也轉換到增益為10的配置， 反饋分壓器包含了R4和R5.這個增益使電壓表能夠方便地讀出R2上的小電壓， 讀數(shù)值就是零漂漏極電流乘以100Ω。例如，如果電壓表讀數(shù)是1 V,則這個電壓相當于10mA的零漂漏極電流。

　　對于N溝道器件，兩個讀數(shù)都是正的；對于P溝道器件， 電路功能相同，區(qū)別只是電壓讀數(shù)為負值。如果用測試線和夾子將待測JFET與電路相連，這兩者都有一些寄生串聯(lián)電感，則可能需要增加一個C1,以抑制產(chǎn)生任何高頻振蕩的趨勢。R6將運放反饋回路與電壓表及其引線的任何寄生電容隔離開來，保證了回路的穩(wěn)定性。R7用于防止意外短路，可以用一只1.1kΩ電阻替代R4和R5.但你可能更愿意按圖中所示值，使用手邊的電阻。

　　從一組JFET中取一只樣品，通過開關轉換就可以快速地找到兩個參數(shù)，并確定每個JFET的參數(shù)落入圖1所示的哪個區(qū)間，從而選出可獲得電路性能的器件。