薄膜電容結構與紙質電容器相似，但用聚脂、聚苯乙烯等低損耗塑材作介質頻率特性好，介電損耗小不能做成大的容量，耐熱能力差濾波器、積分、振蕩、定時電路。

1、 聚酯（滌綸）電容（CL）

電容量：40p～4u

額定電壓：63～630V

主要特點：小體積，大容量，耐熱耐濕，穩(wěn)定性差

應用：對穩(wěn)定性和損耗要求不高的低頻電路

2、聚苯乙烯電容（CB）

電容量：10p～1u

額定電壓：100V～30KV

主要特點：穩(wěn)定，低損耗，體積較大

應用：對穩(wěn)定性和損耗要求較高的電路

3、聚丙烯電容（CBB）

電容量：1000p～10u

額定電壓：63～2000V

主要特點：性能與聚苯相似但體積小，穩(wěn)定性略差

應用：代替大部分聚苯或云母電容，用于要求較高的電路

三、鋁電解電容器

鋁電解電容器是由鋁圓筒做負極，里面裝有液體電解質，插入一片彎曲的鋁帶做正極而制成的電容器稱作鋁電解電容器。

用浸有糊狀電解質的吸水紙夾在兩條鋁箔中間卷繞而成，薄的化氧化膜作介質的電容器。因為氧化膜有單向導電性質，所以電解電容器具有極性。容量大，能耐受大的脈動電流，容量誤差大，泄漏電流大；普通的不適于在高頻和低溫下應用,不宜使用在25kHz以上頻率低頻旁路、信號耦合、電源濾波。

電容量：0.47～10000u

額定電壓：6.3～450V

主要特點：體積小，容量大，損耗大，漏電大

應用：電源濾波，低頻耦合，去耦，旁路等

四、鉭電解電容器（CA）

固體鉭電容器是1956年由美國貝樂試驗室首先研制成功的，它的性能優(yōu)異，是所有電容器中體積小而又  燒結型固體 電解質片狀鉭電容器能達到較大電容量的產(chǎn)品。

用燒結的鉭塊作正極,電解質使用固體二氧化錳溫度特性、頻率特性和可靠性均優(yōu)于普通電解電容器，特別是漏電流極小，貯存性良好，壽命長，容量誤差小，而且體積小，單位體積下能得到的電容電壓乘積對脈動電流的耐受能力差，若損壞易呈短路狀態(tài)超小型高可靠機件中。

電容量：0.1～1000u

額定電壓：6.3～125V

主要特點：損耗、漏電小于鋁電解電容

應用：在要求高的電路中代替鋁電解電容

五、獨石電容器

  多層陶瓷電容器)在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以電極槳材料，疊合后繞結成一塊不可分割的整體，外面再用樹脂包封而成小體積、大容量、高可靠和耐高溫的新型電容器，高介電常數(shù)的低頻獨石電容器也具有穩(wěn)定的性能，體積極小，Q值高容量誤差較大噪聲旁路、濾波器、積分、振蕩電路。

容量范圍：0.5PF～1UF

耐壓：二倍額定電壓。

電容量大、體積小、可靠性高、電容量穩(wěn)定，耐高溫耐濕性好等。

應用范圍：廣泛應用于電子精密儀器。各種小型電子設備作諧振、耦合、濾波、旁路。

六、紙質電容器

一般是用兩條鋁箔作為電極，中間以厚度為0.008～0.012mm的電容器紙隔開重疊卷繞而成。制造工藝簡單，價格便宜，能得到較大的電容量　

一般在低頻電路內，通常不能在高于3～4MHz的頻率上運用。油浸電容器的耐壓比普通紙質電容器高，穩(wěn)定性也好，適用于高壓電路。

七、微調電容器

微調電容實際上是一種可變電容器，只是容量變化范圍較小，通常只有幾皮法到幾十皮法。微調電容分為云母微調電容器、瓷介微調電容器、薄膜微調電容器、拉線微調電容器等多種。它常在各種調諧及振蕩電路中作為補償電容器或校正電容器使用。

電容量可在某一小范圍內調整，并可在調整后固定于某個電容值。 瓷介微調電容器的Q值高，體積也小，通常可分為圓管式及圓片式兩種。 云母和聚苯乙烯介質的通常都采用彈簧式東，結構簡單，但穩(wěn)定性較差。 線繞瓷介微調電容器是拆銅絲〈外電極〉來變動電容量的，故容量只能變小，不適合在需反復調試的場合使用。

1、空氣介質可變電容器

可變電容量：100～1500p

主要特點：損耗小，效率高；可根據(jù)要求制成直線式、直線波長式、直線頻率式及對數(shù)式等

應用：電子儀器，廣播電視設備等

2、薄膜介質可變電容器

可變電容量：15～550p

主要特點：體積小，重量輕；損耗比空氣介質的大

應用：通訊，廣播接收機等

3、薄膜介質微調電容器

可變電容量：1～29p

主要特點：損耗較大，體積小

應用：收錄機，電子儀器等電路作電路補償

4、陶瓷介質微調電容器

可變電容量：0.3～22p

主要特點：損耗較小，體積較小

應用：精密調諧的高頻振蕩回路

八、陶瓷電容器

 用高介電常數(shù)的電容器陶瓷〈鈦酸鋇一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質，并用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電極制成。它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。 具有小的正電容溫度系數(shù)的電容器，用于高穩(wěn)定振蕩回路中，作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用，或對穩(wěn)定性和損耗要求不高的場合〈包括高頻在內〉。這種電容器不宜使用在脈沖電路中，因為它們易于被脈沖電壓擊穿。高頻瓷介電容器適用于高頻電路。

九、玻璃釉電容器（CI）

 由一種濃度適于噴涂的特殊混合物噴涂成薄膜而成，介質再以銀層電極經(jīng)燒結而成"獨石"結構性能可與云母電容器媲美，能耐受各種氣候環(huán)境，一般可在200℃或更高溫度下工作，額定工作電壓可達500V，損耗tgδ0.0005～0.008

電容量：10p～0.1u

額定電壓：63～400V

主要特點：穩(wěn)定性較好，損耗小，耐高溫（200度）

應用：脈沖、耦合、旁路等電路