三星已經(jīng)連續(xù)推出兩代立體堆疊3D閃存，分別有24層、32層，并已用于850 EVO、850 Pro等多款固態(tài)硬盤產(chǎn)品，2015年8月正式量產(chǎn)首款可應(yīng)用于固態(tài)硬盤（SSD）中的48層3bit MLC 256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲(chǔ)器已經(jīng)出現(xiàn)在市場(chǎng)上了，TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)總算等到了大好機(jī)會(huì)先睹為快。

　　三星（Samsung）早在2015年8月就發(fā)布其256Gb的3位元多級(jí)單元（MLC） 3D V-NAND快閃存儲(chǔ)器K9AFGY8S0M，并強(qiáng)調(diào)將用于各種固態(tài)硬碟（SSD），也預(yù)計(jì)會(huì)在2016年初正式上市。這些承諾如今真的實(shí)現(xiàn)了，我們得以 在其2TB容量的T3系列mSATA可攜式SSD中發(fā)現(xiàn)其蹤影（如圖1）。

　　圖1：三星T3 2TB SSD

　　根據(jù)TechInsights的拆解，我們?cè)谶@個(gè)SSD上發(fā)現(xiàn)了內(nèi)含4個(gè)0.5TB容量K9DUB8S7M封裝的雙面電路板（如圖2）。每一封裝中包含的就是我們正想探索的16個(gè)48L V-NAND晶粒。

　　圖2：三星T3系列2TB SSD正面和背面電路板

　　圖3顯示這16顆晶粒相互堆疊以及采用傳統(tǒng)線鍵合技術(shù)連接的封裝橫截面。這些晶片的厚度僅40um，著實(shí)令人眼睛為之一亮，這或許是我們所見(jiàn)過(guò)的封裝中薄 的晶片了。相形之下，我們?cè)?014年拆解三星32L N-NAND中的晶粒約為110um，封裝約堆疊4個(gè)晶片的高度。

　　我們還看過(guò)其它較薄的存儲(chǔ)器晶片，包括海力士（Hynix）用于超微（AMD） R9 Fury X繪圖卡的HBM1存儲(chǔ)器，厚度約為50um，以及在三星以矽穿孔（TSV）互連4個(gè)堆疊晶片的DDR4，其中有些DRAM晶粒的厚度約為55um。

　　因此，40um真的是超薄！而且可能逼近于300mm直徑晶圓在無(wú)需使用承載晶圓（carrier wafer）所能實(shí)現(xiàn)的薄極限。這實(shí)在令人印象深刻。

　　圖3：16個(gè)相互堆疊的三星48L V-NAND

　　圖4顯示其中的一個(gè)256Gb晶粒，壓縮了2個(gè)5.9mm x 5.9mm的較大NAND快閃存儲(chǔ)器組（bank）。我們可以將整個(gè)晶片區(qū)域劃分為大約2，600Mb/mm2的存儲(chǔ)器大小，計(jì)算出存儲(chǔ)器密度總量。相形 之下，三星16nm節(jié)點(diǎn)的平面NAND快閃存儲(chǔ)器測(cè)量約為740MB/mm2。所以，盡管V-NAND采用較大的制程節(jié)點(diǎn)（~21nm vs. 16nm），其存儲(chǔ)器密度幾乎是16nm平面NAND快閃存儲(chǔ)器的3.5倍（見(jiàn)表1）。

　　圖4：三星256GB的V-NAND——K9AFGD8U0M

　　表1：平面與V-NAND的密度比較

　　我們的48L V-NAND分析才剛剛開(kāi)始。圖5是從存儲(chǔ)器陣列部份擷取的SEM橫截面，可以看到在此堆疊中有55個(gè)閘極層：48個(gè)NAND單元層、4個(gè)虛擬閘極、2個(gè) SSL和1個(gè)GSL。在2個(gè)V-NAND串聯(lián)（string）中，分別都有一個(gè)由電荷擷取層和金屬閘極圍繞的多晶矽環(huán)，可在高鎢填充的源極觸點(diǎn)之間看到。

　　圖5：48L V-NAND陣列的SEM橫截面

　　圖6是V-NAND string頂部的更高倍數(shù)放大圖。多晶矽環(huán)形（NAND string通道）頂部表面是由連接至疊加位元線的鎢位元線進(jìn)行接觸。金屬字元線、氧化阻障層和電荷擷取層環(huán)繞著多晶矽通道層。

　　圖6：V-NAND陣列的上半部份

　　我們現(xiàn)在還無(wú)法展示這個(gè)48L V-NAND陣列的精細(xì)結(jié)構(gòu)，因?yàn)槲覀兊膶?shí)驗(yàn)室才剛剛?cè)〉眠@款裝置。但是，目前可以提供一些在三星32L V-NAND中發(fā)現(xiàn)的特性（如圖7）作為參考。

　　形成NAND string通道的多晶矽環(huán)形，接觸從基板向上伸出的選擇性外延生長(zhǎng)（SEG）觸點(diǎn)。橫跨在基板頂部則作為相鄰源極線的選擇閘極。

　　多晶矽通道層外圍環(huán)繞著較薄的穿隧電介質(zhì)，這可能是由原子層沈積（ALD）而形成的。電荷擷取層（通常是氮化矽）與該穿隧電介質(zhì)接觸，并以氧化阻障層加以覆蓋，這也可能是由ALD形成的。阻障層氧化物與金屬閘極（字元線）環(huán)繞著電荷擷取層。

　　對(duì)于快閃存儲(chǔ)器來(lái)說(shuō)，電荷擷取層是一種相當(dāng)新穎的設(shè)計(jì)，因?yàn)樗ǔＪ遣捎枚嗑￠l來(lái)儲(chǔ)存電荷的。我們看到Spansion在其MirrirBit NOR快閃存儲(chǔ)器中采用了氧化矽擷取層，不過(guò)，三星可能在NAND快閃存儲(chǔ)器中使用電荷擷取層。

　　圖7：三星32L V-NAND的TEM橫截面

　　圖8：V-NAND string的TEM平面圖，可看到多個(gè)環(huán)形的分層

　　直到近，我們只看到三星V-NAND以獨(dú)立型SSD的形式出現(xiàn)，我們開(kāi)始猜測(cè)終出現(xiàn)在消費(fèi)產(chǎn)品之前還需要多長(zhǎng)時(shí)間。從我們?cè)诮衲?月的拆解來(lái)看，微軟 （Microsoft）已經(jīng)在其Surface Book和Surface Pro 4筆記型電腦中采用了128GB的V-NAND SSD，預(yù)計(jì)這一等待的時(shí)間也不會(huì)太久了。

　　我們也在智慧型手機(jī)中看到了這種快閃存儲(chǔ)器，而且認(rèn)為已經(jīng)在三星Galaxy S7（如圖9）的通用快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存（UFS） NAND快閃存儲(chǔ)器中使用了這種技術(shù)。相較于其上一代產(chǎn)品——eMMC類型的存儲(chǔ)器模組，據(jù)稱這種32GB的UFS 2.0存儲(chǔ)器的功耗更低、尺寸也更小。以往我們預(yù)期它會(huì)包含某種32L V-NAND，但這應(yīng)該不會(huì)發(fā)生了，因?yàn)槲覀儼l(fā)現(xiàn)他們改用16nm NAND快閃存儲(chǔ)器作為替代方案。

　　圖9：三星32GB UFS 2.0

　　圖10：三星16nm平面NAND快閃存儲(chǔ)器陣列

　　我們將持續(xù)追逐V-NAND在智慧型手機(jī)中的蹤影。由于三星曾經(jīng)在2014年首次推出32L V-NAND，也在2016年首次上市48L，預(yù)計(jì)三星將率先在手機(jī)中導(dǎo)入V-NAND。三星目前在韓國(guó)以及中國(guó)西安都已經(jīng)有V-NAND晶圓廠了，我們 認(rèn)為三星將更密切致力于V-NAND，平面NAND微縮也將很快地邁入尾聲。