隨著時間的推移，半導體材料的摻雜度以及對內(nèi)部裸片產(chǎn)生的物理應力都會發(fā)生變化，這會導致產(chǎn)品的參數(shù)值發(fā)生偏移。這些偏移可在新產(chǎn)品質(zhì)量過程中，通過測量生命周期測試過程中（在高溫爐中執(zhí)行的加速老化過程）的參數(shù)偏移進行量化。
　　125C 下 1000hrs 或 150C 下 300hrs 的典型生命周期測試持續(xù)時間可在室溫下確保至少 10 年的（不計算靜態(tài)自身發(fā)熱條件）。持續(xù)時間通過 Arrhenius 公式計算，這是一個簡單而非常的計算公式，用于描述給定過程的反應速度常數(shù)對溫度的依賴性：
　　過程速率 (PR) = Ae-(Ea/kT) Arrhenius 公式
　　這就引出了加速系數(shù) (AF) 概念，即兩個不同溫度下的過程速率之比，用于構建所需生命周期測試的持續(xù)時間：
　　AF (T1 至 T2) = PR(T1)/PR(T2) = e(Ea/k)(1/T1  -  1/T2)
　　其中：
　　A — 過程常量
　　Ea — 電子伏特的熱活化能量 [eV]
　　k — 玻爾茲曼常量，8.62 x 10-5 [eV/K]
　　T — 凱氏度數(shù)溫度（攝氏度 + 273.15）
　　我們可以根據(jù)實際產(chǎn)品生命周期結(jié)果鑒別兩種產(chǎn)品說明書參數(shù)，并對其各自的生命周期偏移進行量化：
　　以零或平均值（例如 Vos、Vos 漂移、Vref、AOL、CMRR 以及 PSRR 等）為中心的規(guī)范在 10 年生命周期中的可能偏移值達：
　　（）PDS 指定值的 +/-100%
　　以（例如 IQ、壓擺率以及 Isc 等）定義的規(guī)范在 10 年生命周期中的可能偏移值達：
　　（）PDS 指定值的 +/-10%
　　大部分產(chǎn)品說明書參數(shù)都遵循標準（高斯）分布規(guī)律，如圖 1 所示，68% 左右的值位于平均值 μ 的標準偏差 (+/-1-sigma) 范圍內(nèi)。同樣，95% 左右位于 +/-2-sigma 范圍內(nèi)，99.7% 左右位于 +/-3-sigma 的范圍內(nèi)，……。及 PDS 限值至少可根據(jù) 3sigma 分布設定，同樣，生命周期偏移也基于相同類型的統(tǒng)計分析。

　　圖 1* — 標準高斯分布

　　圖 2 是圍繞零或另一個平均值的參數(shù)的長期偏移。藍色初始分布曲線的 sigma 值是 0.5，而綠色生命周期末期分布曲線的 sigma 值為 1.0。

　　圖 2* — 生命周期前期及后期測試分布

　　因此，終分布范圍是初始分布范圍的兩倍。這就意味著初始值 10 年時間會從初始／產(chǎn)品說明書指定值偏移 +/-100%。
　　為了說明實際 IC 的生命周期偏移，讓我們考慮一下低噪聲、低漂移 REF5025 高電壓參考及其輸出初始規(guī)范的長期穩(wěn)定性。
　　圖 3 顯示了 REF5025 輸出電壓的初始 +/-0.05%，以及 50ppm 下指定 0 至 1000 小時的長期穩(wěn)定性。根據(jù)以上說明，REF5025 的長期偏移不能超過／初始 +/-100% 的生命周期測試偏移；因此在室溫恒定工作條件下，10 年（87,600 小時）后的輸出電壓偏移必須低于 +/-0.05% 或 +/-500ppm 的等效值。

　　圖 3 — 摘自 REF5025 產(chǎn)品說明書

　　長期偏移顯然不是時間的線性函數(shù)，而且不能同時滿足兩個條件，因此偏移速率必然為開始較高（具有更陡的斜率），然后隨時間變化逐漸變慢（變得更線性）。因此，其可通過針對 1000 小時進行標準化的平方根函數(shù)進行估計，如下圖 4 所示。
　　輸出電壓偏移 = 50ppm*√[時間（小時）/1000hrs]

　　圖 4 — REF5025 的長期穩(wěn)定性

　　例如，在經(jīng)過 25,000 小時不間斷現(xiàn)場工作后，REF5025 的典型輸出電壓偏移可用以上公式計算，50ppm*√25=250ppm，而 10 年（87,600 小時）后，偏移值則將為 50ppm*√87.6=468pp。因此在使用壽命末期，REF5025 輸出電壓偏移正如預計的那樣，在 500ppm 允許偏移范圍內(nèi)，等于產(chǎn)品說明書初始規(guī)范的 0.05%。