肖特基二極管的反向恢復(fù)過程解析
出處:衡麗電子 發(fā)布于:2020-10-21 14:40:40
肖特基二極管以發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名。
(Schottky Barrier Diode)是肖特基勢(shì)壘二極管的縮寫。
不同于一般二極管的P半導(dǎo)體和N半導(dǎo)體接觸形成,肖特基二極管是利用金屬和半導(dǎo)體接觸形成。
肖特基的兩個(gè)主要特點(diǎn),一個(gè)是正向?qū)▔航当容^低,一般在0.15~0.5V之間,導(dǎo)通壓降低可以提高系統(tǒng)的效率。
另一個(gè)特點(diǎn)是反向恢復(fù)時(shí)間短,一般在幾個(gè)納秒。
所以肖特基二極管一般用作高頻、大電流整流、低壓、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管等。
二極管從正向?qū)ǖ椒聪蚪刂褂幸粋€(gè)反向恢復(fù)的過程,而不是立即由導(dǎo)通到截止。

對(duì)上述的肖特基二極管上加電壓。
在0-t1時(shí)間內(nèi),給二極管加正的VF電壓,二極管導(dǎo)通,流過二極管的電流IF=(VF-VD)/RL,VD是二極管的導(dǎo)通壓降。
在t1后,將V1由VF改為-VR,理想條件下,二極管會(huì)立刻截止,反向電流IR很小。

但實(shí)際情況是,二極管并不是立刻截止,而是由正向IF變?yōu)橐粋€(gè)很大的反向電流IR=VR/RL,維持Ts時(shí)間后,IR再慢慢降低到一個(gè)很小的值,差不多是0.1倍IR,時(shí)間為Tt,這時(shí)的二極管才進(jìn)入反向截止?fàn)顟B(tài)。
通常把二極管從正向?qū)ㄞD(zhuǎn)為反向截止所經(jīng)過的轉(zhuǎn)換過程稱為反向恢復(fù)過程。
其中Ts稱為存儲(chǔ)時(shí)間,Tt稱為渡越時(shí)間,Ts+Tt稱為反向恢復(fù)時(shí)間。
由于反向恢復(fù)時(shí)間的存在,使二極管的開關(guān)速度受到限制。

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