德州儀器（TI）（納斯達(dá)克：TXN）今日推出了業(yè)界更小的采用四方扁平無(wú)引線封裝（QFN）的36V、4A電源模塊。TPSM53604 DC/DC降壓模塊5mm x 5.5mm的面積使工程師能夠?qū)⑵潆娫闯叽缈s小30%，同時(shí)將功率損耗減少到其他同類(lèi)模塊的50%。新電源模塊配有一個(gè)導(dǎo)熱墊來(lái)優(yōu)化熱傳遞，使工程師能夠簡(jiǎn)化電路板安裝和布局。
TPSM53604可在高達(dá)105°C的環(huán)境溫度下運(yùn)行，能夠支持工廠自動(dòng)化和控制、電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施、測(cè)試和測(cè)量、工業(yè)運(yùn)輸、航空航天和國(guó)防等領(lǐng)域的堅(jiān)固應(yīng)用。
通過(guò)將TPSM53604與緊湊的降壓模塊（如TPSM82813和TPSM82810）配對(duì)，工程師可以創(chuàng)建從24-V輸入一直到負(fù)載點(diǎn)的完整電源解決方案，同時(shí)限度地減少設(shè)計(jì)時(shí)間和精力。
TPSM53604的優(yōu)勢(shì)與特點(diǎn)
· 縮小并簡(jiǎn)化電源解決方案：其總面積為85mm2的單面布局是常見(jiàn)24V、4A工業(yè)應(yīng)用的更小解決方案。標(biāo)準(zhǔn)QFN封裝有助于簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，從而縮短上市時(shí)間。
· 實(shí)現(xiàn)高溫環(huán)境下的有效散熱：TPSM53604的QFN封裝面積的42%與電路板接觸，與另一種備選方案，即球柵陣列（BGA）封裝相比，能夠?qū)崿F(xiàn)更高效的熱傳遞。此外，該模塊的降壓轉(zhuǎn)換器集成了MOSFET和低漏極至源極電阻（RDS（on）），使24 V到5 V下的轉(zhuǎn)換效率能夠達(dá)到90%。
· 輕松達(dá)到EMI標(biāo)準(zhǔn)：TPSM53604的集成高頻旁路電容器和缺乏接合線有助于工程師滿(mǎn)足CISPR（國(guó)際無(wú)線電干擾特別委員會(huì)）11 B級(jí)限制規(guī)定的電磁干擾（EMI）標(biāo)準(zhǔn)。