電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的DV/DT驗(yàn)證
出處:網(wǎng)絡(luò)整理 發(fā)布于:2025-03-21 16:28:15
如果電機(jī)相(以下簡(jiǎn)稱DV/DT)的電壓的邊緣陡度太高,則可能會(huì)通過電動(dòng)機(jī)繞組的部分放電造成繞組的損害。該行業(yè)中廣泛使用的極限值為5 kV/μs。限制值必須遵守并檢查以保護(hù)電動(dòng)機(jī)。雖然這通常是在開發(fā)過程中通過實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行雙脈沖測(cè)試在開發(fā)過程中執(zhí)行的,但本文重點(diǎn)介紹了在實(shí)際操作條件下終應(yīng)用的測(cè)試。
重要的是要了解一個(gè)階段當(dāng)前時(shí)期內(nèi)有許多不同的邊緣。在50 Hz相電流和2 kHz開關(guān)頻率下,有80個(gè)不同的邊緣,包括40個(gè)正和40個(gè)負(fù)。在16 kHz時(shí),已經(jīng)有640個(gè)邊緣需要針對(duì)每個(gè)負(fù)載條件進(jìn)行評(píng)估。因此,需要快速測(cè)量方法,因?yàn)閷?duì)時(shí)間域中每個(gè)單個(gè)邊緣的手動(dòng)評(píng)估太耗時(shí)了。
邊緣及其分布在相位周期內(nèi)的陡度主要取決于功率半導(dǎo)體及其門電阻。其他次要影響因素包括電動(dòng)機(jī)負(fù)荷,耗盡時(shí)間(軟切換),相位電流方向,相位電流幅度,功率因數(shù),PWM類型(脈沖寬度調(diào)制),二極管snappiness,電纜的類型和長度,半導(dǎo)體的溫度,半導(dǎo)體的溫度以及電路板和電動(dòng)板和電源模塊的布局。
如何確定DV/DT?
以示波器記錄以下兩個(gè)參數(shù):
a)相電流
b)切換相電壓

進(jìn)入振幅域的轉(zhuǎn)換具有直接在y軸上讀取結(jié)果的優(yōu)點(diǎn)。因此,不再需要對(duì)時(shí)間域中每個(gè)邊緣的費(fèi)力評(píng)估。
數(shù)學(xué)頻道的公式:
\ [\ frac {kv} {\ mu s} = derivative(phase \,電壓)\ times10^{ - 9} s \]
選擇測(cè)量周期很有用,以便在示波器上完全顯示相位電流的一個(gè)完整周期。這意味著可以將特定操作狀態(tài)的所有邊緣記錄在單鏡頭中。
評(píng)估測(cè)量結(jié)果
DV/DT可以直接從數(shù)學(xué)頻道讀取。無論一個(gè)周期的所有邊緣都在設(shè)定的限制之內(nèi)還是超過限制值(圖2中的綠色尖峰),都可以看一見。

圖像由Bodo的Power Systems
CH2 =相電流
MC = DV/DT
如果將5 kV/μs的極限值作為上述示例中的參考,則可以立即看到該極限值已顯著超過相位電流的零交叉面積。
圖3和4顯示了(a)下降和(b)上升邊緣的特寫鏡頭。您可以清楚地看到DV/DT計(jì)算如何映射真正的邊緣。

圖像由Bodo的Power Systems [PDF]提供

CH2 =相電流
MC = DV/DT

圖像由Bodo的Power Systems [PDF]提供

CH2 =相電流
MC = DV/DT
邊緣/IGBT分配
如果邊緣陡度太高,則必須對(duì)其進(jìn)行優(yōu)化。在簡(jiǎn)單的情況下,可以調(diào)整門電阻。為了優(yōu)化,每個(gè)陡峭的邊緣都必須分配給負(fù)責(zé)任的IGBT(絕緣柵極雙極晶體管)及其開關(guān)方向。簡(jiǎn)單地說:您必須知道HS(高側(cè))還是LS(低側(cè))IGBT負(fù)責(zé),以及當(dāng)前是否正在打開或關(guān)閉它。分配需要(a)相位電流方向和(b)DV/DT方向的情況分化。
下表列出了正確的分配:

表1。 負(fù)責(zé)的IGBT的分配表到邊緣。圖像由Bodo的Power Systems [PDF]提供圖5以圖形形式說明了上表的內(nèi)容。

圖5。 圖形表示:負(fù)責(zé)的IGBT分配到相應(yīng)的邊緣。圖像由Bodo的Power Systems [PDF]提供下面給出了一個(gè)實(shí)際的例子。圖6說明了平面PWM開關(guān)逆變器的IGBT的分配。


CH2 =相電流
MC = DV/DT
橙色箭頭:dv/dt =正&階段電流=陽性=>打開HS IGBT紫色箭頭:DV/DT =負(fù)&階段電流=負(fù)=>打開LS IGBTTurquoise Arrow:DV/DT =負(fù)和相位電流=陽性=>關(guān)閉HS IGBT綠色箭頭:沒有邊緣;即,這是來自相鄰階段的陡峭的電容耦合。
注意:隨著電動(dòng)機(jī)相之間的快速邊緣和高電容耦合,發(fā)生了串?dāng)_現(xiàn)象。這些通過相電壓的陡峭脈沖可見,因此也通過此處介紹的方法評(píng)估。但是,這并不是至關(guān)重要的,因?yàn)槌鲇谖锢碓颍當(dāng)_現(xiàn)象不能比邊緣本身更陡峭。如有疑問,縮放進(jìn)行測(cè)量將提供有關(guān)它是邊緣還是串?dāng)_現(xiàn)象的信息。
表1中的等效電路圖的注釋
為相位的半橋繪制等效電路圖可以簡(jiǎn)化對(duì)換向行為的解釋,因?yàn)槊總€(gè)等效電路圖僅包含一個(gè)活動(dòng)的IGBT。如果相位電流為正,則相位的半橋作為降壓階段,如果相位電流為負(fù),則作為增強(qiáng)階段。因此,一個(gè)相的半橋可以分解為兩個(gè)等效電路圖,即分為(a)降壓階段和(b)增強(qiáng)階段。這樣,二極管模擬了相反的IGBT的抗平行二極管,該二極管在死亡時(shí)間內(nèi)始終是導(dǎo)電性的。 (前提條件:非間隙操作,幾乎總是存在于逆變器操作中)。
提高測(cè)量質(zhì)量必須克服許多障礙才能取得良好的結(jié)果,因?yàn)橛?jì)算出的DV/DT的質(zhì)量和準(zhǔn)確性在很大程度上取決于數(shù)學(xué)通道的噪聲。它發(fā)生在計(jì)算過程中,而不是信號(hào)噪聲!
注意:計(jì)算出的DV/DT的準(zhǔn)確性很大程度上取決于噪聲。
計(jì)算的DV/DT =(DV +噪聲)÷DT
為了適當(dāng)?shù)慕Y(jié)果,噪聲必須明顯小于開關(guān)邊緣的DV/DT(信噪比)。因此,重要的是要知道噪聲的來源以及如何將其保持在限度。

以下比較說明了較高的AD分辨率和更長的采樣時(shí)間如何減少噪聲。比較以下測(cè)量設(shè)置:
a)15位AD分辨率 / 8 NS采樣時(shí)間(圖8)
b)8位AD分辨率 / 2 NS采樣時(shí)間(圖9)
圖8顯示,高廣告分辨率(15位)和長采樣時(shí)間(8 ns)導(dǎo)致低噪聲。


CH1 =針對(duì)DC的相電壓
CH2 =相電流(過濾)
MC = DV/DT
圖9顯示,低的AD分辨率(8位)和短采樣時(shí)間(2 ns)導(dǎo)致高噪聲。噪聲的差異清晰可見。在圖9中,噪聲甚至高于經(jīng)常使用的極限值(> 5kV/μs),因此對(duì)于此限值測(cè)量值是無法使用的。

圖9。 具有8位 / 2 NS的高噪聲
CH1 =針對(duì)DC的相電壓
CH2 =相電流(過濾)
MC = DV/DT
數(shù)學(xué)頻道中的噪音在哪里?
原因本質(zhì)上是示波器AD轉(zhuǎn)換器的量化噪聲。它會(huì)導(dǎo)致高頻振幅誤差。它在數(shù)學(xué)通道的分化過程中導(dǎo)致DV/DT誤差。數(shù)學(xué)通道中的噪聲是所有DV/DT誤差的序列,并且量化誤差(AD分辨率和測(cè)量范圍)越大,并且采樣時(shí)間越短(速率)。
選擇合理的抽樣時(shí)間
隨著采樣率的增加,噪聲增加,結(jié)果質(zhì)量降低。
因此,有必要選擇合理的采樣時(shí)間。采樣時(shí)間必須(a)足夠長以保持噪聲足夠低,并且(b)足夠短,以確保用足夠的分辨率對(duì)邊緣進(jìn)行采樣。
一個(gè)良好的妥協(xié)是選擇一個(gè)抽樣時(shí)間,該抽樣時(shí)間在邊緣內(nèi)創(chuàng)建大約3個(gè)測(cè)量段(4個(gè)樣本)。
例如,在32 ns邊緣時(shí)間(80% / 20%)的采樣率應(yīng)約為8 ns。
這在圖10中說明了。光標(biāo)之間的時(shí)間對(duì)應(yīng)于8 ns,因此等于明智的采樣時(shí)間。在邊緣內(nèi)測(cè)量了三個(gè)不同的部分。邊緣采樣得很好。這是采樣時(shí)間和噪聲之間的良好折衷,并導(dǎo)致良好的信噪比。


圖10。 邊緣長度v。抽樣時(shí)間
CH1 =相電壓
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