測(cè)量半導(dǎo)體中電子和空穴的有效質(zhì)量

霍爾效應(yīng)確定了電子和空穴的遷移率，霍爾效應(yīng)包括使半導(dǎo)體處于均勻的靜磁場(chǎng)中。為了測(cè)量載流子的有效質(zhì)量，除了靜磁場(chǎng)之外，還應(yīng)用射頻電磁場(chǎng)來推廣該技術(shù)。　　為了使實(shí)驗(yàn)...

分類：電子測(cè)量 時(shí)間：2024-10-31 閱讀：467 關(guān)鍵詞：半導(dǎo)體

p-GaN HEMT功率器件漏柵過壓失效機(jī)理分析

漏極過電壓應(yīng)力　　在開關(guān)轉(zhuǎn)換期間，功率轉(zhuǎn)換器中可能會(huì)出現(xiàn)漏極過電壓。有多種因素會(huì)影響這些過沖的嚴(yán)重程度，包括正在切換的電流的轉(zhuǎn)換率 (dI/dt) 以及與封裝和外部連接...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2024-10-31 閱讀：577 關(guān)鍵詞：p-GaN HEMT功率器件

了解 E 類放大器中的開關(guān)損耗

非零上升時(shí)間造成的損耗　　圖 1 顯示了 E 類功率放大器的典型開關(guān)波形。　　在 E 類放大器中切換電流和電壓波形。　　圖 1.E 類放大器中的典型開關(guān)電流 （頂部） 和電壓 ...

分類：模擬技術(shù) 時(shí)間：2024-10-31 閱讀：340

可關(guān)斷晶閘管(GTO)的結(jié)構(gòu)

1.結(jié)構(gòu)　　可關(guān)斷晶閘管簡稱 GTO,它是晶閘管的一種,具有普通晶閘管的全部優(yōu)點(diǎn),如耐壓髙、電流大等。同時(shí)，它又是全控型器件，即在控制極加正脈沖電流使其觸發(fā)導(dǎo)通，加負(fù)脈...

分類：基礎(chǔ)電子 時(shí)間：2024-10-30 閱讀：726 關(guān)鍵詞：可關(guān)斷晶閘管

超聲波傳感器檢測(cè)流量

工業(yè)生產(chǎn)中，經(jīng)常會(huì)使用各種密閉容器存儲(chǔ)和運(yùn)輸高溫、有、易揮發(fā)、易燃、易爆、強(qiáng)腐蝕性等液體介質(zhì)，對(duì)這些容器或管道的流是檢測(cè)必須使用非接觸測(cè)量，一般采用超聲波傳感器...

分類：電子測(cè)量 時(shí)間：2024-10-29 閱讀：427 關(guān)鍵詞：超聲波傳感器

單總線數(shù)字溫度傳感器 DS18B20 的檢測(cè)

1、引腳間電阻值　　用MF-47型指針式萬用表Rx1k擋測(cè)單總線數(shù)字溫度傳感器DSI8B20各引腳之間的電阻值見表 10-2。　　用MF-47型指針式萬用表Rx1k擋測(cè)單總線數(shù)字溫度傳感器DSI...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2024-10-29 閱讀：399

多位真空熒光顯示器檢測(cè)應(yīng)用

一個(gè)真空熒光顯示器能顯示一位數(shù)字，若需要同時(shí)顯示多位數(shù)字或字符，可使用多位真空熒光顯示器。圖13-25(a)所示為四位真空熒光顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖　　圖13-25中的真空熒光...

分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2024-10-28 閱讀：1487 關(guān)鍵詞：真空熒光顯示器

二極管的單向?qū)щ娦院头蔡匦郧€說明

單向?qū)щ娦哉f明　　下面通過分析圖4-3中的兩個(gè)電路來說明二極管的性質(zhì)。在圖4-3(a)電路中，當(dāng)閉合開關(guān)S后，發(fā)現(xiàn)燈泡會(huì)發(fā)光，表明有電流流過二極管，二極管導(dǎo)通;而在圖4-3(b...

分類：基礎(chǔ)電子 時(shí)間：2024-10-28 閱讀：597 關(guān)鍵詞：二極管

集成電路的檢測(cè)開路測(cè)量電阻法

集威電路型號(hào)很多，內(nèi)部電路千變?nèi)f化，故檢測(cè)集成電路的好壞較為復(fù)雜。下面介紹一些常用的集成電路的好壞檢測(cè)方法。　 開路測(cè)量電阻法　　開路測(cè)量電阻法是指在集成電路未...

分類：電子測(cè)量 時(shí)間：2024-10-28 閱讀：534 關(guān)鍵詞：集成電路

RS485總線節(jié)點(diǎn)的過壓保護(hù)

穩(wěn)健性和可靠性使 RS-485 在過去 40 年中成為工業(yè)主力。其最小 1.5V 的大差分信號(hào)擺幅以及在 -7V 至 +12V 的寬共模電壓范圍內(nèi)的可靠運(yùn)行，推動(dòng)了 RS-485 的廣泛部署。 RS-4...

分類：安防監(jiān)控 時(shí)間：2024-10-25 閱讀：658

適用于工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用的高效可靠電源解決方案

LinkSwitch-TN2 采用專有的 BCDMOS 工藝制造，該工藝將高壓功率 MOSFET開關(guān)與低功耗開關(guān)控制器相結(jié)合，能夠支持多種拓?fù)洌ǜ邆?cè)和低側(cè)降壓、降壓-升壓和反激式。 MOSFET...

分類：工業(yè)電子 時(shí)間：2024-10-25 閱讀：473 關(guān)鍵詞：工業(yè)

QSPICE：壓控開關(guān)

QSPICE 有許多 FET、MOSFET 和晶體管，但有時(shí)需要模擬在特定時(shí)間或特定條件下打開和關(guān)閉的簡單開關(guān)。如圖 1 所示，壓控開關(guān)是一種普通開關(guān)，由兩個(gè)引腳組成，另外還有兩個(gè)...

分類：模擬技術(shù) 時(shí)間：2024-10-24 閱讀：883 關(guān)鍵詞：壓控開關(guān)

仿真器：溫度分析

溫度也會(huì)影響電路的行為。特別是，環(huán)境溫度（代表設(shè)備所在周圍環(huán)境的空氣溫度）起著至關(guān)重要的作用。該溫度以攝氏度 (°C)、開爾文 (K) 或華氏度 (°F) 為單位，并且根據(jù)氣...

分類：模擬技術(shù) 時(shí)間：2024-10-24 閱讀：446 關(guān)鍵詞：仿真器

低 Q E 類放大器中的諧波抑制

這些方程依賴于負(fù)載網(wǎng)絡(luò)的品質(zhì)因數(shù) ( Q ) 足夠高，以確保開關(guān)頻率下的正弦輸出電流。否則，基本設(shè)計(jì)方程可能無法產(chǎn)生最佳性能所需的零電壓和零導(dǎo)數(shù)開關(guān)條件。　　Q的實(shí)際范...

分類：模擬技術(shù) 時(shí)間：2024-10-24 閱讀：734 關(guān)鍵詞：放大器

設(shè)計(jì)高壓 SiC 電池?cái)嗦烽_關(guān)

由單相或三相電網(wǎng)電源或儲(chǔ)能系統(tǒng)(ESS) 供電的直流母線電壓為 400 V 或更高的電氣系統(tǒng)可以通過固態(tài)電路保護(hù)來增強(qiáng)其可靠性和彈性。設(shè)計(jì)高壓固態(tài)電池?cái)嗦烽_關(guān)時(shí)，需要考慮幾...

時(shí)間：2024-10-23 閱讀：617 關(guān)鍵詞：SiC 電池

碳化硅肖特基二極管的設(shè)計(jì)與優(yōu)化

為什么 SiC 功率芯片更小？　　功率芯片的大小直接由單位面積的導(dǎo)通電阻決定，而導(dǎo)通電阻主要由作為功能層的外延層的電阻主導(dǎo)。為了最小化器件的導(dǎo)通電阻，必須增加外延層...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2024-10-22 閱讀：660 關(guān)鍵詞：碳化硅肖特基二極管

高頻運(yùn)行的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的效率和損耗

電動(dòng)發(fā)電機(jī)測(cè)試平臺(tái)　　使用兩種不同的設(shè)置來探索電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中高開關(guān)頻率的好處。第一個(gè)電動(dòng)發(fā)電機(jī)平臺(tái)基于電鉆電機(jī)，而第二個(gè)平臺(tái)則采用無芯電機(jī)。　　范圍電機(jī)定子鐵芯無...

分類：工業(yè)電子 時(shí)間：2024-10-22 閱讀：379 關(guān)鍵詞：電機(jī)驅(qū)動(dòng)器