在兩種穩(wěn)定狀態(tài)之間手動切換可能會產(chǎn)生雙穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器電路，但不太實用。下面顯示了僅使用一個觸發(fā)脈沖在兩種狀態(tài)之間切換的一種方法。 順序切換 兩種狀態(tài)之間...
分類：電源技術(shù) 時間：2023-06-21 閱讀：2416 關(guān)鍵詞：雙穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器
引腳1。 – 接地，接地引腳將555 定時器連接到負(0v) 電源軌。 引腳 2。 – 觸發(fā)器，比較器 1 的負輸入。當(dāng)電壓降至 1/3Vcc 以下時，該引腳上的負脈沖“設(shè)置”內(nèi)部觸發(fā)器...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-06-21 閱讀：941
如果我們知道電阻器兩端的電壓值和流過電阻器的電流值，則上述功率三角形非常適合計算電阻器中消耗的功率。但是我們也可以使用歐姆定律計算電阻消耗的功率。 歐姆定律允...
電池監(jiān)控器/保護器是負責(zé)檢測電池電壓、電流和溫度的 IC。然后將這些測量值發(fā)送到電量計，電量計根據(jù)這些讀數(shù)估算電池的 SOC。 由于電池監(jiān)測器（Battery Monitor，BM）...
分類：安防監(jiān)控 時間：2023-06-21 閱讀：2480 關(guān)鍵詞：電池監(jiān)視器
兩塊板來展示我們的UCC12051-Q1隔離式直流/直流轉(zhuǎn)換器的輻射性能與 CISPR 25 5 類限制的對比。該轉(zhuǎn)換器專為 5V 輸入和 5V 輸出而設(shè)計，負載為 100mA，帶有典型的電池線路電...
分類：電源技術(shù) 時間：2023-06-21 閱讀：2090 關(guān)鍵詞： DC/DC 轉(zhuǎn)換器
規(guī)范描述了 Type-C 上行端口 (UFP) 如何在配置通道引腳 CC1 和 CC2 上應(yīng)用下拉電阻 (R d ) 以表示它是一個設(shè)備， Type- C 下游端口 (DFP) 需要在 CC1 和 CC2 上具有上拉電阻 (R p )。生成的電阻分壓器用于確定 Type-...
分類：電子測量 時間：2023-06-20 閱讀：1189 關(guān)鍵詞：Type-C
雙向電平轉(zhuǎn)換必須在兩個方向上進行。最簡單的方法使用 MOSFET，如圖 3 所示，并在應(yīng)用筆記AN10441中進行了更詳細的描述。盡管 100kHz 至 400kHz 通信標準可接受 MOSFET 電...
在此電路布置中，增強型 N 溝道 MOSFET 用于將簡單的燈“打開”和“關(guān)閉”（也可以是 LED）。 柵極輸入電壓V GS被帶到適當(dāng)?shù)恼妷弘娖揭源蜷_設(shè)備，因此燈負載“打開”...
時間：2023-06-20 閱讀：1158 關(guān)鍵詞：MOSFET
AND 函數(shù)的開關(guān)表示 邏輯與功能 在這里，兩個開關(guān)A和B連接在一起形成串聯(lián)電路。因此，在上面的電路中，開關(guān)A 和開關(guān)B都必須閉合（邏輯“1”）才能點亮燈。換句話說，...
時間：2023-06-20 閱讀：1219 關(guān)鍵詞：AND 函數(shù)
需要一個 5.5 伏、1.5 法拉的超級電容器作為電子電路的能量存儲備用設(shè)備。如果超級電容器由單個 2.75v、0.5F 電池制成，請計算所需的電池數(shù)量和陣列布局。 超級電容電壓...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-06-20 閱讀：835 關(guān)鍵詞：超級電容器
上面晶體阻抗的斜率表明，隨著頻率在其端子上的增加。在特定頻率下，串聯(lián)電容器Cs和電感器Ls之間的相互作用會產(chǎn)生串聯(lián)諧振電路，將晶體阻抗降至最低并等于Rs。該頻率點稱為...
既然我們已經(jīng)了解了電容器充電和放電電流的對立不僅取決于其電容值，還取決于電源頻率，讓我們看看這如何影響兩個串聯(lián)連接的電容器，形成電容分壓器電路。 電容式分壓器...
如果 f OSC太低，開關(guān)系統(tǒng)會缺電，這表現(xiàn)為提供負載電流的能力降低——換句話說，表現(xiàn)為更高的輸出電阻。事實上，理想化開關(guān)電容電路的輸出電阻與振蕩器頻率（以及 C1 的值...
時間：2023-06-19 閱讀：890 關(guān)鍵詞：開關(guān)電容
除了令人難以置信的簡單性和可編程分辨率外，香農(nóng)解碼器 DAC (SD) 的主要屬性是速度，只需 nT 秒即可將串行 n 位數(shù)字流轉(zhuǎn)換為模擬信號，其中 T = 1 位時間。 當(dāng)然，“nT...
在模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 將其數(shù)字化以供微控制器運行算法以補償其包含的任何非線性之前，AFE 會放大和調(diào)節(jié)低振幅 RTD 信號。這通過通信接口將數(shù)字輸出發(fā)送到過程控制器。 AFE ...
使用 GaN FET 器件實現(xiàn)的高效升壓電路示例
氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 是下一代射頻功率晶體管技術(shù)的一部分，它們是新型高頻器件，它們是遷移率更高，允許以最小的功耗和更低的傳導(dǎo)損耗傳輸高電流率。 ...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-06-16 閱讀：657 關(guān)鍵詞： GaN FET 器件
并聯(lián)電阻器在電路中的例子 例子一 這種倒數(shù)計算方法可用于計算在單個并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)中連接在一起的任意數(shù)量的單個電阻。 然而，如果只有兩個并聯(lián)的獨立電阻器，那么我們...
分類：電源技術(shù) 時間：2023-06-16 閱讀：2063 關(guān)鍵詞：并聯(lián)電阻器
