本例介紹的開(kāi)關(guān)直流穩(wěn)壓電源電路，采用TWH8778型電子開(kāi)關(guān)集成電路，具有電路簡(jiǎn)單、容易制作、工作效率高等特點(diǎn)，其輸出電壓為+l2V，輸出電流為lA。
　　電路工作原理
　　核開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源電路由輸人變換電路、開(kāi)關(guān)輸出電路和自動(dòng)穩(wěn)壓電路組成，如圖5-39所示。

　　輸入變換電路由電源開(kāi)關(guān)S、電源變壓器T、整流二極管VDl-VD4和濾波電容器Cl組成。
　　開(kāi)關(guān)輸出電路由電子開(kāi)關(guān)集成電路IC、電阻器Rl、R2、二極管VD5、電感器L、電容器C2、C3組成。
　　自動(dòng)穩(wěn)壓電路由電阻器R3-R5、電位器RP、晶體管V、二極管VD6、電容器C4和穩(wěn)壓二極管VS組成。
　　接通S，交流220V電壓經(jīng)T降壓、VDl-VD4整流及Cl濾波后，一路直接加至IC的l腳;另一路經(jīng)Rl和昭加至V的發(fā)射極，使V飽和導(dǎo)通，其集電極輸出1·6V以上的控制電壓。該電壓加至IC的5腳 (控制端)，使L內(nèi)部的電子開(kāi)關(guān)導(dǎo)通。
　　lC內(nèi)部的電子開(kāi)關(guān)導(dǎo)通后，其2、3腳 (輸出端)有電壓輸出。隨著L中電流的不斷增加，輸出電壓迅速上升，一方面為負(fù)載供電，另一方面為C4充電。
　　當(dāng)輸出電壓超過(guò)6V時(shí)，VS擊穿導(dǎo)通，流過(guò)R3的電流開(kāi)始增加。由于R3兩端的電壓降增大，使V的基極電流開(kāi)始下降，當(dāng)輸出電壓達(dá)到l2V時(shí)，V由導(dǎo)通狀態(tài)變?yōu)榉糯鬆顟B(tài)。當(dāng)輸出電壓超過(guò)l2V時(shí)，V發(fā)射結(jié) (b ,e極之間)的電壓降低，使集電極的輸出電壓下降至1·6V以下，IC內(nèi)部的電子開(kāi)關(guān)截止。由于和C2的儲(chǔ)能作用，在IC截止后，L中電流不能突變，在L兩端產(chǎn)生極性相反的電壓，使續(xù)流二極管VD5導(dǎo)通，維持對(duì)負(fù)載供電。隨著L中電流的不斷減小及C2放電電流的不斷增大，輸出電壓開(kāi)始下降。當(dāng)輸出電壓降至l2V時(shí)，V集電極的輸出電壓又升至1·6V以上，IC內(nèi)部的電子開(kāi)關(guān)又再次導(dǎo)通。如此周而復(fù)始，使IC處于開(kāi)關(guān)振蕩狀態(tài)，輸出電壓穩(wěn)定為+l2V。
　　元器件選擇
　　Rl選用1/2W金屬膜電阻器;R2-R5均選用1/4W金屬膜電阻器。
　　Rp選用膜式可變電阻器。
　　Cl選用耐壓值為25V的鋁電解電容器;C2和C4均選用耐壓值為l6V的鋁電解電容器;
　　C3選用高頻瓷介電容器。
　　VDl-VD5選用1N4004或1N4007型硅整流二極管;VD6選用1N4148型硅開(kāi)關(guān)二極管或2CPlO型硅普通二極管。
　　VS選用2CWl3或2CW54(6V、0·4W)的硅穩(wěn)壓二極管。

　　V選用C8550或"3CG8550、3CG2l型硅PNP晶體管。
　　L用φ0，64-φ0·72mm的漆包線在 "I"形磁心上繞45匝，使電感量約1·26mH即可。
　　T選用10-2OW、二次電壓為l5V的電源變壓器。
　　IC選用們WH8778型電子開(kāi)關(guān)集成電路。
　　S選用250V、觸頭電流負(fù)荷為SA的電源開(kāi)關(guān)。