金屬接近開關
出處：zmmhmily 發(fā)布于：2008-09-14 00:00:00 | 3478 次閱讀
金屬接近開關是工業(yè)領域廣泛使用的一種自動控制電子開關，它在有金屬物體靠近檢測探頭時，電子開關接通;當金屬物體遠離檢測探頭時，電子開關關閉。
電路工作原理
該金屬接近開關電路由高頻振蕩器電路、倍壓整流電路和電子開關電路組成，如圖8-131所示。
高頻振蕩器電路由高頻變壓器T、電位器RPl、電阻器Rl-R3、電容器Cl-C3和晶體管Vl組成。
倍壓整流電路由二極管VDl與VD2、電容器C4和電阻器R4組成。
電子開關電路由晶體管V2與V3、電位器Rm、光耦合器VLC和電阻器R5、R6組成。
高頻變壓器T作為檢測探頭對金屬物體進行檢測。在金屬物體未靠近檢測探頭時，高頻振蕩器振蕩工作，其輸出的振蕩信號經倍壓整流電路倍壓整流后，產生一直流電壓使V2飽和導通，V3和VLC截止，電子開關處于關閉狀態(tài)。當有金屬物體靠近檢測探頭時，將產生渦流損耗，使高頻振蕩器停振，V2因基極的百流電壓消失而截止，V3導通，VLC內部的發(fā)光二極管點亮，當光敏晶體管導通，電子開關處于接通狀態(tài)。
調節(jié)RPl和RP2的阻值，可改變探測距離及探測靈敏度。
元器件選擇
Rl-R6選用1/4W的金屬膜電阻器或碳膜電阻器。
RP1選用有機實心電位器或可變電阻器;RP2選用合成碳膜電位器或可變電阻器。
Cl、C2和C4均選用獨石電容器;C3選用高頻瓷介電容器。
VDl和VD2均選用1N4148型硅開關二極管。
Vl和V2選用S9013或3DG6型硅NPN晶體管;V3選用S8050型硅NPN晶體管。
VLC選用4N25或4N26型光輛合器。
T使用φ5mmx4mm的磁心和φO.12mm的漆包線繞制:Wl繞25匝，W2繞11匝，W3繞60匝。
電路工作原理
該金屬接近開關電路由高頻振蕩器電路、倍壓整流電路和電子開關電路組成，如圖8-131所示。
高頻振蕩器電路由高頻變壓器T、電位器RPl、電阻器Rl-R3、電容器Cl-C3和晶體管Vl組成。
倍壓整流電路由二極管VDl與VD2、電容器C4和電阻器R4組成。
電子開關電路由晶體管V2與V3、電位器Rm、光耦合器VLC和電阻器R5、R6組成。
高頻變壓器T作為檢測探頭對金屬物體進行檢測。在金屬物體未靠近檢測探頭時，高頻振蕩器振蕩工作，其輸出的振蕩信號經倍壓整流電路倍壓整流后，產生一直流電壓使V2飽和導通，V3和VLC截止，電子開關處于關閉狀態(tài)。當有金屬物體靠近檢測探頭時，將產生渦流損耗，使高頻振蕩器停振，V2因基極的百流電壓消失而截止，V3導通，VLC內部的發(fā)光二極管點亮，當光敏晶體管導通，電子開關處于接通狀態(tài)。
調節(jié)RPl和RP2的阻值，可改變探測距離及探測靈敏度。
元器件選擇
Rl-R6選用1/4W的金屬膜電阻器或碳膜電阻器。
RP1選用有機實心電位器或可變電阻器;RP2選用合成碳膜電位器或可變電阻器。
Cl、C2和C4均選用獨石電容器;C3選用高頻瓷介電容器。
VDl和VD2均選用1N4148型硅開關二極管。
Vl和V2選用S9013或3DG6型硅NPN晶體管;V3選用S8050型硅NPN晶體管。
VLC選用4N25或4N26型光輛合器。
T使用φ5mmx4mm的磁心和φO.12mm的漆包線繞制:Wl繞25匝，W2繞11匝，W3繞60匝。
1次
上一篇：光控安全開關
下一篇：一種可控硅交流開關電路圖
版權與免責聲明
凡本網注明“出處：維庫電子市場網”的所有作品，版權均屬于維庫電子市場網，轉載請必須注明維庫電子市場網，http://hbjingang.com，違反者本網將追究相關法律責任。
本網轉載并注明自其它出處的作品，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網贊同其觀點或證實其內容的真實性，不承擔此類作品侵權行為的直接責任及連帶責任。其他媒體、網站或個人從本網轉載時，必須保留本網注明的作品出處，并自負版權等法律責任。
如涉及作品內容、版權等問題，請在作品發(fā)表之日起一周內與本網聯(lián)系，否則視為放棄相關權利。
廣告
熱門電路圖
最新電路圖
