記憶增強器 一
出處：tyrone3000 發(fā)布于：2008-09-19 00:00:00 | 2939 次閱讀
本例介紹一款采用CD4069數(shù)字集成電路制作的記憶增強器，它除具有記憶增強和助聽功能外，還具有催眠作用。
電路工作原理
該記憶增強器電路由低頻振蕩器、負(fù)反饋放大器和傳聲器BM、轉(zhuǎn)換開關(guān)S、耳機插座XS等組成，如圖9-75所示。
低頻振蕩器由六非門集成電路IC(Dl-D6)內(nèi)部的非門D5、D6和電阻器R3、電容器C2組成。
負(fù)反饋放大器由IC內(nèi)Dl-D4和電阻器R2組成。
作為助聽器或記憶增強器使用時，可將S置于"1"位置，此時BM將拾取的聲音信號轉(zhuǎn)換為電信號后，再經(jīng)S、Cl和Rl送人負(fù)反饋放大器進行高增益放大，放大后的音頻信號通過外接耳機還原出聲音。
作為催眠器使用時，可將S置于"2"位置。此時低頻振蕩器產(chǎn)生的低頻振蕩信號經(jīng)負(fù)反饋放大器放大后，通過外接耳機發(fā)出"塔、塔"的拍點聲，從而起到催眠作用。
元器件選擇
Rl-R4選用1/8W碳膜電阻器或金屬膜電阻器。
Cl和C2均選用獨石電容器。
IC選用CD4069或CC4069、MCl4069型六非門集成電路。
BM選用駐極體傳聲器。
GB選用9V疊層電池。
S選用單極雙位撥動開關(guān)。
電路工作原理
該記憶增強器電路由低頻振蕩器、負(fù)反饋放大器和傳聲器BM、轉(zhuǎn)換開關(guān)S、耳機插座XS等組成，如圖9-75所示。
低頻振蕩器由六非門集成電路IC(Dl-D6)內(nèi)部的非門D5、D6和電阻器R3、電容器C2組成。
負(fù)反饋放大器由IC內(nèi)Dl-D4和電阻器R2組成。
作為助聽器或記憶增強器使用時，可將S置于"1"位置，此時BM將拾取的聲音信號轉(zhuǎn)換為電信號后，再經(jīng)S、Cl和Rl送人負(fù)反饋放大器進行高增益放大，放大后的音頻信號通過外接耳機還原出聲音。
作為催眠器使用時，可將S置于"2"位置。此時低頻振蕩器產(chǎn)生的低頻振蕩信號經(jīng)負(fù)反饋放大器放大后，通過外接耳機發(fā)出"塔、塔"的拍點聲，從而起到催眠作用。
元器件選擇
Rl-R4選用1/8W碳膜電阻器或金屬膜電阻器。
Cl和C2均選用獨石電容器。
IC選用CD4069或CC4069、MCl4069型六非門集成電路。
BM選用駐極體傳聲器。
GB選用9V疊層電池。
S選用單極雙位撥動開關(guān)。
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