E1QS01芯片主要由比較器，觸發(fā)器和數(shù)字處理電路組成，具體如圖1所示。

圖1  ICE1QS01芯片電路組成

　　在圖1所示的電路中，左上角部分為折彎點(diǎn)（foldback point）校正單元。該部分電路的功能是在MOSFET導(dǎo)通期間，從腳RZI流出一個電流，電流源CS4提供的0.5mA的電流被扣除，所得到的電流I4乘以0.2（即為I3），被饋送到IC的PCS腳，從而增加PCS腳外部電容的充電電壓斜率。當(dāng)AC線路電壓升高時，MOSFET的導(dǎo)通時間縮短，輸出功率保持不變。主線電壓通過Vcc偏置繞組并經(jīng)連接在腳RZI上的一支電阻來檢測。

　　在腳RZI內(nèi)部，門限電平5V和4.4V的比較器用于初級調(diào)整，門限電平1V和50mV的比較器分別是振鈴抑制時間比較器和過零信號比較器。

　　在圖1的右上角是計數(shù)器、定時器和比較器組成的數(shù)字頻率降低電路以及反相輸入端為VRM=4.8V與VRH=4.4V并帶VRH鎖定的比較器和反相輸入端VRL=3.5V并帶VRL鎖定的比較器。

　　在圖1的中央是軟啟動和通—斷（on－off）觸發(fā)器。軟啟動觸發(fā)器通過通—斷觸發(fā)器的上升沿（并利用沿檢測器ED1）置位。通—斷觸發(fā)器通過反相輸入端15V的比較器（圖1左下方）置位。該比較器上面是20V的Vcc過電壓比較器，下面是14 、5V和9V的欠電壓比較器。IC腳PCS內(nèi)部電阻R2連接一個開關(guān)，該開關(guān)由一個與門輸出控制，與門的輸入來自通—斷觸發(fā)器的輸出。在開關(guān)接通時，腳PCS外部電容放電到1.5V。當(dāng)進(jìn)入PCS腳的電流低于100μA時，在主線欠電壓比較器輸出產(chǎn)生一個低電平輸出信號。該輸出信號經(jīng)一個與門和或門電路置位脈沖鎖定觸發(fā)器，與門的另一個輸入是接通時間觸發(fā)器的反相輸出。

　　位于圖1中間下方的是突發(fā)觸發(fā)器和脈沖鎖定觸發(fā)器。突發(fā)觸發(fā)器由IC腳SRC內(nèi)的2V比較器輸出置位。突發(fā)觸發(fā)器的輸出，連接到脈沖鎖定觸發(fā)器的置位輸入。脈沖鎖定觸發(fā)器的輸出，影響接通時間觸發(fā)器的復(fù)位輸入。接通時間觸發(fā)器的輸出，連接到IC腳OUT內(nèi)的輸出緩沖器。脈沖鎖定觸發(fā)器也可由20V的過電壓比較器置位。

　　IC腳SRC內(nèi)部的電流源CS1為SRC腳外部電容器提供500μA的放電電流。與CS1并聯(lián)的電流源CS2，通過軟啟動觸發(fā)器激活。CS2的電流通過50ms定時器控制逐步改變，以此為軟啟動產(chǎn)生上升的調(diào)節(jié)電壓。

　　一個20kΩ的上控電阻R1下端在內(nèi)部連接到SRC腳，上端通過開關(guān)連接到5V的參考電壓。該開關(guān)由一個觸發(fā)器的輸出控制，該觸發(fā)器通過接通時間觸發(fā)器的輸出下降沿置位，以產(chǎn)生振鈴抑制時間。接通時間觸發(fā)器由過零信號經(jīng)過一個與門復(fù)位，該與門的另一個輸入是下部第二個觸發(fā)器的輸出。當(dāng)RZ1腳上的脈沖高度超過4.4V的門，第二個觸發(fā)器置位。

　　在圖1右上部的數(shù)字頻率減小電路中，4位加/減（UP/DOWN）計數(shù)器的寄存數(shù)決定變壓器退磁后的過零信號數(shù)。過零信號計數(shù)器計數(shù)輸入過零信號，并由一個比較器檢測和放大。只要過零計數(shù)器存儲數(shù)與加/減計數(shù)器存儲數(shù)相等，比較器就發(fā)送一個輸出信號至接通時間觸發(fā)器，從而使功率MOSFET導(dǎo)通。為避免抖動，加/減計數(shù)器的存儲數(shù)僅在50ms定時器確定的每個50ms周期之后加1或減1改變，這種變化取于VRH和VRL鎖存狀態(tài)。如果兩個鎖存處于低態(tài)，計數(shù)器增加1。如果僅VRL鎖定置位，加/減計數(shù)器仍不變化。如果VRL和VRH被置位于高電平，加/減計數(shù)器減少1。在此之后VRH與VRL鎖定被復(fù)位。在接下來的50ms內(nèi)，VRH與VRL鎖存將再次置位。當(dāng)IC腳SRC上電壓V_SRC<3.5V時，VRL鎖定置位，加/減計數(shù)器加1；當(dāng)V_SRC>4.4V時，VRH鎖定置位，加/減計數(shù)器減1。在一個大的負(fù)載跳躍這后，為能迅速調(diào)節(jié)到的功率電平上，只要V_SRC>4.8V時，加/減計數(shù)器被置位到1（0001）。