晶體管的伏安特性曲線
出處:西門吹血 發(fā)布于:2011-07-13 10:28:45 | 2428 次閱讀
晶體管的伏安特性曲線

在較低正向電壓下,只有很小的漏電流Ifx。當正向電壓很高時,反偏的J2擊穿,這時的正向電壓叫做正向轉(zhuǎn)折電壓Upo。晶閘管達到飽和時,陽陰極電壓立刻下降到正向?qū)妷篣p。現(xiàn)在考慮反向特性。當晶閘管的陽陰極間加反向電壓時。有一小的反向漏電流IRx流動。反向電壓增加時,IRx基本保持不變。當反向電壓增加到某一數(shù)值時,J1和J3雪崩擊穿,反向電流劇增,這時所對應的電壓叫做反向擊穿電壓UbR。從圖l-4中也可看出,在正向特性中。當Ig>o時,晶閘管容易導通,正向轉(zhuǎn)折電壓降愈大,正向轉(zhuǎn)折電壓愈低。正向特性曲線中,導通之前的區(qū)域叫正向阻斷區(qū)。
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