幾款不錯的電路圖

　　場效應管多管并聯(lián)輸出，500W。

　　場管跟普功率不同就是場管是用電壓驅動，在驅動級上有些不一樣，沒弄過場管功放，音質怎要看你設計和工藝！

　　IRFB33N15D是一顆非常好的MOS管，其導通內阻低達56mΩ，電流為33A，耐壓卻有150V，常用于DC/DC的變換器中，當然，在數字功放中，也經常應用。

　　其也有不足的地方，其輸入電容為2020pF，和常見的MOS管一樣，在驅動它時，就要采用特殊電路來驅動，如同你的電路中的R29和D3并聯(lián)電路，也是業(yè)界慣用手法，其作用是：

　　當沒有R29時，Q7的柵極直接接前面的IC引腳，其內部都是圖騰柱電路，由于是容性負載，都會有振蕩產生，從而使驅動波形出現(xiàn)振鈴現(xiàn)象，產生的后時是，MOS管開啟不夠，內阻大，效率低。 串入R29可以消除這種振蕩，其和后續(xù)的MOS管輸入電容（Ciss）的時間常數要遠小于MOS管的開啟時間13ns，而4.7Ω的2020pF的時間常數為9.5nS，滿足要求。

　　IRFB33N15D用標準電路（相當于R29為3.6Ω）驅動時，其恢復時間長達130nS，這也是MOS管的通病，為了加快關斷（爭取這9.5nS的時間），在關斷時，希望柵級電阻為0，所以會在R29上反向并聯(lián)肖特基二極管D3（其工作頻率可以近GHz），來加速放電。

　　IRFB33N15D的VGS在3.0V至5.5V這間，實際驅動時，取決于IRS2902S的工作電壓，實際都在10V左右，肖特基二極管D3的正向壓降只有1.2V左右（電流1A，但其ΔV/ΔI約為0，動態(tài)內阻極低），已經可以確保Q7和柵極處于低于VGS以下，對關斷沒有影響。 另外，你要學習動態(tài)內阻的含義，如同電源，其壓降可能是5V，但其內阻可以低達十幾毫歐。

　　這個電路里的2顆場效應管不能同時導通，所以，在它們工作的時候，要關斷優(yōu)先，導通稍緩。D3，D4二極管就能夠在驅動電壓下降的時候，迅速釋放場效應管的柵極結電壓，從而使管子從導通狀態(tài)恢復到關斷狀態(tài)的時間大大縮短。而驅動電壓上升的時候，要通過R29，R27給管子的柵極結電容充電，從而延緩了管子的導通時間。 就這樣實現(xiàn)了關斷優(yōu)先，導通稍緩的功能，大大的避免了一個管子還沒退出導通，另一個管子已經進入導通的狀態(tài)。