經(jīng)典電源保護(hù)電子電路設(shè)計精華盤點(diǎn)
出處:電子市場 發(fā)布于:2017-10-20 14:47:36 | 2025 次閱讀
電容在中低頻或直流情況下,就是一個儲能組件,只表現(xiàn)為一個電容的特性,但在高頻情況下,它就不僅僅是個電容了,它有一個理想電容的特性,有漏電流(在高頻等效電路上表現(xiàn)為R),有引線電感,還在導(dǎo)致電壓脈沖波動情況下發(fā)熱的ESR(等效串聯(lián)電阻)。
防反接保護(hù)電路
通常情況下直流電源輸入防反接保護(hù)電路是利用二極管的單向?qū)щ娦詠韺?shí)現(xiàn)防反接保護(hù)。如下圖1示:這種接法簡單可靠,但當(dāng)輸入大電流的情況下功耗影響是非常大的。以輸入電流額定值達(dá)到2A,如選用Onsemi的快速恢復(fù)二極管 MUR3020PT,額定管壓降為0.7V,那么功耗至少也要達(dá)到:Pd=2A×0.7V=1.4W,這樣效率低,發(fā)熱量大,要加散熱器。另外還可以用二極管橋?qū)斎胱稣鳎@樣電路就永遠(yuǎn)有正確的極性(圖2)。這些方案的缺點(diǎn)是,二極管上的壓降會消耗能量。輸入電流為2A時,圖1中的電路功耗為1.4W,圖2中電路的功耗為2.8W。
圖1 一只串聯(lián)二極管保護(hù)系統(tǒng)不受反向極性影響,二極管有0.7V的壓降
圖2 是一個橋式整流器,不論什么極性都可以正常工作,但是有兩個二極管導(dǎo)通,功耗是圖1的兩倍。
利用MOS管的開關(guān)特性,控制電路的導(dǎo)通和斷開來設(shè)計防反接保護(hù)電路,由于功率MOS管的內(nèi)阻很小,解決了現(xiàn)有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過大的問題。
MOS管型防反接保護(hù)電路
圖3利用了MOS管的開關(guān)特性,控制電路的導(dǎo)通和斷開來設(shè)計防反接保護(hù)電路,由于功率MOS管的內(nèi)阻很小,現(xiàn)在 MOSFET Rds(on)已經(jīng)能夠做到毫歐級,解決了現(xiàn)有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過大的問題。極性反接保護(hù)將保護(hù)用場效應(yīng)管與被保護(hù)電路串聯(lián)連接。保護(hù)用場效應(yīng)管為PMOS場效應(yīng)管或NMOS場效應(yīng)管。若為PMOS,其柵極和源極分別連接被保護(hù)電路的接地端和電源端,其漏極連接被保護(hù)電路中PMOS元件的襯底。若是NMOS,其柵極和源極分別連接被保護(hù)電路的電源端和接地端,其漏極連接被保護(hù)電路中NMOS元件的襯底。一旦被保護(hù)電路的電源極性反接,保護(hù)用場效應(yīng)管會形成斷路,防止電流燒毀電路中的場效應(yīng)管元件,保護(hù)整體電路。具體N溝道MOS管防反接保護(hù)電路電路如圖3示。
N溝道MOS管通過S管腳和D管腳串接于電源和負(fù)載之間,電阻R1為MOS管提供電壓偏置,利用MOS管的開關(guān)特性控制電路的導(dǎo)通和斷開,從而防止電源反接給負(fù)載帶來損壞。正接時候,R1提供VGS電壓,MOS飽和導(dǎo)通。反接的時候MOS不能導(dǎo)通,所以起到防反接作用。功率MOS管的 Rds(on)只有20mΩ實(shí)際損耗很小,2A的電流,功耗為(2×2)×0.02=0.08W根本不用外加散熱片。解決了現(xiàn)有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過大的問題。
小結(jié):本文著重介紹了電源中保護(hù)電路設(shè)計過程,利用場效應(yīng)管的導(dǎo)通電阻作為檢測電阻,監(jiān)視它的電壓降,當(dāng)電壓降超過設(shè)定值時就停止放電。在一般的情況下,電路中一般還加有延時電路,以區(qū)分浪涌電流和短路電流,總得來說電路功能比較完善,值得仔細(xì)品讀。
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