PUT振蕩器
    在這個電路中，晶體管的基極由兩個 1K 電阻保持在 5v（使用 10v 電源）。相等的值給出 0.5 的“對峙比”。顯然這個 UJT 是可編程的，所以這個比率可以隨意改變，比如在 1K:10K 和 10K:1K 之間。如果您想進行試驗，請使用 1K 或 2K 預(yù)設(shè)。
  

上電時，電容器最初會放電，因此 PNP 晶體管的發(fā)射極上沒有電壓 - 因此其基極 - 發(fā)射極反向偏置并且沒有電流流動。電容器開始通過 470K 電阻充電至 10v。當(dāng)它達到大約 5.5 伏特時，發(fā)射極-基極結(jié)不再反向偏置，小電流開始流動。然后兩個晶體管都硬導(dǎo)通。電容器通過兩個晶體管快速放電。然而，當(dāng)電容器放電過多時，不再有足夠的電流來保持兩個晶體管導(dǎo)通 - 因此它們會關(guān)閉。循環(huán)重復(fù)。該電路是一個振蕩器。從 NPN 發(fā)射極流出的電流是脈沖式的，一些電路在此處放置一個電阻器以使用脈沖。PNP 發(fā)射極上的電壓（在單結(jié)中，是發(fā)射器）是一個很好的鋸齒波，但處于高阻抗?fàn)顟B(tài)，所以不要加載太多。兩個 1K 電阻器的連接點可用作較低電阻的輸出，但（如圖所示）這是一個約 40 ?S 的負向脈沖，間隔約為 40 毫秒，因此占空比約為 1:1000！
    兩個 1K 電阻器可以進行相當(dāng)大的改變以改??變鋸齒波高度（和頻率）。電容器可以廣泛變化以改變頻率。您需要在 470K 電阻所在的位置保持相當(dāng)高的值，否則電路不會振蕩。最小值取決于晶體管的增益，低增益晶體管的最小值較低，這在當(dāng)今并不常見。
    這是一個很好、可靠的鋸齒波發(fā)生器，可能是單結(jié)的主要用途。然而，我更喜歡這個振蕩器的一個變體......
    更好的 PUT 振蕩器
    對于純粹主義者來說，該電路中不存在“4 層連接”，但如果將其與上面的電路進行比較，您會發(fā)現(xiàn)它有多么相似。主要優(yōu)點是脈沖輸出可從 NPN 的收集器獲得。我在這個電路上使用了一個變體來閃爍我們的圣誕樹燈——也許我會在明年寫一個！
   

    交通信號燈
    振蕩器的最后一個變體是我構(gòu)建的電路，用于替換標(biāo)準(zhǔn)的自動交通信號燈閃光器。

    圖：putz/flashr.gif
    與上一個電路非常相似，NPN 晶體管已成為達林頓對，因此它有足夠的電流驅(qū)動來點亮燈。當(dāng)然，第二個晶體管必須是功率類型，足以處理燈泡電流。注意發(fā)射器中的 Rx。當(dāng)燈正常工作時，電壓應(yīng)下降約 0.75 伏，以便打開額外的晶體管。該晶體管使定時電容器放電。由于放電速度較慢，所以燈會亮的時間更長。這里的巧妙之處在于，如果燈泡短路，電容器會很快放電（二極管和 100R 負責(zé)），因此儀表板指示器上的效果清晰可見。此外，如果燈泡發(fā)生開路故障，閃光速度也會減慢。再次，清晰可見。
    雙穩(wěn)態(tài)
    所以我們在這里考慮的一對是可編程單結(jié)——而 UJT 除了振蕩器之外對任何東西都沒有好處？錯誤的！這是使用其中兩對的雙穩(wěn)態(tài)。
  

    該電路的操作非常明顯 - 如果您了解基本對。但是這個特殊的電路也有一個有趣的應(yīng)用，作為“快動作”免費跟隨器。拆下兩個電容器并通過連接的底座驅(qū)動電路。它可以用作非常快速的 MOSFET 驅(qū)動電路。
    施密特觸發(fā)器
    這是一個 Schmidt，與您以前見過的任何人都不一樣。它有一些不尋常的特性——其中一些是明顯的優(yōu)勢，一些是劣勢。沒有“最佳電路”——執(zhí)行特定功能的不同方法有不同的用途。

    輸入通過 2K2 到 Tr1 的基極。最初考慮 0v 的輸入：Tr1 和 Tr2 將關(guān)閉，Tr3 將輸出拉高。現(xiàn)在考慮輸入緩慢上升。當(dāng)它達到大約 550mV 時，Tr1 將開始導(dǎo)通。但是只要有任何電流流過 Tr1，它也會打開 Tr2，并且這對電流會快速導(dǎo)通。Tr3 將被關(guān)閉。在這種狀態(tài)下，流入 Tr2 發(fā)射極的唯一電流是流入連接到 Tr2 發(fā)射極的 100K 的 100?A（假設(shè)為 10v 電源）。現(xiàn)在進入 Tr2 發(fā)射極的電流必須從其集電極流出，正是這種電流使 Tr1/Tr2 保持導(dǎo)通。
    現(xiàn)在考慮輸入電壓開始下降的情況。有 100?A 保持這對，所以要關(guān)閉它們，我們必須從 Tr1 的基極搶走這 100?A。我們只能通過將輸入降低 220mV（100?A 通過 2K2）來做到這一點。所以開啟點由 Vbe 設(shè)置，關(guān)閉點由 2K2 設(shè)置。
    主要缺點有兩個——首先是 Vbe 溫度敏感性，但很多施密特觸發(fā)器電路都會這樣做。其次，當(dāng)我說通過 Tr2 的電流為 100?A 時，我并未考慮負載電流。這樣會混亂局面！然而，由于電容器提供的電流往往有助于 PUT 對的崩潰，因此該電路非常擅長使用電容性負載切換到低電平。