問題 2 電路
 

    您會注意到的第一件事是，第一期中使用的 3524 芯片已被丟棄。取而代之的是 LM339。3524 和所有類似的芯片都是為開關(guān)模式電源調(diào)節(jié)器而不是 PWM 電機控制而設(shè)計的，因此它們不允許 0-100% 調(diào)制。使用 LM339 允許 100% 調(diào)制。
     Tr1 是一個開關(guān)，由電位器操作，將電源軌連接到內(nèi)部電源軌。發(fā)射器中有一個 47R，用作電源去耦。該電路將在低于 12v 的電壓下工作到 LM339 的極限，大約 36v。
    然而，36v 電池在充滿電后可以超過 40v，這超出了 LM339 的保證工作范圍。在后來的設(shè)計中，我們也因此改變了供電系統(tǒng)。請注意從引腳 14 (IC1b) 到 0v 的 12v 齊納二極管將 MOSFET 柵極電壓限制為 12v：24v 對于大多數(shù) MOSFET 來說太高了！
     Ic1c 是一種“標(biāo)準(zhǔn)”運算放大器三角波形振蕩器：一種經(jīng)過試驗和測試的電路，運行良好。有關(guān)詳細(xì)信息，請參閱4QD www 網(wǎng)站公共區(qū)域的Pulse Width Modulators 。Ic1b 是調(diào)制器，它將三角波形與速度需求電壓進(jìn)行比較以確定 pwm 比率。注意 4mA 電流源（Tr2 和 Tr3）上拉引腳 14。該電流源為驅(qū)動 MOSFET 柵極的射極跟隨器 Tr4 和 Tr5 提供基極驅(qū)動。
    這里的電流源感覺“不錯”- 比較器的原始開關(guān)時間自然非常快，因此很有必要控制柵極導(dǎo)通電壓的上升速率。為 C9 和 C10 并聯(lián)充電的電流源可以很好地做到這一點。然而，這是我們現(xiàn)在不使用的不必要的奢侈品。
     輸出波形以及驅(qū)動 Tr4 和 Tr5，被饋送到 Tr6，Tr6 是控制高電平開關(guān)的極晶體管。C10，以及控制 loside 柵極導(dǎo)通的上升速率，還加快了對 Tr6 的驅(qū)動，有助于在 loside MOSFET 開始導(dǎo)通之前打開 Tr6（因此 hiside 關(guān)閉）。
    電流感測的工作方式已在4QD www 網(wǎng)站公共區(qū)域的MOSFET 電流感測中進(jìn)行了說明。只引用了整個電路的一小部分。檢測到的電流在 Tr12 的 47R 源電阻器上產(chǎn)生一個電壓，該電壓通過電阻分壓器網(wǎng)絡(luò)饋送到 Tr10 的基極。
      本站公開的3524電路使用了類似的hi-side charge pump。在這種情況下，三角振蕩器在 IC1c 引腳 2 上的輸出是一個很好的 50% 方波，正好可以運行一個 hiside 電荷泵。Tr11 構(gòu)成圖騰柱輸出級的頂部，以驅(qū)動作為泵浦電容器的 C7。
       C8 是 hiside 驅(qū)動器的儲能電容器。連接在它兩端的 12v 齊納二極管限制了它上面的電壓——否則泵和自舉動作會加起來提供超過 MOSFET 柵極可以安全處理的電壓。
    輸入緩沖器和斜坡
    鍋通過預(yù)設(shè)進(jìn)給，這是為了調(diào)整靈敏度，使鍋的全速旋轉(zhuǎn)只會提供全速，而不會更多。請記住，電路使用的是 12 或 24 伏電壓，并且鍋中存在全電壓，因此將調(diào)整預(yù)設(shè)以適應(yīng)工作電壓。