考畢茲晶體振蕩器
出處:維庫電子市場網(wǎng) 發(fā)布于:2023-07-10 16:22:09 | 704 次閱讀

這種類型的晶體振蕩器是圍繞公共集電極(射極跟隨器)放大器設(shè)計(jì)的。R 1和R 2電阻網(wǎng)絡(luò)設(shè)置基極上的直流偏置電平,而發(fā)射極電阻R E設(shè)置輸出電壓電平。電阻器R 2設(shè)置得盡可能大,以防止對并聯(lián)連接的晶體施加負(fù)載。
該晶體管 2N4265 是連接在公共集電極配置中的通用 NPN 晶體管,能夠以超過 100Mhz 的開關(guān)速度運(yùn)行,遠(yuǎn)高于晶體基頻(大約在 1MHz 到 5MHz 之間)。上面的考畢茲晶體振蕩器電路的電路圖顯示,電容器、C1和C2分流晶體管的輸出,從而減少反饋信號(hào)。因此,晶體管的增益限制了C1和C2的最大值。輸出幅度應(yīng)保持較低,以避免晶體中功耗過多,否則可能會(huì)因過度振動(dòng)而損壞自身。 皮爾斯振蕩器

皮爾斯振蕩器主要是一個(gè)串聯(lián)諧振調(diào)諧電路(與考畢茲振蕩器的并聯(lián)諧振電路不同),它使用 JFET 作為其主要放大器件,因?yàn)?FET 提供非常高的輸入阻抗,晶體通過電容器 C1 連接在漏極和柵極之間,如下所示如下所示。
在這個(gè)簡單的電路中,晶體決定振蕩頻率并以其串聯(lián)諧振頻率運(yùn)行,fs在輸出和輸入之間提供低阻抗路徑。諧振時(shí)有 180 o相移,使反饋為正。輸出正弦波的幅度被限制在漏極端子的最大電壓范圍內(nèi)。電阻器R1控制反饋量和晶體驅(qū)動(dòng),而射頻扼流圈RFC兩端的電壓在每個(gè)周期內(nèi)反轉(zhuǎn)。大多數(shù)數(shù)字時(shí)鐘、手表和計(jì)時(shí)器都以某種形式使用皮爾斯振蕩器,因?yàn)樗梢允褂米钌俚慕M件來實(shí)現(xiàn)。
除了使用晶體管和 FET 之外,我們還可以通過使用 CMOS 反相器作為增益元件來創(chuàng)建一個(gè)簡單的基本并聯(lián)諧振晶體振蕩器,其操作類似于皮爾斯振蕩器。基本石英晶體振蕩器由單個(gè)反相施密特觸發(fā)邏輯門(例如 TTL 74HC19 或 CMOS 40106、4049 類型)、一個(gè)電感晶體和兩個(gè)電容器組成。這兩個(gè)電容器決定晶體負(fù)載電容的值。串聯(lián)電阻有助于限制晶體中的驅(qū)動(dòng)電流,并將逆變器輸出與電容器晶體網(wǎng)絡(luò)形成的復(fù)阻抗隔離。
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