要發(fā)現(xiàn)潛在的電源問題，您必須運(yùn)行動??態(tài)和靜態(tài)測試。這個簡單的電流吸收器測試中低功率電源和電壓源。在此應(yīng)用中，電流吸收器可在 0 至 5V 的輸入電壓范圍以及高達(dá) 20V 的電源電壓下汲取 0 至 1.5A 的電流。該電路的基礎(chǔ)是精密運(yùn)算放大器 IC 1 （德州儀器 (TI)的 OPA277），其最大輸入失調(diào)電壓僅為 100 ?V、最大輸入偏置電流為 4 nA，并且在以下溫度范圍內(nèi)漂移較低： 40 至 +85°C（圖 1）。運(yùn)算放大器 IC 將其正輸入電壓與檢測電阻器 R SENSE兩端的電壓進(jìn)行比較。
    IC 1的輸出驅(qū)動增強(qiáng)型N溝道功率MOSFET Q 1 ( STMicroElectronics IRF530)，使得檢測電阻器兩端的電壓等于正輸入電壓。檢測電阻兩端的電壓與被測電源的負(fù)載電流成正比，并且與其輸出電壓無關(guān)。Q 1的特點(diǎn)是在外殼溫度為 25°C、漏極至源極電壓為 100V 時(shí)最大電流為 14A，柵極電荷低，在柵極至源極電壓為 10V 和漏極至源極電壓為 10V 時(shí)最大導(dǎo)通電阻為 0.16Ω漏極電流7A。
    在靜止空氣中，散熱器熱阻為 1°C/W 或更小，環(huán)境溫度為 40°C 或更小，MOSFET 可以消耗有限的最大功率，最高可達(dá) 30W。最大功率取決于您使用的散熱器的熱阻和環(huán)境溫度，因此，當(dāng)您提高電源電壓時(shí)，必須相應(yīng)地減少負(fù)載電流。通過脈沖輸入電壓，您可以將電源電壓增加到幾十伏，因?yàn)槠骄妮^低并且取決于平均負(fù)載。
    精密電阻分壓器 R 1和 R 2允許您將 0 至 5V 的輸入電壓范圍轉(zhuǎn)換為 IC 1正輸入端的 0 至 0.495V ，從而產(chǎn)生 0 至 1.5A 的輸出電流范圍。此外，電阻器 R 1和 R 2的值提供 100 kΩ 的輸入電阻，這對于大多數(shù)源阻抗為 50 或 75 Ω 的電壓函數(shù)發(fā)生器來說是足夠的，允許它們在不使用輸入運(yùn)算的情況下驅(qū)動電路的輸入。 -放大器緩沖器。
    分析電路可得出以下關(guān)系： I LOAD =GV IN，其中 G=1/(αR SENSE )=0.3A/V，其中 G 為電導(dǎo)，α 為衰減系數(shù)，α=1+R 1 /R 2 =10.09。您可以改變輸入分壓器的衰減系數(shù)，將輸出電流的上限調(diào)整到幾安培，這樣您就可以測試高輸出電流的低壓電源。
    電容器C 3和C 4以及電阻器R 3和R 4確保環(huán)路穩(wěn)定性，從而形成一個針對0 至5V 輸入階躍電壓上升時(shí)間為1.4 ?s 的電路。因此，您可以在靜態(tài)條件下（施加直流輸入電壓）或動態(tài)條件下（例如，施加脈沖輸入電壓來模擬快速負(fù)載瞬態(tài)）來測試電源。此外，由于 Q 1和 R SENSE電阻器的通道電阻較低，您還可以測試低至 1V 的電源或電壓源；下限為1.5A(R SENSE +R DS(ON) )=735 mV，其中R DS(ON)為導(dǎo)通電阻。
    您還可以測試電源的多個穩(wěn)壓輸出，例如 –5 或 –12V 電源電壓。在這種情況下，必須將電源的接地連接到電流吸收器的輸出（即漏極端子），并將負(fù)輸出連接到電路的接地。為了保證準(zhǔn)確性，當(dāng)您進(jìn)行動態(tài)測試時(shí)，例如負(fù)載調(diào)整率、恢復(fù)時(shí)間和瞬態(tài)響應(yīng)，在將被測電源與電路連接時(shí)必須小心，以減少匝面積。脈沖負(fù)載電流產(chǎn)生輻射發(fā)射，輻射發(fā)射與該面積、電流值以及電流頻率的平方成正比，并且它們可能干擾電路本身和測量設(shè)備。