ISL71091SEHxx 電壓基準的四種變體的總劑量測試結果。這些測試的目的是評估零件的總劑量硬度及其劑量率和偏差敏感性。測試還增加了偏置高溫退火，以觀察零件的加速老化響應。樣品在偏壓下進行輻照，所有引腳均以低劑量率和高劑量率接地。ISL71091SEHxx 變體在逐個晶圓的基礎上進行了驗收測試，在高劑量率（50 至 300 rad(Si)/s）下達到 100 krad(Si)，在低劑量率（0.01 rad(0.01 rad) 下達到 50 krad(Si)）。 Si)/s)，確保兩種劑量率的硬度達到指定水平。
    報告的 ISL71091SEHxx 型號包括 ISL71091SEH20（2.048 V 標稱輸出電壓）、ISL71091SEH33（3.3 V 標稱輸出電壓）、ISL71091SEH40（4.096 V 標稱輸出電壓）和 ISL71091SEH10（10.0 V 標稱輸出電壓）。這些變體使用相同的基礎芯片，輸出電壓在晶圓制造過程中通過多個掩蔽級別進行選擇，然后最終通過在探針和封裝級別進行微調（編程熔絲）進行調整，以獲得指定的輸出電壓。該封裝僅包含硅芯片，并且沒有用于設置輸出電壓的單獨的內部或外部無源元件（即電阻器或電容器）。
    ISL71091SEHxx 在低劑量率和高劑量率照射下均表現(xiàn)出良好的性能。所有樣品均通過了 SMD 中規(guī)定的總劑量水平的輻照后規(guī)格。我們在關鍵輸出電壓參數(shù)中觀察到一些劑量率敏感性和偏置敏感性，并且該部件被認為是中低劑量率敏感的。我們還看到了經過該程序的零件中有趣的偏置高溫退火響應，這些響應也將被討論。
    部分說明
    ISL71091SEHxx 是一款低噪聲精密電壓基準，具有 4.6V 至 30V 的寬電源電壓范圍（3.3V 型號），具有通過不同掩蔽級別和片上微調選擇的四種輸出電壓選項。ISL71091SEHxx 基于 Intersil PR40 粘合晶圓工藝構建，該工藝使用電介質隔離來實現(xiàn)重要的電氣和 SEE 性能改進。ISL71091SEHxx 提供四種輸出電壓選項，包括 2.048V、3.3V、4.096V 和 10.0V，并具有 6 ppm/°C 溫度系數(shù)以及出色的線路和負載調節(jié)。該器件可實現(xiàn)低于 5.2 μV 的峰峰值（0.1 Hz 至 10 Hz，3.3 V 版本）噪聲，+25 °C 時的初始電壓精度為 ±0.05%，輻射范圍內的初始電壓精度為 ±0.25%。該器件采用 8 引線密封扁平封裝和芯片形式。應用包括儀器儀表、
    測試說明
    輻照設施
    使用位于佛羅里達州棕櫚灣 Intersil 工廠的 Gammacell 220? 60Co 輻照器以 68 rad(Si)/s 的標稱劑量率進行高劑量率測試。使用 Intersil Palm Bay N40 全景低劑量率 60Co 輻照器以 0.01 rad(Si)/s 進行低劑量率測試。使用設定為+100°C的小型溫度室進行輻照后高溫偏置退火。
    測試夾具
    圖 1 顯示了用于偏置照射的配置。接地輻射是在相同的夾具類型中進行的，但所有引腳都硬連線接地。也使用該配置進行輻照后高溫偏置退火。
    圖 1 ISL71091SEHxx 的偏置輻射配置
    表征設備和程序
    所有電氣測試均在輻照器外部使用生產自動化測試設備 (ATE) 進行，并在每個停機點進行數(shù)據記錄。所有下點電氣測試均在室溫下進行。每個變體使用三個或四個控制單元來驗證可重復性。