許多硅二極管表現(xiàn)出高電流、1V或更高的直流電壓。有些類型的電流高達 2-3 A 時的電源故障僅限于 0.5 至 0.6 V，但即使這樣也會產(chǎn)生令人無法接受的高損耗。電子電路提供了一種可能的補救措施。
晶體管T1的陰極連接正弦電壓源，陽極作為參考。C1 電容器通過二極管 D1 以正弦電壓峰值充電，即使在負交替期間也向 AO 提供電壓。
    IC1的同相輸入端置于正弦電壓峰值的一半，分壓器R1-P1-R3。由于分壓器 R2-R4 的作用，僅在正向交替期間，AO 反相輸入電位才會高于同相輸入。這意味著當陰極電壓趨于小于陽極電壓時，AO將使T1的漏源溝道導通。
二極管的正向電壓是通過 FET 的電流的乘積，他處于導通電阻狀態(tài)（0.07 歐姆）。
P1 位置決定了陽極 - 陰極電壓，該電壓開始增加運算放大器輸出電壓，其中 T1 入口處發(fā)生導通。只需使用連接在 FET 漏極和源極之間的示波器即可精確調(diào)整交替。它將被固定在標稱直流電流、FET 兩端的電壓在 FET 驅(qū)動交替期間盡可能小的位置。
電路消耗的電流并不比IC1的供電電流高很多。雖然最大電源電壓為 36 V AO，但陰極-陽極電壓（“二極管”“反向”電壓）不得超過 20 V，這是柵極電壓 - BUZ10 的最大允許源。