1. PMOS電路　　在MOS電路的發(fā)展過程中，最初采用的電路全部是用P 溝道 MOS 管組成的，這種電路稱為 PMOS 電路。

　　VD0PMOS 反相器的電路結(jié)構(gòu)如圖3.4.1 所示，其中T和′T都是 P 溝道增強(qiáng)型 MOS 管。因?yàn)?PMOS 工藝比較簡單，成品率高、價(jià)格便宜，所以曾經(jīng)被廣泛采用。T但是，PMOS 反相器有兩個(gè)嚴(yán)重的缺點(diǎn)。
　　第一，它的工作速度比較低。因?yàn)?P 溝道 MOS管的導(dǎo)通電流是由空穴運(yùn)動(dòng)形成的，而空穴的遷移率比電子的遷移率低得多，所以為了獲得同樣的導(dǎo)通電阻和電流，P溝道 MOS 管必須有更大的幾何尺寸。這就使P 溝道 MOS管的寄生電容要比 N 溝道 MOS管的寄生電容大得多，從而降低了它的開關(guān)速度。　　第二，由于 PMOS 電路使用負(fù)電源，輸出電平為負(fù)，所以不便于和TTL 電路連接，使它的應(yīng)用受到了限制。基于上述原因，在 NMOS工藝成熟以后，PMOS電路就用得越來越少了。

　　2.NMOS 電路
　　全部使用NMOS管組成的集成電路稱為 NMOS 電路。由于 NMOS 電路工作速度快，尺寸小，加之NMOS工藝水平的不斷提高和完善，目前許多高速LSI數(shù)字集成電路產(chǎn)品仍采用 NMOS工藝制造。

　

     　圖3.4.2 給出了 NMOS反相器的兩種常見形式。由于負(fù)載管的類型和工作方式不同，它們的性能也不一樣。

　　圖3.4.2(a)中的負(fù)載管T和驅(qū)動(dòng)管T都是增強(qiáng)型MOS管，因而稱為增強(qiáng)型負(fù)載反相器，簡稱E/EMOS電路。圖3.4.2(b)電路的負(fù)載管'T是耗盡型MOS管，故將這個(gè)電路稱為耗盡型負(fù)載反相器，簡稱E/DMOS電路。
　　為了分析這兩個(gè)電路的輸出特性，需要找出負(fù)載管的伏安特性。
　　在圖3.4.2(a)所示增強(qiáng)型負(fù)載反相器電路中，負(fù)載管'T始終工作在vcs=vD5的狀態(tài)，只要將T漏極特性上所有vc5=vDs的各點(diǎn)連起來，就得到了T管的伏安特性,如圖3.4.3所示。
　　在圖3.4.2(b)所示耗盡型負(fù)載反相器電路中，由于負(fù)載管'T始終工作在v∞5=0的狀態(tài)，所以漏極特性曲線中v=0的一條曲線就是T管的伏安特性曲線,如圖3.4.3 所示。
　　當(dāng)T突然截止時(shí)，反相器的輸出電壓：v隨負(fù)載電容C的充電而升高，負(fù)載電流即T管的漏極電流。i。根據(jù)v0=VvDv05即可做出i隨v。變化的曲v線，如圖3.4.4所示。此即反相器的輸出特性。
　　比較一下圖3.4.4中的兩條輸出特性不難看出，耗盡型負(fù)載反相器在v上升的絕大部分區(qū)間里一直能向負(fù)載電容提供較大的充電電流，而增強(qiáng)型負(fù)載反相器所能提供的充電電流隨v上升迅速減小。因此，耗盡型負(fù)載NMOS 反相器電路的開關(guān)速度比較快，這也正是高速 NMOS 電路中多半采用E/DMOS工藝的原因所在
　　綜合 N 溝道耗盡型負(fù)載、短溝道、硅柵自對(duì)準(zhǔn)工藝等各項(xiàng)技術(shù)所生產(chǎn)的MOS電路不僅功耗-延遲積很小，而且有很高的集成度。這種集成電路又稱為高性能 MOS電路(簡稱 HMOS電路)。