它的電源電壓范圍有限（1.8-5.5V），內(nèi)部電阻稍高，這限制了它只能應(yīng)用于電流負(fù)載適中的產(chǎn)品，不超過 30 mA。幸運的是，由于 MOSFET 技術(shù)取得了一些重大進(jìn)展，這些限制現(xiàn)在可以克服。　　圖 1說明了如何使用 P 通道 MOSFET 晶體管保護(hù)負(fù)載免受電池反極性的影響。通常，要打開 P 通道 MOSFET，您需要在其控制柵極-源極結(jié)上施加適當(dāng)?shù)碾妷海艠O端為負(fù)電位，源極端為正電位）。圖 1 所示的 P 通道 MOSFET 連接方式略有不同，其工作原理如下。

　　極性校正電路 P 溝道 MOSFET
　　圖 1該電路使用 P 通道 MOSFET 保護(hù)負(fù)載免受電池反接損壞。
　　當(dāng)電源接通 A 和 B 端子（A 為正極，B 為負(fù)極）時，晶體管的內(nèi)部二極管 D1 正向偏置，為 Q1 提供控制柵極至源極電壓，從而使其導(dǎo)通。MOSFET 的低電阻充當(dāng)二極管 D1 的分流器，并將電流饋送到負(fù)載。
　　當(dāng)電池反接時，電壓加到A、B兩極（此時A為負(fù)極，B為正極），晶體管內(nèi)部二極管D1反向偏置，Q1柵極-源極電壓為0，結(jié)果Q1晶體管截止，負(fù)載沒有電流。
　　換句話說，該電路中的 P 溝道 MOSFET Q1 表現(xiàn)得像一個二極管（即虛擬的“D2”），具有非常低的正向閾值電壓。N 溝道 MOSFET 可以以類似的方式使用（圖 2）。　　極性校正電路 N 溝道 MOSFET

　　圖 2該電路使用 N 溝道 MOSFET 保護(hù)負(fù)載免受電池反接損壞。
　　當(dāng) A 端為正，B 端為負(fù)時，晶體管的內(nèi)部二極管 D1 獲得正向偏置，并提供 Q1 的控制柵極至漏極電壓，從而使其導(dǎo)通。MOSFET 的低電阻分流 D1 二極管，從而將電流饋送到負(fù)載。
　　當(dāng)電源反向加到A、B端子（A為負(fù)極，B為正極）時，晶體管內(nèi)部二極管D1反向偏置，柵極-源極電壓等于0，MOSFET Q1關(guān)閉，負(fù)載沒有電流。　　圖 1 和圖 2 所示的電路可用于代替普通的二極管反極性保護(hù)來保護(hù)負(fù)載免受電池反接的影響，但如果電池安裝反接則無法為負(fù)載供電。

　　極性校正電路
　　圖 3該電路無論安裝什么電池，都可以為負(fù)載供電。
　　當(dāng)電池按照圖 3所示安裝時，正電位通過 P 溝道晶體管 Q2 的正向偏置內(nèi)部二極管 D2 施加到其源極。這使 Q2 的柵極處于電池負(fù)極的電位，從而使其導(dǎo)通。電池的負(fù)極通過 N 溝道晶體管 Q3 的正向偏置內(nèi)部二極管 D3 連接到 N 溝道晶體管 Q3 的源極。在這些條件下，Q3 導(dǎo)通，因為其柵極處于電池正極的電位。總而言之，當(dāng)電池處于這種方向時，Q2 和 Q3 處于活動狀態(tài)，并將電池電壓傳送到負(fù)載，而 Q1 和 Q4 保持關(guān)閉。
　　在下一個場景中，電池以相反的方向安裝。現(xiàn)在，正電位通過其正向偏置的內(nèi)部二極管 D4 施加到 P 溝道晶體管 Q4 的源極。由于 Q4 的柵極處于電池負(fù)極的電位，因此它導(dǎo)通。Q1 的內(nèi)部二極管 D1 正向偏置，允許它將電池負(fù)極的電位施加到 N 溝道晶體管 Q1 的源極。由于 Q1 的柵極處于電池正極的電位，因此 Q1 導(dǎo)通。由于 Q1 和 Q4 都導(dǎo)通，因此電池連接到負(fù)載，而 Q2 和 Q3 則關(guān)閉。
　　請注意，此設(shè)計包含一項安全功能，該功能利用了 MOSFET 的內(nèi)部二極管。晶體管 Q1-Q4 中的二極管連接起來形成全橋整流器。如果 MOSFET 無法工作，二極管橋仍可整流輸入，從而為負(fù)載提供正確極性的電源。
　　圖 3 所示的電路適用于相對較低的電壓，不超過 N 通道和 P 通道 MOSFET 的最大允許柵極-源結(jié)，通常為 ±15-20V。對于需要更高電池電壓的應(yīng)用，應(yīng)修改圖 3 中的電路以保護(hù) MOSFET 的柵極-源結(jié)，如圖4所示。　　極性校正電路 MOSFET 保護(hù)

　　圖 4 MOSFET 柵極-源極結(jié)的保護(hù)。
　　該電路增加了齊納二極管 D5 -D8 來保護(hù) MOSFET 的柵極-源極結(jié)。電阻器 R1 和 R2 提供電流限制。在大多數(shù)情況下，D5 - D8 的 V齊納(反向擊穿電壓) 值應(yīng)在 12 至 13V 之間。這足以打開 MOSFET，提供其最小 R ds-on值。R1 和 R2 (R1=R2=R) 的值可以按如下方式計算：
　　R = (V batt – R ds-on x I load – V zener )/I zen，
　　其中，V batt是電池電壓，R ds-on是導(dǎo)通 MOSFET 的漏源電阻，I load是負(fù)載電流，V zener是齊納二極管的反向擊穿電壓，I zen是齊納二極管的工作電流。
　　注意： Maxim 器件在 +3V 電源時引入 11 歐姆（2×5.5 歐姆）的串聯(lián)電阻，在 +5V 電源時引入 8 歐姆（2×4 歐姆）的串聯(lián)電阻。