MOS 管由于其導(dǎo)通內(nèi)阻低、開關(guān)速度快等顯著優(yōu)勢，在開關(guān)電源領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。而要充分發(fā)揮 MOS 管的性能，其驅(qū)動電路的設(shè)計起著至關(guān)重要的作用。下面將為大家詳細介紹幾種常用的 MOS 管驅(qū)動電路。

電源 IC 直接驅(qū)動

電源 IC 直接驅(qū)動是一種較為簡單的驅(qū)動方式，但在應(yīng)用過程中需要特別注意幾個關(guān)鍵參數(shù)及其影響。首先，要查看電源 IC 手冊中的最大驅(qū)動峰值電流，因為不同芯片的驅(qū)動能力往往存在差異。其次，需要了解 MOS 管的寄生電容，如 C1、C2 的值。寄生電容越小越好，因為如果 C1、C2 的值較大，MOS 管導(dǎo)通所需的能量就會增多。若電源 IC 沒有足夠大的驅(qū)動峰值電流，管子導(dǎo)通的速度就會變慢，從而無法達到預(yù)期的效果。

推挽驅(qū)動

當電源 IC 的驅(qū)動能力不足時，可以采用推挽驅(qū)動。這種驅(qū)動電路的優(yōu)勢在于能夠提升電流提供能力，快速完成對柵極輸入電容電荷的充電過程。雖然這種拓撲結(jié)構(gòu)會增加導(dǎo)通所需的時間，但可以減少關(guān)斷時間，使開關(guān)管能夠快速開通，并且避免上升沿出現(xiàn)高頻振蕩。

加速關(guān)斷驅(qū)動

MOS 管通常遵循慢開快關(guān)的原則。在關(guān)斷瞬間，驅(qū)動電路需要提供一個盡可能低阻抗的通路，以便讓 MOSFET 柵源極間電容電壓能夠快速泄放，確保開關(guān)管能夠迅速關(guān)斷。為了實現(xiàn)柵源極間電容電壓的快速泄放，常常會在驅(qū)動電阻上并聯(lián)一個電阻和一個二極管，如上圖所示，其中 D1 一般采用快恢復(fù)二極管。這樣做不僅可以減小關(guān)斷時間，還能降低關(guān)斷時的損耗。Rg2 的作用是防止關(guān)斷時電流過大，避免燒毀電源 IC。

上圖是一個實際應(yīng)用過的電路，已經(jīng)量產(chǎn)至少上萬臺，具有一定的可靠性和實用性，推薦使用。利用三極管來泄放柵源極間電容電壓是比較常見的做法。如果 Q1 的發(fā)射極沒有電阻，當 PNP 三極管導(dǎo)通時，柵源極間電容會被短接，能夠在極短的時間內(nèi)將電荷放完，最大程度地減小關(guān)斷時的交叉損耗。此外，柵源極間電容上的電荷泄放時電流不經(jīng)過電源 IC，還提高了電路的可靠性。

隔離驅(qū)動

為了滿足高端 MOS 管的驅(qū)動需求，常常會采用變壓器驅(qū)動。其中，R1 的目的是抑制 PCB 板上寄生的電感與 C1 形成 LC 振蕩，C1 則用于隔開直流、通過交流，同時還能防止磁芯飽和。