優(yōu)化高壓 GaN 晶體管開關(guān)性能的設(shè)計技術(shù)
GaN 功率晶體管具有高跨導(dǎo)和寬帶寬，可實現(xiàn)非常快速的開關(guān)轉(zhuǎn)換，即使在硬開關(guān)應(yīng)用中也能實現(xiàn)極低的損耗。然而，快速開關(guān)和隨后的高 di/dt 和 dv/dt 可能對主 GaN 功率晶體...
時間：2023-08-10 閱讀：716 關(guān)鍵詞：GaN 晶體管
有許多大容量電源應(yīng)用需要控制雙向電源流。目前，單片雙向 SiC 和 GaN 功率半導(dǎo)體開關(guān)尚未商用。相反，通常使用單向功率器件的背靠背（反串聯(lián)）連接方案，導(dǎo)致芯片面積增加...
時間：2023-08-02 閱讀：1121 關(guān)鍵詞：SiC , GaN
“就電流而言，GaN 橫向器件本質(zhì)上是雙向的。無論電流是從源極到漏極還是從漏極到源極，都是一樣的，因為不涉及體二極管。然而，這種配置的阻塞是單向的，因為它是由柵極到...
時間：2023-07-18 閱讀：994 關(guān)鍵詞：SiC雙向開關(guān)
氮化鎵 (GaN) 因其比傳統(tǒng)硅基器件更高的電子遷移率而具有出色的高頻開關(guān)能力。GaN 晶體管對于電力電子器件至關(guān)重要，因為它們在高開關(guān)頻率下工作，從而實現(xiàn)更小的磁性元件...
時間：2023-07-13 閱讀：924 關(guān)鍵詞：開關(guān)
將觸覺按鈕開關(guān)連接到 RPi 非常容易。需要記住的一個重要事項是 RPi 的 GPIO 引腳符合 +3.3VDC 標(biāo)準(zhǔn)。施加大于 +3.3VDC 的電壓會損壞 RPi。連接觸覺按鈕開關(guān)的電氣接線圖如...
時間：2023-07-06 閱讀：796 關(guān)鍵詞：按鈕開關(guān)
了解單極開關(guān)、全極開關(guān)、雙極開關(guān)
單極開關(guān) 單極開關(guān)的功能如圖 3所示。 該器件被稱為單極開關(guān)，因為它的開關(guān)閾值（B RP和B OP）位于B場軸的正區(qū)域。輸出狀態(tài)只能響應(yīng)南極場而改變。北極或負磁場對傳感器沒有影響；解釋“單極開關(guān)”這個名稱...
時間：2023-06-30 閱讀：3684 關(guān)鍵詞：全極開關(guān),單極開關(guān)，雙極開關(guān)
牽引逆變器通常由三個半橋元件組成，每個半橋元件由一對被稱為高側(cè)和低側(cè)開關(guān)的 MOSFET 或 IGBT 組成。每個電機相有一個半橋，總共三個，柵極驅(qū)動器控制每個開關(guān)器件。 圖 1牽引逆變器概述突出顯示了關(guān)鍵設(shè)計構(gòu)建...
時間：2023-06-30 閱讀：1135 關(guān)鍵詞：開關(guān)器件
開關(guān)和按鈕是具有兩組或更多組電觸點的機械裝置。當(dāng)開關(guān)打開或斷開時，觸點開路，而當(dāng)開關(guān)閉合或操作時，這些觸點短路在一起。 將開關(guān)（或按鈕）連接到電子電路的最常見...
時間：2023-06-27 閱讀：1034 關(guān)鍵詞：開關(guān)
在此電路布置中，增強型 N 溝道 MOSFET 用于將簡單的燈“打開”和“關(guān)閉”（也可以是 LED）。 柵極輸入電壓V GS被帶到適當(dāng)?shù)恼妷弘娖揭源蜷_設(shè)備，因此燈負載“打開”...
時間：2023-06-20 閱讀：1157 關(guān)鍵詞：MOSFET
AND 函數(shù)的開關(guān)表示 邏輯與功能 在這里，兩個開關(guān)A和B連接在一起形成串聯(lián)電路。因此，在上面的電路中，開關(guān)A 和開關(guān)B都必須閉合（邏輯“1”）才能點亮燈。換句話說，...
時間：2023-06-20 閱讀：1217 關(guān)鍵詞：AND 函數(shù)
如果 f OSC太低，開關(guān)系統(tǒng)會缺電，這表現(xiàn)為提供負載電流的能力降低——換句話說，表現(xiàn)為更高的輸出電阻。事實上，理想化開關(guān)電容電路的輸出電阻與振蕩器頻率（以及 C1 的值...
時間：2023-06-19 閱讀：890 關(guān)鍵詞：開關(guān)電容
MOSFET 對構(gòu)成簡單的 SPDT 開關(guān)
使用 n 和 p 溝道 MOSFET，您可以輕松實現(xiàn)單刀雙擲 (SPDT) 開關(guān)來隔離電路的一部分，并在電路其余部分關(guān)閉時從輔助電源為其供電以進行待機操作（圖 1）。通過使用互補對，...
時間：2023-06-13 閱讀：1438 關(guān)鍵詞：MOSFET , SPDT 開關(guān)
一項聲稱用于硬開關(guān)的 GaN 技術(shù)突破
一種新的氮化鎵 (GaN) 解決方案聲稱可以使該技術(shù)遠遠超過其當(dāng)前 100 kHz 的限制，以促進為 HVAC 和機器人技術(shù)等應(yīng)用提供服務(wù)的電機驅(qū)動系統(tǒng)在高壓下的硬開關(guān)。QPT 的兩個新模塊采用了一種 IP，使高壓硬開關(guān)應(yīng)用中的 ...
時間：2023-05-26 閱讀：1065 關(guān)鍵詞： GaN 技術(shù)
開關(guān)直流升壓電路(即所謂的boost或者step-up電路)原理the boost converter,或者叫step-up converter，是一種開關(guān)直流升壓電路，它可以是輸出電壓比輸入電壓高。假定那個開關(guān)(三極管或者mos管)已經(jīng)斷開了很長時間，所...
時間：2023-05-20 閱讀：819 關(guān)鍵詞：開關(guān)
開關(guān)去抖動器IC創(chuàng)建長周期定時器
本應(yīng)用描述了如何降低僅需要定期使用μP的系統(tǒng)功耗。通過使用去抖IC電路，可以將μP設(shè)置為在較長的定時器周期內(nèi)進行監(jiān)控，從而允許其在剩余時間內(nèi)進入低功耗模式。結(jié)果，總功率降低。長周期計時器的一個主要應(yīng)用是遠...
時間：2023-05-16 閱讀：2950 關(guān)鍵詞：開關(guān)
數(shù)字（開/關(guān)）霍爾效應(yīng)設(shè)備：開關(guān)和鎖存器
霍爾效應(yīng)開關(guān)和鎖存器是磁場比較器。它們將磁通密度（有時稱為 B 場）與一些預(yù)先指定的閾值進行比較，并將比較結(jié)果作為 1 位數(shù)字值輸出。有四種不同類別的數(shù)字（開/關(guān)）霍...
時間：2023-05-12 閱讀：1085 關(guān)鍵詞：霍爾效應(yīng)設(shè)備
Menlo Micro 的 MM5120 SP4T 開關(guān)具有內(nèi)置電荷泵和驅(qū)動器，可降低高功率射頻設(shè)計的成本和復(fù)雜性。這種微型設(shè)備的工作頻率范圍為直流至 18 GHz，可處理高達 25 W 連續(xù)和 150...
時間：2023-02-22 閱讀：570 關(guān)鍵詞：RF SP4T 開關(guān)
如果諧振無線電力傳輸 (WPT) 系統(tǒng)要實現(xiàn)其為電動汽車和其他大功率應(yīng)用充電的承諾，則必須首先圓滿解決工程問題。 優(yōu)化諧振 WPT 系統(tǒng)性能的最大挑戰(zhàn)之一是確保始終為發(fā)射機電力電子設(shè)備提供相對恒定的負載阻抗。例...
時間：2023-02-17 閱讀：683 關(guān)鍵詞： MEMS 開關(guān)
檢測開關(guān)為智能應(yīng)用提供小尺寸、長壽命
什么是檢測開關(guān)？ 檢測開關(guān)，也稱為“檢測器”開關(guān)，是一種微型機電開關(guān)，可檢測（或感測）物體對其致動器的任何移動或激活。在檢測開關(guān)下方，有一個觸點終端，如果有電信號連接到檢測開關(guān)的端子，則當(dāng)開關(guān)打開時...
時間：2023-02-16 閱讀：850 關(guān)鍵詞：檢測開關(guān)
