了解 VNA 測(cè)量的 12 項(xiàng)誤差模型和 SOLT 校準(zhǔn)方法

使用信號(hào)流圖開(kāi)發(fā)錯(cuò)誤模型　　通過(guò)檢查 VNA 的通用框圖，我們可以開(kāi)發(fā)測(cè)量系統(tǒng)的誤差模型。考慮圖 1 中的測(cè)量框圖，該框圖用于測(cè)量 DUT 的輸入反射 ( S 11 ) 和前向傳輸 ( ...

分類(lèi)：電子測(cè)量 時(shí)間：2024-03-11 閱讀：1106 關(guān)鍵詞：電子

測(cè)試共源共柵氮化鎵 FET

Cascode GaN FET 動(dòng)態(tài)測(cè)試面臨的挑戰(zhàn)　　Cascode GaN FET 比其他類(lèi)型的 GaN 功率器件更早進(jìn)入市場(chǎng)，因?yàn)樗梢蕴峁┏ｊP(guān)操作并具有更寬的柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍。然而，電路設(shè)計(jì)...

分類(lèi)：電子測(cè)量 時(shí)間：2024-03-09 閱讀：598 關(guān)鍵詞：共柵氮化鎵FET

功率 MOSFET 特性雙脈沖測(cè)試

IEC 60747-9 標(biāo)準(zhǔn)以 IGBT 為例解釋了相應(yīng)的測(cè)試設(shè)置和測(cè)量結(jié)果。正如預(yù)期的那樣，沒(méi)有給出有關(guān)實(shí)際設(shè)計(jì)和可能的陷阱的進(jìn)一步細(xì)節(jié)。　　雙脈沖有什么用？　　圖 1 顯示了可...

分類(lèi)：電子測(cè)量 時(shí)間：2024-03-07 閱讀：677 關(guān)鍵詞： MOSFET

使用交流功率計(jì)測(cè)量功率

瓦特表是電流表和電壓表的組合。它測(cè)量電壓和電流并確定最終的功率。　　電力是使用稱(chēng)為瓦特計(jì)的儀器來(lái)測(cè)量的。瓦特表由兩個(gè)線(xiàn)圈組成——一個(gè)用于測(cè)量電流，另一個(gè)用于測(cè)量...

分類(lèi)：電子測(cè)量 時(shí)間：2024-03-02 閱讀：649 關(guān)鍵詞：交流功率

旋轉(zhuǎn)編碼器的使用方法

旋轉(zhuǎn)編碼器是一種安裝在旋轉(zhuǎn)軸上并檢測(cè)其運(yùn)動(dòng)的傳感器。常用的設(shè)備包括鼠標(biāo)（球型）和滾輪。對(duì)于工業(yè)用途，它們內(nèi)置于伺服電機(jī)中并用于檢測(cè)電機(jī)的角度位置。通用旋轉(zhuǎn)編碼器...

分類(lèi)：電子測(cè)量 時(shí)間：2024-03-01 閱讀：979 關(guān)鍵詞：旋轉(zhuǎn)編碼器

VNA 校準(zhǔn)技術(shù)簡(jiǎn)介

矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀 (VNA) 是適用于射頻和微波應(yīng)用的最精確的測(cè)量?jī)x器之一。例如，現(xiàn)代 VNA 測(cè)量射頻功率的精度可能比任何其他功率傳感器更高。這種精度很大一部分來(lái)自于適用于...

分類(lèi)：電子測(cè)量 時(shí)間：2024-02-29 閱讀：628 關(guān)鍵詞：VNA 校準(zhǔn)技術(shù)

MCU 測(cè)試芯片嵌入 10.8 Mbit STT-MRAM 存儲(chǔ)器

具有 10.8 Mbit 磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (MRAM) 存儲(chǔ)單元陣列的原型 MCU 測(cè)試芯片（采用 22 nm 嵌入式 MRAM 工藝制造）聲稱(chēng)可以實(shí)現(xiàn)超過(guò) 200 MHz 的隨機(jī)讀取訪(fǎng)問(wèn)頻率和 10.4 MB...

分類(lèi)：電子測(cè)量 時(shí)間：2024-02-28 閱讀：607 關(guān)鍵詞： 存儲(chǔ)器

低值電阻和連續(xù)性測(cè)試儀

低值電阻測(cè)試儀的范圍可以從簡(jiǎn)單到非常復(fù)雜。選擇通常取決于所需的準(zhǔn)確度。　　對(duì)于簡(jiǎn)單的連續(xù)性測(cè)試儀來(lái)說(shuō)，所需要的只是一個(gè)低壓電源和一個(gè)指示器，例如，一個(gè)6V電池和一...

分類(lèi)：電子測(cè)量 時(shí)間：2024-02-27 閱讀：653 關(guān)鍵詞：低值電阻

ADC 的測(cè)試

ADC的測(cè)試和DAC的測(cè)試目的是相同的，即驗(yàn)證靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性，ADC進(jìn)行的第一個(gè)測(cè)試是輸入輸出測(cè)試。輸入輸出測(cè)試結(jié)構(gòu)如圖10.5-15所示。輸入電壓范圍從0到VnB,數(shù)字輸出編碼被...

分類(lèi)：電子測(cè)量 時(shí)間：2024-02-23 閱讀：635 關(guān)鍵詞：ADC

GaN FET 提供更高的短路能力方案

足夠的故障檢測(cè)響應(yīng)時(shí)間約為 2 s [2]，該時(shí)間決定了電源開(kāi)關(guān)所需的短路承受時(shí)間 (SCWT) 額定值（即設(shè)備可以承受短路事件的最短時(shí)間） ，在源極端子和漏極端子之間施加高電...

分類(lèi)：電子測(cè)量 時(shí)間：2024-02-21 閱讀：1605 關(guān)鍵詞：GaN FET

高功率應(yīng)用電流測(cè)量的新方法

為了解釋零通量技術(shù)的操作，首先考慮一些基本原理是適當(dāng)?shù)摹Ｔ趫D 1 中，左上角顯示了圍繞磁棒構(gòu)建的拾波線(xiàn)圈；右上角顯示了帶有電阻器和電感器的等效電路。當(dāng)施加電壓時(shí)，...

分類(lèi)：電子測(cè)量 時(shí)間：2024-02-20 閱讀：621 關(guān)鍵詞：電流測(cè)量

無(wú)源和有源調(diào)諧器優(yōu)點(diǎn)、缺點(diǎn)以及它們合成阻抗的方法

負(fù)載牽引測(cè)量是一種通用技術(shù)，可用于表征任何非線(xiàn)性射頻器件的不同性能指標(biāo)。正如我們?cè)谏弦黄恼轮杏懻摰哪菢樱摷夹g(shù)的一個(gè)常見(jiàn)應(yīng)用是確定功率放大器 (PA) 的恒定輸出功...

分類(lèi)：電子測(cè)量 時(shí)間：2024-01-11 閱讀：1396 關(guān)鍵詞：有源調(diào)諧器