金屬氧化膜電阻器是定值軸向電阻器。它們由涂有氧化錫等金屬氧化物薄膜的陶瓷棒制成。金屬氧化膜電阻器不得與由氧化鋅或碳化硅制成的金屬氧化物壓敏電阻混淆。 特性 金屬氧化膜電阻器在以下性能方面超過了金屬...
半導體生產廠的諫早電子開發(fā)出成對晶體管「RT3A66M」、「RT3C66M」。 本產品的封裝內, 裝有兩個相等hFE值的元件。因此, 溫度變化已做成的電流值差距會變小。令差分放大電路、電流鏡電路也可以適用。 內部線路...
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種常用的場效應晶體管，常用于電子設備中作為開關或放大器。以下是MOSFET的工作原理和特點： 工作原理：結構：M...
當電流通過時，LED（發(fā)光二極管）就會發(fā)光。為 LED 供電的最簡單電路是一個帶有串聯(lián)電阻和 LED 的電壓源。這種電阻器通常稱為鎮(zhèn)流電阻器。鎮(zhèn)流電阻用于限制通過 LED 的電流...
SMD 代表表面貼裝器件。SMD 是使用 SMT（即表面貼裝技術）制造的任何電子元件。SMT 的開發(fā)是為了滿足印刷電路板 (PCB) 制造商在將元件組裝到 PCB 時使用更小元件、更快、更高效、更便宜的持續(xù)愿望。 SMD 比傳統(tǒng)的...
NOVOSENSE - 納芯微推出NSI22C1x系列隔離式比較器， 助力打造更可靠的工業(yè)電機驅動系統(tǒng)
上海 —— 納芯微宣布推出基于電容隔離技術的隔離式比較器NSI22C1x系列，該系列包括用于過壓和過溫保護的隔離式單端比較器NSI22C11和用于過流保護的隔離式窗口比較器NSI22C12。NSI22C1x系列可用于工業(yè)電機驅動、光伏...
SEMPER NOR Flash閃存解決方案中心針對安全關鍵型應用簡化設計并縮短上市時間
英飛凌科技股份公司發(fā)布了針對屢獲殊榮的SEMPERNOR Flash系列產品的全新開發(fā)工具 —— SEMPER解決方案中心。作為集成了所有應用模塊的一站式網(wǎng)站，SEMPER解決方案中心涵蓋...
分類：元器件應用 時間：2024-02-27 閱讀：1135 關鍵詞：Flash
了解場效應晶體管的原理和操作。 晶體管是當今電子電路中必不可少的半導體器件。它們可以執(zhí)行兩個主要功能。首先，作為它們的真空管前身，三極管，它們可以放大電信號。...
在電力電子的輸入/輸出電路中，需要進行濾波以實現(xiàn)必要的電能質量和EMC性能。考慮到這一點，TDK 開發(fā)了新系列的愛普科斯 (EPCOS) 交流濾波電容器，該電容器因其高可靠性和...
FPC連接器（Flexible Printed Circuit連接器）是一種用于連接柔性印刷電路板（FPC）或柔性電路板（Flex PCB）的連接器。以下是關于FPC連接器的使用方法及注意事項： 使用方法： 插拔：插入FPC時，要確保方向正...
1.了解額定電壓 電阻器的初級額定電壓是其限制元件電壓（LEV），有時稱為工作電壓。這是可以施加在其歐姆值的電阻器上的最大連續(xù)電壓大于或等于臨界電阻。低于該值時，...
繼電器的繼電特性指的是繼電器在工作時表現(xiàn)出的特性，主要包括以下幾個方面： 隔離性：繼電器在工作時能夠將控制回路和被控制回路隔離開來，從而避免高電壓或高電流對控制回路的影響。 放大作用：繼電器可以將...
為使 N 溝道結型場效應管能正常工作，應在其柵-源之間加負向電壓(即u<0),以保證耗盡層承受反向電壓；在漏-源之間aD5,加正向電壓ups，以形成漏極電流iu<0,既保證了柵-...
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫，即絕緣柵雙極型晶體管。它是一種功率半導體器件，結合了MOSFET和雙極型晶體管的優(yōu)點，可以在高電壓和高電流條件下工作，因而被廣泛應用于電力電子領域。 與MOSFE...
金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）比結型 FET 具有更大的商業(yè)重要性。MOSFET 是具有多種功能的三端器件，涵蓋信號放大到數(shù)字應用，例如邏輯門和寄存器或存儲器陣列。 耗盡型 n 溝道 MOSFET。圖片由新澤西半...
分類：元器件應用 時間：2024-01-18 閱讀：1467 關鍵詞：耗盡型 MOSFET
雷莫（LEMO）很高興地宣布在久經考驗的M系列中新增一款多芯同軸配置，命名為LM.232，尺寸為LM，最多可有12個同軸針芯。這些新的插頭和固定插座是專門為滿足非常苛刻的環(huán)境條件下最嚴格的高頻連接要求而設計的。 ...
Transphorm推出頂部散熱型TOLT封裝FET器件， 助力計算、人工智能、能源和汽車電源系統(tǒng)實現(xiàn)卓越的熱性能和電氣性能
代表著下一代電源系統(tǒng)未來的，氮化鎵（GaN）功率半導體的全球領先供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克股票代碼：TGAN）近日宣布新推出一款TOLT封裝形式的SuperGaN FET。新產品TP65H070G4RS 晶體管的導通電阻為72毫歐...
圖3.3.1 中的 MOS 管屬于 N 溝道增強型。這種類型的MOS管采用P型襯底，導電溝道是 N 型。在vC5=0時沒有導電溝道，開啟電壓Vcs(u)為正。工作時使用正電源，同時應將襯底接源極或者接到系統(tǒng)的最低電位上。在圖3.3.1給...
電阻率（resistivity）是指單位長度、單位橫截面積的導體材料對電流通過的阻力大小。它是描述材料本身抵抗電流流動的特性的物理量。 電阻率常用符號為ρ（rho），單位為Ω·m（歐姆·米）。電阻率的值與導體材料...
