觸發(fā)器（Flip-Flop）是一種基本的數(shù)字電路元件，用于存儲和處理二進制信息。它是組合邏輯電路的基本單元之一，廣泛應(yīng)用于計算機、數(shù)字系統(tǒng)和時序電路中。 觸發(fā)器的作用： 存儲數(shù)據(jù)：觸發(fā)器可以存儲一個二進制...
電感器的設(shè)計是在 1927 年使用漢納曲線等試錯法完成的 [1]。后來引入了面積積法和磁芯幾何常數(shù)法等更可靠的設(shè)計技術(shù)。 電感拓撲 為了分析這些方法，建立了電感器的等效磁路模型，并研究了各個元件之間的關(guān)系。...
倒裝芯片 IC 封裝的熱性能由其 θ賈, ΨJT和 Ψ新山參數(shù)。θ賈是結(jié)到環(huán)境的熱阻（以 °C/W 為單位），這是一個系統(tǒng)級參數(shù)，在很大程度上取決于系統(tǒng)屬性，例如安裝部件的 PC...
SiP（系統(tǒng)封裝，System in Package）是一種將多個集成電路（IC）或其他電子組件封裝在一個封裝內(nèi)的技術(shù)。SiP技術(shù)旨在提高系統(tǒng)的集成度、減少體積和增強功能性。以下是五分鐘搞懂SiP技術(shù)的關(guān)鍵要點： 1. SiP的定義...
分類：基礎(chǔ)電子 時間：2024-09-05 閱讀：823 關(guān)鍵詞：SiP技術(shù)
磁芯損耗 鐵芯損耗分為兩類：渦流損耗和磁滯損耗。 磁滯損耗 當(dāng)沒有次級電流流動時，流過變壓器初級繞組的電流會產(chǎn)生磁通量，從而在次級繞組中感應(yīng)出電壓。該初級...
歐姆定律是電學(xué)中的一個基本原理，描述了電流、電壓和電阻之間的關(guān)系。它由德國物理學(xué)家喬治·西蒙·歐姆（Georg Simon Ohm）于1827年提出。歐姆定律指出： 在一個電路中，電流與電壓成正比，與電阻成反比。 ...
計數(shù)器是用于記錄事件發(fā)生次數(shù)或測量時間的電子電路或設(shè)備。其主要作用是對輸入信號的脈沖進行計數(shù)，從而反映事件的發(fā)生次數(shù)或持續(xù)時間。 計數(shù)器的作用： 事件計數(shù)：統(tǒng)計發(fā)生的事件次數(shù)，如物體通過傳感器的次...
變壓器結(jié)構(gòu)提供磁路，通常稱為“變壓器鐵芯”，旨在為磁場提供流動路徑。該磁路對于兩個輸入和輸出繞組之間感應(yīng)電壓必不可少。 然而，這種變壓器結(jié)構(gòu)（兩個繞組纏繞在不同的支路上）效率不高，因為初級繞組和次級...
什么是薄膜電阻器和厚膜電阻器？ 薄膜電阻和厚膜電阻是市場上最常見的電阻類型。它們的特點是陶瓷基體上有一層電阻層。雖然它們的外觀可能非常相似，但它們的特性和制造工藝卻大不相同。命名源于不同的層厚度。薄...
分類：基礎(chǔ)電子 時間：2024-09-02 閱讀：670 關(guān)鍵詞：薄膜電阻,厚膜電阻
電阻隨溫度變化 電阻溫度系數(shù) (TCR) 是表征電阻性能的最重要參數(shù)之一。TCR 定義電阻隨環(huán)境溫度的變化。表示 TCR 的常用方式是 ppm/°C（或 ppm/°K），代表每攝氏度（或開爾文）百萬分之一。電阻溫度系數(shù)計算如下...
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)外形、等效結(jié)構(gòu)與符號
IGBT的外形、等效結(jié)構(gòu)和符號如圖7-17所示，從等效結(jié)構(gòu)圖中可以看出，IGBI相當(dāng)于一個 PNP 型三極管和增強型 NMOS 管以圖 7-17(b)所示的方式組合而成。IGBT有三個極:C極(集電極)、G極(柵極)和E極(發(fā)射極)。 圖 7-17...
電流互感器（CT）用于測量和監(jiān)控電力系統(tǒng)中的電流。它通過電磁感應(yīng)原理將高電流轉(zhuǎn)換為較小的標(biāo)準(zhǔn)電流，方便儀表和保護裝置進行測量和監(jiān)控。主要基礎(chǔ)知識包括：工作原理：利用電流互感器的原理，將主電流通過其一次繞...
什么是電場？ 電場是存在于帶電粒子周圍空間的一種特殊狀態(tài)。這種特殊狀態(tài)會影響電場中的所有帶電粒子。科學(xué)家仍然不知道電場的真正性質(zhì)以及電荷的真正性質(zhì)，但可以使用已知方程來測量和預(yù)測電場的影響。 就像...
什么是磁電阻器 磁電阻具有可變電阻，該電阻取決于磁場強度。磁電阻可用于測量磁場的存在、強度和方向。它們也稱為磁相關(guān)電阻 (MDR)。磁電阻是磁場傳感器或磁力計的一個子類。 磁電阻定義 磁阻器是一種當(dāng)施...
氮化鎵（Gallium Nitride，簡稱 GaN）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電氣性能和熱性能，廣泛應(yīng)用于電子和光電子器件中。以下是氮化鎵的基本特性和應(yīng)用領(lǐng)域： 基本特性 寬禁帶： GaN 具有較大的禁帶寬...
電功率是衡量電能轉(zhuǎn)化為其他形式能量的速率。在電力系統(tǒng)中，功率的計算是基礎(chǔ)且關(guān)鍵的內(nèi)容。以下是電功率的四大計算公式： 1. 功率公式（直流電） 對于直流電（DC），功率 (P) 可以通過以下公式計算： [ P ...
