RAID是什么？RAID有哪些？

RAID（Redundant Array of Independent Disks）是一種將多個(gè)硬盤驅(qū)動(dòng)器組合成一個(gè)邏輯單元，以提高數(shù)據(jù)存儲(chǔ)性能和可靠性的技術(shù)。RAID技術(shù)通過不同的配置（級(jí)別）來實(shí)現(xiàn)不同的目標(biāo)，如數(shù)據(jù)冗余、性能提升等。　　常見...

時(shí)間：2024-09-04 閱讀：517 關(guān)鍵詞：RAID

介電常數(shù)是什么意思

介電常數(shù)（也稱為相對(duì)電容率）是描述材料在電場(chǎng)中如何影響電場(chǎng)強(qiáng)度和儲(chǔ)存電荷能力的一個(gè)重要物理量。它衡量了材料的電極化能力，即材料在電場(chǎng)作用下極化的程度。介電常數(shù)通常用符號(hào) (\varepsilon_r) 表示。　　介電...

時(shí)間：2024-08-29 閱讀：1184 關(guān)鍵詞：介電常數(shù)

Toshiba -東芝推出全新可重復(fù)使用的電子熔斷器（eFuse IC）系列產(chǎn)品－正式推出小型高壓“TCKE9系列”

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出新系列8款小型高壓電子熔斷器（eFuse IC）—TCKE9系列，支持多種供電線路保護(hù)功能。首批兩款產(chǎn)品“TCKE903NL”與“TCKE905ANA”于今日開始支持批量出貨，...

時(shí)間：2024-08-05 閱讀：690 關(guān)鍵詞：電子熔斷器

MathWorks - 堆棧統(tǒng)計(jì)知多少（一）關(guān)于內(nèi)存，堆棧和常見的 BUG

隨著代碼行數(shù)從幾千增長到百萬甚至更多，嵌入式軟件變得日益復(fù)雜，但總體目標(biāo)依然是實(shí)現(xiàn)軟件的需求，達(dá)到穩(wěn)健、正確且快速執(zhí)行。快速執(zhí)行需要以最優(yōu)方式管理可用的 CPU 和內(nèi)存資源，這對(duì)內(nèi)存空間（尤其是 RAM）有限...

時(shí)間：2024-07-29 閱讀：468 關(guān)鍵詞：內(nèi)存

為什么需要虛擬內(nèi)存?虛擬內(nèi)存的概念與實(shí)現(xiàn)

虛擬內(nèi)存是計(jì)算機(jī)操作系統(tǒng)中的重要概念，它允許程序使用的內(nèi)存空間超出物理內(nèi)存（RAM）的實(shí)際大小。這里解釋為什么需要虛擬內(nèi)存以及它的概念與實(shí)現(xiàn)方式： 為什么需要虛擬內(nèi)存？擴(kuò)展可用內(nèi)存：虛擬內(nèi)存允許系統(tǒng)在物...

時(shí)間：2024-07-24 閱讀：541 關(guān)鍵詞：虛擬內(nèi)存

LPDDR 6新標(biāo)準(zhǔn)公布

JEDEC 今天公布了即將推出的 DDR5 多路復(fù)用列雙列直插式內(nèi)存模塊 (MRDIMM) 和下一代 LPDDR6 壓縮連接內(nèi)存模塊 (CAMM) 標(biāo)準(zhǔn)的關(guān)鍵細(xì)節(jié)。新的 MRDIMM 和 LPDDR6 CAMM 將以無與倫比的帶寬和內(nèi)存容量徹底改變行業(yè)。　　D...

時(shí)間：2024-07-23 閱讀：4006 關(guān)鍵詞：LPDDR6

Synopsys - 新思科技驗(yàn)證IP（VIP）如何加速驗(yàn)證CXL3.1設(shè)計(jì)？

機(jī)器學(xué)習(xí)和人工智能日益普及，虛擬機(jī)和虛擬組件上的工作負(fù)載也隨之不斷增加。為此，行業(yè)急需能夠確定工作負(fù)載優(yōu)先次序并保障性能的機(jī)制。Compute Express Link（CXL）是處理器與加速器、內(nèi)存緩沖區(qū)、智能網(wǎng)絡(luò)接口卡...

時(shí)間：2024-07-09 閱讀：727 關(guān)鍵詞：半導(dǎo)體

m2固態(tài)硬盤和ssd固態(tài)硬盤的區(qū)別

"M.2固態(tài)硬盤"和"SSD固態(tài)硬盤"實(shí)際上并不是兩個(gè)不同的概念，而是可以同時(shí)存在于同一款硬盤中的特性。　　M.2是一種硬盤接口規(guī)范，它可以支持多種不同類型的硬盤，包括傳統(tǒng)的SATA接口固態(tài)硬盤（SSD）和更快的PCIe接口...

時(shí)間：2024-06-21 閱讀：1150 關(guān)鍵詞：固態(tài)硬盤

m2固態(tài)硬盤和ssd固態(tài)硬盤哪個(gè)好?(二者區(qū)別對(duì)比)

"M.2固態(tài)硬盤"和"SSD固態(tài)硬盤"實(shí)際上不是兩種不同類型的硬盤，而是同一種技術(shù)的不同物理封裝和接口形式。下面簡要說明它們之間的關(guān)系和特點(diǎn)：　　SSD固態(tài)硬盤：　　SSD（Solid State Drive）是指使用固態(tài)存儲(chǔ)器（如...

時(shí)間：2024-06-20 閱讀：1694 關(guān)鍵詞：m2固態(tài)硬盤

存儲(chǔ)控制器fsmc與觸摸屏介紹

存儲(chǔ)控制器FSMC（Flexible Static Memory Controller）是一種在STM32微控制器系列中常見的外設(shè)，它提供了對(duì)外部存儲(chǔ)器（如NAND Flash、NOR Flash、SRAM等）的接口和控制功能。通過FSMC，微控制器可以方便地與外部存...

時(shí)間：2024-06-17 閱讀：496 關(guān)鍵詞：存儲(chǔ)控制器

深入剖析高性能內(nèi)存回收技術(shù)

高性能內(nèi)存回收技術(shù)是現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)和編程語言設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵領(lǐng)域之一。有效的內(nèi)存回收不僅能提升程序執(zhí)行效率，還能防止內(nèi)存泄漏、提高系統(tǒng)穩(wěn)定性和可靠性。以下是對(duì)高性能內(nèi)存回收技術(shù)的深入剖析：　　1. 垃圾回收 ...

時(shí)間：2024-06-13 閱讀：481 關(guān)鍵詞：內(nèi)存