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雙倍數(shù)據(jù)率 (DDR) 內(nèi)存簡(jiǎn)介

串行數(shù)據(jù)傳輸與并行數(shù)據(jù)傳輸相比具有重要優(yōu)勢(shì),在許多系統(tǒng)中,這些優(yōu)勢(shì)足以證明添加串行化和反串行化并行數(shù)據(jù)的電路是合理的,以便它可以作為串行數(shù)據(jù)傳輸。然而,計(jì)算機(jī)內(nèi)存是一個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域,其中并行數(shù)據(jù)傳輸仍然很...

時(shí)間:2023-05-24 閱讀:550 關(guān)鍵詞:內(nèi)存

電感儲(chǔ)能DC-DC原理和設(shè)計(jì)

1.DC-DC簡(jiǎn)介DC-DC是英語(yǔ)直流變直流的縮寫。所以DC-DC電路是某直流電源轉(zhuǎn)變?yōu)椴煌妷褐档碾娐贰C-DC是開關(guān)電源技術(shù)的一個(gè)分支。這里說(shuō)的DC-DC是指開關(guān)電源芯片。開關(guān)電源,指利用電容、電感的儲(chǔ)能的特性,通過可控...

時(shí)間:2023-05-22 閱讀:705 關(guān)鍵詞:DC-DC

優(yōu)化智能存儲(chǔ)適配器性能

無(wú)論您是設(shè)置第一個(gè)存儲(chǔ)系統(tǒng)配置還是經(jīng)驗(yàn)豐富的專業(yè)人士,我們的存儲(chǔ)適配器性能指南都可以幫助您配置存儲(chǔ)適配器以獲得最佳性能。為什么要優(yōu)化您的適配器??jī)?yōu)化存儲(chǔ)適配器性能可確保存儲(chǔ)處理由存儲(chǔ)適配器而不是服務(wù)器...

時(shí)間:2023-05-17 閱讀:551 關(guān)鍵詞:雙極電源

介紹一種用于二氧化碳捕獲利用和儲(chǔ)存的新型解決方案

實(shí)現(xiàn)CO 2凈零排放目標(biāo)已成為事關(guān)人類未來(lái)生存的問題,氣候變化的影響使人們的日常生活產(chǎn)生了明顯的危機(jī)感。作為CO 2 凈零排放的方法之一,CO 2 排放量的CO 2 捕集利用與封存(CCUS)技術(shù)作為CO 2排放量的削減創(chuàng)新技...

時(shí)間:2023-04-07 閱讀:831 關(guān)鍵詞:儲(chǔ)存

TI - 用于集成太陽(yáng)能和儲(chǔ)能系統(tǒng)的 5 種轉(zhuǎn)換器拓?fù)?></a>
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儲(chǔ)能系統(tǒng)價(jià)格變得越來(lái)越實(shí)惠,電價(jià)也在上漲,因此對(duì)可再生能源的需求不斷增加。許多住宅現(xiàn)在使用太陽(yáng)能發(fā)電和電池儲(chǔ)能相結(jié)合的系統(tǒng),確保在太陽(yáng)能無(wú)法滿足需求時(shí)能夠提供能...

時(shí)間:2023-04-06 閱讀:610 關(guān)鍵詞:轉(zhuǎn)換器

一種簡(jiǎn)易數(shù)字存儲(chǔ)示波器的設(shè)計(jì)方案

與傳統(tǒng)模擬示波器相比.?dāng)?shù)字存儲(chǔ)示波器不僅具有可存儲(chǔ)波形、體積小、功耗低,使用方便等優(yōu)點(diǎn),而且還具有強(qiáng)大的信號(hào)實(shí)時(shí)處理分析功能。在電子測(cè)量領(lǐng)域,數(shù)字存儲(chǔ)示波器正在逐漸取代模擬示波器。但目前我國(guó)使用高性能...

時(shí)間:2023-03-30 閱讀:837 關(guān)鍵詞:數(shù)字存儲(chǔ)示波器

一種共享高速存儲(chǔ)器模塊的設(shè)計(jì)

本文介紹了一種共享高速存儲(chǔ)器模塊的設(shè)計(jì)。該高速存儲(chǔ)器能夠?qū)崿F(xiàn)多核處理器間的數(shù)據(jù)交換,同時(shí)占用較小的電路面積。相比傳統(tǒng)的多核處理器數(shù)據(jù)交換方式,本設(shè)計(jì)可以更好地提升系統(tǒng)性能。是一種有市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的電路設(shè)計(jì)...

時(shí)間:2023-03-30 閱讀:417 關(guān)鍵詞:存儲(chǔ)器

避免基于 1394 的外部存儲(chǔ)系統(tǒng)中的設(shè)計(jì)錯(cuò)誤

IEEE 1394,也稱為 FireWire,已成為存儲(chǔ)應(yīng)用程序的首選標(biāo)準(zhǔn)。FireWire 是一種流行且經(jīng)過驗(yàn)證的標(biāo)準(zhǔn),雖然它為許多系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員所熟悉,但仍有可能出現(xiàn)設(shè)計(jì)錯(cuò)誤,從而影響性能。首先,看看外置 FireWire/1394 硬盤驅(qū)...

時(shí)間:2023-03-28 閱讀:534 關(guān)鍵詞:存儲(chǔ)系統(tǒng)

下一代非易失性存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)技術(shù)

隨著閃存技術(shù)不斷向更小的幾何尺寸發(fā)展,提供更高的密度和更低的每比特成本,非易失性存儲(chǔ)器市場(chǎng)正在快速增長(zhǎng)。與此同時(shí),改進(jìn)的智能、連接性和直觀界面的融合正在推動(dòng)非易失性存儲(chǔ)器的新應(yīng)用和持續(xù)市場(chǎng)增長(zhǎng)。非易失...

時(shí)間:2023-03-17 閱讀:572 關(guān)鍵詞:存儲(chǔ)器

使用內(nèi)存管理單元

內(nèi)存管理單元 (MMU) 包含在或適用于范圍廣泛的嵌入式 CPU。在某些情況下,它們的使用是強(qiáng)制性的;在其他情況下,它們可能代表不需要的開銷。本文著眼于 MMU 的作用以及它們的應(yīng)用方式。對(duì)多任務(wù)的進(jìn)程和線程模型進(jìn)行...

時(shí)間:2023-03-17 閱讀:566 關(guān)鍵詞:內(nèi)存

使用串行內(nèi)存協(xié)處理器架構(gòu)實(shí)現(xiàn) 200-400GE 網(wǎng)絡(luò)緩沖速度

在本產(chǎn)品指南中,MoSys 的邁克爾米勒描述了有線互聯(lián)網(wǎng)骨干網(wǎng)面臨的挑戰(zhàn),因?yàn)榫W(wǎng)絡(luò)線路和數(shù)據(jù)包速率的增加導(dǎo)致處理器/外部 DDR 內(nèi)存接口出現(xiàn)吞吐量瓶頸。然后,他展示了該公司開發(fā)的一種新的串行芯片到芯片協(xié)議,稱為...

時(shí)間:2023-03-14 閱讀:755 關(guān)鍵詞:內(nèi)存

閃存 101:NAND 閃存與 NOR 閃存

嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員在選擇閃存時(shí)必須考慮很多因素:使用哪種類型的閃存架構(gòu),是選擇串行接口還是并行接口,是否需要糾錯(cuò)碼(ECC)等等。如果處理器或控制器只支持一種類型的接口,這會(huì)限制選項(xiàng),因此內(nèi)存可能很容易...

時(shí)間:2023-03-13 閱讀:983 關(guān)鍵詞:NAND 閃存, NOR 閃存

數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器中

盡管閃存和其他非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)被廣泛用于實(shí)現(xiàn)嵌入式文件系統(tǒng),但這對(duì)于某些嵌入式應(yīng)用程序來(lái)說(shuō)可能過于復(fù)雜。在許多情況下,內(nèi)存可能最有效地用作已預(yù)初始化的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。這種方法需要對(duì)數(shù)據(jù)完整性進(jìn)行一些管理。...

時(shí)間:2023-03-07 閱讀:514 關(guān)鍵詞:存儲(chǔ)器

了解內(nèi)存故障模型

內(nèi)存塊與邏輯需要一組不同的故障模型和測(cè)試技術(shù)。用于檢測(cè)內(nèi)存內(nèi)部故障的 MBIST 算法基于這些故障模型。本文討論了不同類型的內(nèi)存故障模型。內(nèi)存故障模型——單電池故障Stuck at (SAFs):內(nèi)存中的卡住故障是指單元(...

時(shí)間:2023-03-07 閱讀:641 關(guān)鍵詞:內(nèi)存

提高非易失性存儲(chǔ)系統(tǒng)的可靠性

高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS)、醫(yī)療和工業(yè)應(yīng)用等復(fù)雜系統(tǒng)需要可靠、安全和安全。在這些系統(tǒng)中,固件和相關(guān)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器 (NVM) 中,因?yàn)樵跀嚯姇r(shí)必須保留代碼和數(shù)據(jù)。因此,NVM 在系統(tǒng)可靠性方面起著至關(guān)重要...

時(shí)間:2023-03-02 閱讀:758 關(guān)鍵詞:存儲(chǔ)系統(tǒng)

相變存儲(chǔ)器在汽車OTA固件升級(jí)中的作用

本系列文章的第1 部分解釋了內(nèi)存如何影響汽車中區(qū)域和域系統(tǒng)的計(jì)算性能、功耗、可靠性和成本。現(xiàn)在,我們來(lái)談?wù)勔环N特殊類型的非易失性存儲(chǔ)器 (NVM)——相變存儲(chǔ)器 (PCM)—...

時(shí)間:2023-02-27 閱讀:652 關(guān)鍵詞:存儲(chǔ)器

用于空間應(yīng)用的快速、大容量和耐用的 MRAM

實(shí)時(shí)以及存儲(chǔ)和轉(zhuǎn)發(fā)機(jī)載處理應(yīng)用程序越來(lái)越需要大量快速、非易失性存儲(chǔ)器。雖然太空級(jí) NAND 閃存提供千兆位 (Gb) 和太位 (Tb) 存儲(chǔ)容量,但其速度、耐用性、數(shù)據(jù)保留以及錯(cuò)...

時(shí)間:2023-02-25 閱讀:565 關(guān)鍵詞:NAND 閃存

電容器以電荷的形式將電能儲(chǔ)存在其極板上

電容是電容器存儲(chǔ)電荷能力的測(cè)量值。該電容值還取決于用于分隔兩個(gè)平行板的介電材料的介電常數(shù)。電容以法拉( F) 為單位測(cè)量,以邁克爾·法拉第 (Michael Faraday)命名。 ...

時(shí)間:2023-02-16 閱讀:654 關(guān)鍵詞:電容

適用于要求極嚴(yán)苛的應(yīng)用:Swissbit 全新的 SLC SD 和 microSD 卡

Swissbit 推出了全新的基于 SLC 閃存的次世代 S-600 系列 SD 和 microSD 卡,盡管許多制造商從他們的產(chǎn)品線中取消了采用 SLC NAND 的存儲(chǔ)卡。在可靠性、數(shù)據(jù)完整性和數(shù)據(jù)保留時(shí)間方面,每個(gè)單元僅存儲(chǔ)一位的技術(shù)仍然...

時(shí)間:2022-12-16 閱讀:937 關(guān)鍵詞: SLC SD

基于電路板開發(fā)可靠性設(shè)計(jì)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方案

存儲(chǔ)系統(tǒng)是由控制器、背板、結(jié)構(gòu)件、硬盤、內(nèi)存等部件構(gòu)成的多個(gè)子系統(tǒng)組成,其中任何單一元器件故障都可能導(dǎo)致存儲(chǔ)系統(tǒng)出現(xiàn)問題。因此,系統(tǒng)可靠運(yùn)行的基礎(chǔ),離不開元器件...

時(shí)間:2022-12-13 閱讀:556 關(guān)鍵詞:電路板

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