基本共射放大電路的組成及各元件的作用 晶體管是起放大作用的核心元件。輸入信號(hào)u為正弦波電壓。 由于該電路是依據(jù)晶體管工作在放大狀態(tài)bc,c=c所需電壓而組成，故也稱...
3kW 電池充電器應(yīng)用程序和磁性設(shè)計(jì)的 DAB 計(jì)算
在圖 1 中，基本DAB 配置顯示在 Frenetic 電路模擬器中。簡單來說，它是兩個(gè)全橋，中間有一個(gè)變壓器將它們分開，對(duì)稱性是這種拓?fù)涞奶卣髦弧：苋菀淄茢啵ㄟ^適當(dāng)?shù)目刂?..
一個(gè)電阻器可將風(fēng)速計(jì)模擬線性度提高至優(yōu)于 +/-0.5%
我發(fā)表了一個(gè)基于自熱達(dá)林頓晶體管對(duì)的熱空速傳感器的簡單設(shè)計(jì)理念。參見圖 1。 圖 1采用自加熱達(dá)林頓熱氣流傳感器的舊設(shè)計(jì)理念。 電路中Q1起到自熱傳感器的作用。其...
適用于高功率應(yīng)用的改進(jìn)型 TO-247PLUS 分立封裝解決方案
高功率應(yīng)用需要高功率密度和可靠且成本合理的功率半導(dǎo)體。分立器件降低了解決方案的總成本，但必須承受重負(fù)載循環(huán)期間的高熱要求。為了滿足此類要求，功率半導(dǎo)體應(yīng)具有較低...
分類：模擬技術(shù) 時(shí)間：2023-12-20 閱讀：1493 關(guān)鍵詞：TO-247PLUS
晶閘管是一種具有S形電流-電壓特性的半導(dǎo)體器件。它們是一種帶有狀態(tài)存儲(chǔ)器的托管按鍵，當(dāng)控制信號(hào)施加到晶閘管的輸入時(shí)，它們就會(huì)打開。當(dāng)使用直流電時(shí)，可以通過去掉電源...
們研究了使用恒定增益帶寬積（恒定英鎊）運(yùn)算放大器的局限性，我們發(fā)現(xiàn)最佳工作頻率范圍是在運(yùn)算放大器的極點(diǎn)頻率f b和積分器的單位增益頻率f 0。這是環(huán)路增益T 最大化的范...
分類：模擬技術(shù) 時(shí)間：2023-12-18 閱讀：1050 關(guān)鍵詞：運(yùn)算放大器
極點(diǎn)和零點(diǎn) 我之前寫過一篇關(guān)于濾波器理論中的極點(diǎn)和零點(diǎn)的文章，以防您需要對(duì)該主題進(jìn)行更廣泛的復(fù)習(xí)。極點(diǎn)代表導(dǎo)致傳遞函數(shù)的分母等于零的頻率，并且它們會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)幅度...
單電源函數(shù)發(fā)生器輸出緩沖的方波、三角波和正弦波
傳統(tǒng)的模擬函數(shù)發(fā)生器具有常見的方波、三角波和正弦波輸出三重威脅，是電子實(shí)驗(yàn)室工作臺(tái)上常見的工具。這也是一個(gè)經(jīng)典的設(shè)計(jì)練習(xí)。一般來說，正方形和三角形很容易，所以問...
分類：模擬技術(shù) 時(shí)間：2023-12-06 閱讀：916 關(guān)鍵詞：單電源函數(shù)發(fā)生器
我們大多數(shù)人都見過“鎖相環(huán)”（或其縮寫，PLL）這個(gè)詞。然而，我懷疑我們中很少有人徹底了解 1) PLL 的內(nèi)部功能以及 2) 該功能如何導(dǎo)致 PLL 的各種使用方式。我在本文中的目標(biāo)是對(duì)基本 PLL 特性提供清晰、直觀的解...
DAC 的 DNL 和 INL 規(guī)格：解釋 INL 形狀
在之前的文章中，我們介紹了DNL和INL規(guī)范。此外，我們還研究了這兩個(gè)線性指標(biāo)之間的關(guān)系。本文將嘗試對(duì) DNL 和 INL 規(guī)范的一些屬性有一個(gè)直觀的理解。 在繼續(xù)閱讀之前，...
圖 1分光光度計(jì)的簡化圖，其中檢測器測量特定波長的光強(qiáng)度，可用于測量未知材料的透射率。資料來源：羅伯特·珀克爾 圖 2當(dāng)前單色儀原型，帶有光源、球面鏡、衍射光柵和...
模擬磁帶失真 我們上一篇文章中討論的模型可用于分析當(dāng)高頻正弦波偏置信號(hào)添加到要記錄的模擬信號(hào)時(shí)模擬磁帶錄音機(jī) 的失真減少情況。 對(duì)于一階，考慮磁帶不會(huì)進(jìn)入飽和狀態(tài)，使得該模型確實(shí)形成真實(shí)磁芯的合理...
其中誤差計(jì)算為模擬負(fù)載電流與應(yīng)用筆記中給出的公式預(yù)測的負(fù)載電流之間的差值。 IOUT=VIN(R4R2)R1 通過使用 LTspice 的 Monte Carlo 函數(shù)在指定容差內(nèi)改變 R3 和 R5 的...
由于其缺點(diǎn)，MCU 中的內(nèi)部振蕩器配備了微調(diào)其頻率的機(jī)制，與樂器不同。這通常是通過微型電容替換盒調(diào)整振蕩器 RC 電路中的電容來完成的。 電容替換盒包含一系列開關(guān)和電...
模擬 IC 設(shè)計(jì)的 MOSFET 結(jié)構(gòu)和操作
MOSFET結(jié)構(gòu) MOS 晶體管是一種四端器件，由柵極 (G)、漏極 (D)、源極 (S) 和體 (B) 組成。圖 1 顯示了兩種類型的 MOS 晶體管：N 溝道 MOSFET (NMOS) 和 P 溝道 MOSFET (P...
分類：模擬技術(shù) 時(shí)間：2023-11-02 閱讀：1452 關(guān)鍵詞：MOSFET
在電流鏡簡介中了解有關(guān)模擬設(shè)計(jì)的更多信息，包括如何在模擬 IC 中實(shí)現(xiàn)該電路。 電流鏡是重要的模擬構(gòu)建模塊，可應(yīng)用于直流偏置和電流模式信號(hào)處理等不同領(lǐng)域。該塊有多種形式，我們將在下面進(jìn)行研究：基本鏡子帶...
了解電線中電流的物理原理以及為什么您應(yīng)該關(guān)心即使是很小的電感。 PCB 設(shè)計(jì)人員經(jīng)常從各種來源獲取信息，包括“非主流和數(shù)據(jù)表”。為了做出正確的決策，您需要了解組件...
盡管過去十年人們擔(dān)心摩爾定律最終會(huì)走到盡頭，但微電子行業(yè)通過持續(xù)的創(chuàng)新和創(chuàng)造力，繼續(xù)適應(yīng)新的物理約束和產(chǎn)品要求。大部分創(chuàng)意能量都投入到了模擬、射頻和混合信號(hào)模塊...
在低功率太陽能系統(tǒng)中，評(píng)估在給定時(shí)間是否有足夠的陽光來為系統(tǒng)供電至關(guān)重要。在某些情況下，這涉及確定是否有足夠的電力來啟用微控制器。在許多超低功耗系統(tǒng)中，喚醒微控制器進(jìn)行電壓測量的簡單行為可能會(huì)導(dǎo)致太陽...
- 高速PCB阻抗控制核心實(shí)操規(guī)范
- 高速數(shù)字系統(tǒng)（如DDR、SerDes）中的信號(hào)完整性濾波
- MOSFET在UPS電源中的應(yīng)用解析
- 電源管理IC在物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中的應(yīng)用
- SMT連接器焊接缺陷分析
- MOSFET在汽車電子中的應(yīng)用要求
- 通信設(shè)備電源管理IC應(yīng)用解析
- 通信設(shè)備連接器選型與設(shè)計(jì)
- PCB電磁兼容性（EMC）設(shè)計(jì)核心實(shí)操規(guī)范
- 物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)低功耗設(shè)計(jì)：信號(hào)鏈中的濾波與功耗管理
