FLASH閃存 閃存的英文名稱是"Flash Memory"，一般簡稱為"Flash"，它屬于內存器件的一種，是一種不揮發(fā)性( Non-Volatile )內存。閃存的物理特性與常見的內存有根本性的差異:...
時間：2018-09-14 閱讀：898 關鍵詞：FPGA學習系列：內存128M的flash芯片設計flash芯片
意法半導體(ST)推出128Mb串行閃存芯片M25P128，主要用于各種高性能的成本敏感的計算機和消費產品的代碼存儲應用。這個128Mb的產品完善了ST現有的代碼存儲產品組合(從512Kb到64Mb)，同時據稱是這個市場上同一密度級別...
分類：其它 時間：2007-12-19 閱讀：3757 關鍵詞：意法半導體推出128Mb串行閃存芯片M25P128M25P128
意法半導體(ST)日前推出128Mb串行閃存芯片M25P128，主要用于各種高性能的成本敏感的計算機和消費產品的代碼存儲應用。這個128Mb的產品完善了ST現有的代碼存儲產品組合(從512Kb到64Mb)，同時據稱是這個市場上同一密度...
分類：其它 時間：2007-12-12 閱讀：1978 關鍵詞：意法新款128Mb串行閃存廣泛應用于PC、消費類產品M25P128
意法半導體推出了新的128Mb串行閃存芯片M25P128，新產品主要用于各種高性能的成本敏感的計算機和消費產品的代碼存儲應用。這個128Mb的產品完善了ST現有的代碼存儲產品組合(從512Kb到64Mb)，同時據稱還是這個市場上同...
分類：其它 時間：2007-12-12 閱讀：2323 關鍵詞：ST推出128Mb串行閃存芯片 面向PC和消費電子應用M25P128
IntegratedSiliconSolution公司(ISSI)日前宣布推出其首顆128Mb的DDRDRAM芯片IS43R32400A。該芯片工作電壓為2.5V，采用4M×32構成機制，刷新率為8K，傳輸速率為1.6Gbps。其應用包括各種需求量
分類：其它 時間：2007-12-12 閱讀：2203 關鍵詞：ISSI推出首顆128M中低密度DDR DRAMIS43R32400A
W3EG2128M72AFSR:2GB DDR SDRAM（圖）
White電子設計公司推出帶PLL的2GBDDRSDRAM基于FBGA器件的存儲器模塊W3EG2128M72AFSR.該器件是基于512MbDDRSDRAM器件的2x128Mx72雙數據速率(DDR)SDRAM存儲器模塊.模塊包括有36個128Mx
分類：嵌入式系統(tǒng)/ARM技術 時間：2007-12-07 閱讀：1509 關鍵詞：W3EG2128M72AFSR:2GB DDR SDRAM（圖）
閃存芯片供應商意法半導體(ST)日前宣布128兆位NAND閃存芯片NAND128W3A2BN6E的生產轉向90納米制造工藝，這一舉措有助于降低在對成本要求很高的消費設備中廣泛使用的存儲芯片的成本和功耗，這些設備包括數碼相機、語音...
分類：其它 時間：2007-12-04 閱讀：1751 關鍵詞：ST推出首個采用90納米工藝的128Mb NAND閃存TSOP48
意法半導體公司(ST)推出采用90nm工藝技術的128MbNAND閃存器件――NAND128W3A2BN6E。90nm技術降低了閃存芯片的成本和功耗。這些閃存廣泛應用于如數碼相機、錄音機、PDA、機頂盒(STB)、打印機和各種閃存卡等消費類電子...
分類：其它 時間：2007-12-04 閱讀：1784 關鍵詞：ST率先采用90nm工藝技術生產的128Mb NAND閃存TSOP48
Spansion發(fā)布128Mb MirrorBit SPI閃存
全球最大的純閃存解決方案供應商Spansion（NASDAQ:SPSN）今天發(fā)布了具有業(yè)界最高性能的128MbSPI（串行外設接口）閃存產品。這一128MbMirrorBitSPI產品以90nm制程制造，能夠幫助制造商利用SPI具有的更低的整體系統(tǒng)
分類：其它 時間：2007-11-29 閱讀：1577 關鍵詞：Spansion發(fā)布128Mb MirrorBit SPI閃存S25FL128P
IntegratedSiliconSolution公司(ISSI)日前宣布推出其首顆128Mb的DDRDRAM芯片IS43R32400A。該芯片工作電壓為2.5V，采用4M×32構成機制，刷新率為8K，傳輸速率為1.6Gbps。其應用包括各種需求量
分類：其它 時間：2007-11-23 閱讀：1577 關鍵詞：ISSI推出首顆128M中低密度DDR DRAM..IS43R32400A
Agilent公司發(fā)布適用于Infiniium54830系列數字存儲示波器和混合信號示波器的超級深存儲器選件，從而使該系列成為具有業(yè)內最深存儲器的示波器。這一新選件把Agilent專利MegaZoom技術與達128M樣點的存儲器融于一體，實...
分類：其它 時間：2007-10-23 閱讀：1648 關鍵詞：Agilent示波器實現128M點的存儲深度
摘???要：本文首先從應用角度闡述了基于T6963C控制器的HY-240128M-201圖形點陣式液晶顯示模塊(LCM)的組成和工作原理，然后給出了用單片機對模塊進行控制的硬件電路和軟件編程方法，最后介紹了調試圖形點陣式LCM時的...
分類：光電顯示/LED照明 時間：2007-10-19 閱讀：2485 關鍵詞：HY-240128M-201圖形點陣式液晶顯示模塊及其應用T6A39T6963CT6A40ATMEGA8535
產品型號:MC9S12DJ128MFUE工作電壓(V):5Flash(字節(jié)):128KRAM(字節(jié)):8KEEPROM(字節(jié)):2定時器:8×16bitIC,OC,或PAI/O:最大91串行通訊:最大2SCI,2SPI,I2CA/D:最大2X8×1
分類：其它 時間：2007-04-18 閱讀：1718 關鍵詞：MC9S12DJ128MFUE
摘 要：本文首先從應用角度闡述了基于T6963C控制器的HY-240128M-201圖形點陣式液晶顯示模塊(LCM)的組成和工作原理，然后給出了用單片機對模塊進行控制的硬件電路和軟件編程方法，介紹了調試圖形點陣式LCM時的相關注...
分類：光電顯示/LED照明 時間：2006-09-29 閱讀：3548 關鍵詞：HY-240128M-201液晶顯示模塊及其應用62646A4080318080ATMEGA8535RESETT6963CT6A39T6A40
