FDMC86160是由ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET。該器件采用Power56封裝，具有低導(dǎo)通電阻特性，在柵極電壓為4.5V時(shí)，最大導(dǎo)通電阻僅為7.2mΩ，這有助于減少導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率。其最大漏極電流可達(dá)30A，適用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和管理的應(yīng)用場(chǎng)景。典型應(yīng)用場(chǎng)景包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及電源管理等電路中。在實(shí)際應(yīng)用中，使用FDMC86160時(shí)應(yīng)注意確保散熱良好，防止因過熱導(dǎo)致性能下降或損壞。設(shè)計(jì)電路板時(shí)應(yīng)合理布局，使源極和漏極之間的引線盡量短以減小寄生電感的影響。此外，為了保證MOSFET可靠工作，還需正確選擇柵極驅(qū)動(dòng)電阻，避免過高電壓尖峰對(duì)柵極氧化層造成損害。

FDMC86160 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
8,579現(xiàn)貨
系列
PowerTrench?
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
9A（Ta），43A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）
14 毫歐 @ 9A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）
22 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）
1290 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.3W（Ta），54W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
Power33
封裝/外殼
8-PowerWDFN

芯知識(shí)

2.2萬

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FDMC86160

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