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FGA60N65SMD

更新時間:2025-05-31 03:39:07

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
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詢價

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深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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FGA60N65SMD外觀圖

FGA60N65SMD

Fairchild Semiconductor IGBT - 單路

IGBT 650V 120A TO-3P

封裝:TO-3P-3，SC-65-3

FGA60N65SMD 概述

FGA60N65SMD是安森美半導體(ON Semiconductor)生產(chǎn)的一款高性能IGBT功率器件。它采用溝槽柵場截止技術，具有低導通損耗和開關損耗特性。該元件的最大集電極-發(fā)射極電壓為650V，集電極電流額定值為60A，適用于高頻開關應用場合。此款IGBT廣泛應用于不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器、焊接設備及工業(yè)電機驅(qū)動等需要高效能量轉(zhuǎn)換的領域。在實際使用中，應確保散熱設計合理，推薦采用適當?shù)纳崞骱蛯峤缑娌牧弦员ＷC器件工作溫度處于安全范圍。電路設計時應注意門極驅(qū)動電阻的選擇以優(yōu)化開關性能，并且需遵循制造商給出的安全操作指南來避免過壓、過流等潛在風險。

FGA60N65SMD 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
30
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
IGBT - 單路
系列
-
IGBT 類型
場截止
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
650V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
2.5V @ 15V，60A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
120A
功率 - 最大
600W
輸入類型
標準型
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-3P-3，SC-65-3
供應商設備封裝
TO-3P
包裝
管件
其它名稱
FGA60N65SMD-ND

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廣東微爾科技有限公司

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FGA60N60UFD
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