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FQB50N06LTM

更新時間:2025-05-21 11:38:42

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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瀚佳科技（深圳）有限公司
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公司現(xiàn)貨訂貨免費提供樣品技術支持

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現(xiàn)貨假一罰萬只做原廠原裝現(xiàn)貨

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原包裝進口正品現(xiàn)貨庫存-正規(guī)渠道

深圳市瑞新盛科技有限公司
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深圳晨欣芯訊電子科技有限公司
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終端可以免費供樣，支持BOM配單

深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市威雅利發(fā)展有限公司
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一站式配單，只做原裝

柒號芯城電子商務(深圳)有限公
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原廠渠道，現(xiàn)貨配單

深圳市源代電子有限公司
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深圳市河鋒鑫科技有限公司
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FQB50N06LTM外觀圖

FQB50N06LTM

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

FQB50N06LTM 概述

FQB50N06LTM是由Fairchild Semiconductor（現(xiàn)已被ON Semiconductor收購）生產(chǎn)的N溝道MOSFET。這款MOSFET具有低導通電阻特性，適用于高效功率管理應用。其最大漏源電壓為60V，連續(xù)漏極電流可達50A，適合于需要高電流處理能力的電路中。典型應用場景包括電機驅動、電源管理和電池充電設備等。在實際應用中，該MOSFET常用于開關電源轉換器，如DC-DC轉換器和逆變器中。由于其低柵極電荷和快速開關速度，有助于提高整體系統(tǒng)效率。使用時應注意適當?shù)纳嵩O計，確保工作溫度在安全范圍內(nèi)。推薦在PCB布局時考慮足夠的銅面積以幫助散熱，并盡量縮短源極引腳長度來減少寄生電感。對于高頻應用，應仔細選擇柵極驅動電阻值以優(yōu)化開關性能。

FQB50N06LTM 規(guī)格參數(shù)

產(chǎn)品培訓模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
800
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
52.4A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
21 毫歐 @ 26.2A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
32nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1630pF @ 25V
功率 - 最大
3.75W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D²PAK
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
FQB50N06LTM-NDFQB50N06LTMFSTR

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