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FQB9N50TM

更新時間:2025-05-16 20:25:23

供應商
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封裝/批號
說明
詢價

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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深圳市硅宇電子有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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一手渠道假一罰十原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667

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瀚佳科技（深圳）有限公司
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深圳市萊克訊科技有限公司
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TO263/1901+
原包裝進口正品現(xiàn)貨庫存-正規(guī)渠道

深圳市騰迅輝電子科技有限公司
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現(xiàn)貨假一罰萬只做原廠原裝現(xiàn)貨

深圳市能元時代電子有限公司
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百分百原裝，價格優(yōu)勢可提供技術支持，免費送樣品

深圳市金科創(chuàng)世紀電子有限公司
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ON/安森美
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藍界科技（深圳）有限公司
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3000
Fairchild Semiconductor
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代理直銷，公司原裝現(xiàn)貨供應

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深圳市金燦利電子科技有限公司
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FQB9N50TM外觀圖

FQB9N50TM

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

FQB9N50TM 概述

FQB9N50TM是飛兆半導體（現(xiàn)為安森美半導體）生產的一款N溝道MOSFET。該器件采用TO-220封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻開關電源應用。其最大漏源電壓為500V，連續(xù)漏極電流可達9A，在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定性能。此MOSFET常用于電源轉換器、逆變器和電機驅動等需要高電壓和大電流的場合。在實際應用中，建議使用適當?shù)纳岽胧┮源_保器件長期可靠工作。電路設計時需注意柵極驅動電壓的選擇，推薦使用10V至20V范圍內的驅動電壓以獲得最佳導通電阻。此外，應盡量減小柵極串聯(lián)電阻值來加快開關速度，但也要考慮EMI問題。

FQB9N50TM 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
800
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
9A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
730 毫歐 @ 4.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
36nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1450pF @ 25V
功率 - 最大
3.13W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D²PAK
包裝
帶卷 (TR)

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